承载舟的检测电路、故障检测方法和半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN119493047A

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202311034206.1

    申请日:2023-08-16

    Abstract: 本申请公开一种承载舟的检测电路、故障检测方法和半导体工艺设备,其中承载舟的检测电路用于检测半导体工艺腔室内的承载舟舟页之间的通断,半导体工艺腔室能够容纳至少一个承载舟,各个所述承载舟的两极设有一组射频输出端口;所述检测电路包括分别连接在各组所述射频输出端口之间的信号发生器和信号检测器,各组所述射频输出端口对应的所述信号发生器、所述承载舟和所述信号检测器分别形成电回路;所述信号发生器用于提供电信号;所述信号检测器用于检测对应的所述承载舟所在电回路的通断,所述电回路的通断用于表征对应的所述承载舟的舟页之间的通断。本申请能够提升对应半导体工艺设备的产能。

    温控异常处理方法、半导体工艺设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117711992A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202410160666.7

    申请日:2024-02-04

    Abstract: 本申请公开了一种温控异常处理方法、半导体工艺设备及存储介质,属于半导体技术领域。其中,该方法包括:获取半导体工艺设备的实时温控数据;对实时温控数据进行特征提取,得到实时特征数据;将实时特征数据输入至训练后的温度预测模型中,得到实时温度预测值;计算实时温度实际值和实时温度预测值的实时温度残差;根据实时温度残差对半导体工艺设备进行温控异常识别。本申请基于实时温控数据和训练后的温度预测模型即可自动得到作为基准值的实时温度预测值,无需对温控过程内部反应机理有深入认知,降低了对专业经验的依赖,另外,实时温度预测值是根据实时温控数据得到的,可以及时响应不同工艺结果对温控数据的变化,执行不同工艺时可以通用。

    半导体设备及外点火装置的温度控制系统、方法及控制器

    公开(公告)号:CN113110635A

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202110325705.0

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 本申请提供一种半导体设备及外点火装置的温度控制系统和温度控制方法,半导体设备中外点火装置的温度控制系统,包括温度控制器、温控执行器及温度传感器,其中:温度传感器用于检测外点火装置的实际温度,并将实际温度发送至温度控制器;温度控制器用于获取外点火装置的气体流量,并根据气体流量和实际温度与目标温度之间的温度偏差确定向外点火装置施加的功率,并将功率发送至温控执行器;温控执行器与外点火装置连接,用于根据接收到的功率对外点火装置进行加热。应用本申请,可在确保外点火装置的控温精度的条件下,提高系统的灵活性和响应的快速性。

    半导体设备的配电柜
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112510541A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN202011328106.6

    申请日:2020-11-24

    Inventor: 贾岩 耿丹 汪小雨

    Abstract: 本发明提供一种半导体设备的配电柜,包括柜体、隔热件、第一冷却组件和第二冷却组件,其中,隔热件设置在柜体内,用于将柜体的内部空腔分割为第一空间和第二空间,且对第一空间与第二空间之间的热传导进行阻隔;第一冷却组件和第二冷却组件分别用于对第一空间和第二空间进行冷却。本发明提供的半导体设备的配电柜,其能够避免配电柜中辅助器件的散热受到变压器的温度的影响,从而改善辅助器件的工作环境,提高辅助器件的使用寿命,并提高配电柜的使用安全性。

    反应腔室的压力控制系统及压力控制方法

    公开(公告)号:CN110538620A

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201811354718.5

    申请日:2018-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种反应腔室的压力控制系统及压力控制方法。该装置包括尾气管、缓冲冷凝容器、进气管、排气管和控制器,并且在所述进气管上设置有气体质量流量控制器,所述排气管与真空泵连接,并且在其中设置有压力传感器。控制器与所述气体质量流量控制器、真空泵、压力传感器连接,通过将所述气体质量流量控制器的控制量设置为常量或零,以使所述压力传感器采集的压力值在设定压力范围内。本发明避免了使用变频控制方法及其昂贵复杂的耐腐蚀变频隔膜泵,同时气体质量流量控制器反应快速、控制简单,因此提高了控制效率。本发明通过简单、可靠且低成本的设计大幅延长了压力控制系统的使用寿命和安全性。

    低压扩散炉的密封系统及密封方法

    公开(公告)号:CN110528084A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201811465977.5

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 本发明公开了一种用于低压扩散炉的密封系统及密封方法。该密封系统包括:内层炉门和外层炉门,被配置为能够分别与石英管的内口和外口接触形成密封,以使所述内层炉门和所述外层炉门之间的空间形成封闭的夹层,并且所述内层炉门和所述外层炉门通过弹性部件连接;进气管,被配置为贯穿所述外层炉门,用于向所述夹层注入气体;出气管,被配置为贯穿所述外层炉门,用于排出所述夹层的气体。具有通过弹性部件连接内层炉门和外层炉门的双层炉门结构,通过向双层炉门与石英管形成的夹层注入气体,使得夹层压力高于反应腔室压力以向内层炉门提供预压紧力,保证了内层炉门和反应腔室的接触的可靠性,从而提高了低压扩散炉炉门密封性能。

    工艺控制方法及半导体热处理设备

    公开(公告)号:CN119640411A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202311203745.3

    申请日:2023-09-18

    Abstract: 本发明提供了一种工艺控制方法及半导体热处理设备,涉及半导体技术领域,该工艺控制方法包括:在工艺过程中,监测半导体热处理设备中的晶片质量,计算晶片质量的变化速率;当变化速率不为零时,基于变化速率控制半导体热处理设备的磁流体转速、进气速率和抽气速率,直至变化速率为零;其中,磁流体转速、进气速率和抽气速率均与变化速率呈正相关。本发明实现了根据晶片的反应进度调节晶片旋转速度及腔室内的气体量,可以更精确掌握工艺反应时间,改善了扩散工艺晶片均匀性,保证晶片与反应气体反应充分,同时加快了反应进度,缩短了工艺反应时间,提高了产能。

    半导体设备的配电柜
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112510541B

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202011328106.6

    申请日:2020-11-24

    Inventor: 贾岩 耿丹 汪小雨

    Abstract: 本发明提供一种半导体设备的配电柜,包括柜体、隔热件、第一冷却组件和第二冷却组件,其中,隔热件设置在柜体内,用于将柜体的内部空腔分割为第一空间和第二空间,且对第一空间与第二空间之间的热传导进行阻隔;第一冷却组件和第二冷却组件分别用于对第一空间和第二空间进行冷却。本发明提供的半导体设备的配电柜,其能够避免配电柜中辅助器件的散热受到变压器的温度的影响,从而改善辅助器件的工作环境,提高辅助器件的使用寿命,并提高配电柜的使用安全性。

    半导体工艺设备的调试平台和设备的调试方法

    公开(公告)号:CN115270655A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210854817.X

    申请日:2022-07-18

    Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备的调试平台和设备的调试方法,用于对半导体工艺设备中的各机台的运行进行独立调试,调试平台包括网络模块、模拟模块和交互模块,其中,网络模块用于在交互模块、模拟模块与当前调试的机台之间搭建调试网络;模拟模块用于模拟除当前调试的机台之外的其他机台的功能,以与当前调试的机台构成半导体工艺设备的整机功能;交互模块用于显示当前调试的机台的软件界面,并接收用户输入的指令,且根据指令通过网络模块运行当前调试的机台。本发明提供的调试平台和设备的调试方法,在实现整机调试的基础上,对当前调试的机台单独进行调试,无需与其他机台拼接,从而不仅可以提高场地利用率和调试效率,而且具有较强的兼容性和拓展性。

    驱动装置和半导体工艺设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118758058A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410873863.3

    申请日:2024-07-01

    Abstract: 本申请公开一种驱动装置和半导体工艺设备,属于半导体加工技术领域。所公开的驱动装置包括安装板、第一驱动机构、第二驱动机构和连接轴,所述第一驱动机构包括相连的第一驱动源和升降轴,所述第二驱动机构包括相连的第二驱动源和旋转轴,所述第一驱动源和所述第二驱动源分别设于所述安装板的相背两侧,在所述旋转轴的轴向上,所述旋转轴可滑动地套设于所述升降轴外;所述连接轴连接所述旋转轴和所述升降轴,以使所述旋转轴和所述升降轴均可与炉门相连,且在所述旋转轴的轴向上,所述连接轴与所述旋转轴滑动配合。上述方案能够解决相关技术涉及的驱动装置存在承载能力较低以及驱动炉门运动时运动轨迹较不准确的问题。

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