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公开(公告)号：CN114138029B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111257417.2
申请日：2021-10-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: G05D23/20
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于半导体工艺设备的管路温度控制方法和半导体工艺设备，应用于半导体技术领域，该方法包括：在接收到加热启动指令的情况下，将加热器的整定模式配置为自动整定模式，在自动整定模式下，对加热器的控制参数进行自动调整，并通过调整后的控制参数控制加热器进行加热，在加热区域的实际温度未达到稳定加热条件的情况下，若对控制参数的调整达到自整定结束条件，则将整定模式切换为手动整定模式，通知用户在手动整定模式下对加热器的控制参数进行手动调整。在控制参数的整定过程中，首先先通过自动整定模式对控制参数进行调整，若未得到合适的控制参数，则通知用户进行手动调整，可以提高控制参数的整定效率。
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公开(公告)号：CN113699590B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110998436.4
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体热处理设备及其工艺腔室内压力的控制方法，涉及半导体加工技术领域。该控制方法包括：采集工艺腔室内的实际压力值；根据实际压力值和预设的目标压力值之间差值，确定用于控制排气阀门开度的第一阀门开度值；根据第一阀门开度值和当前门阀开度值确定第一阀门开度变化量；确定第一阀门开度变化量是否位于预设的与当前工艺阶段对应的阀门开度变化量的波动范围之内；在第一阀门开度变化量位于波动范围之内的情况下，根据第一阀门开度值调节阀门的开度。该控制方法能解决半导体热处理设备的工艺腔室内的压力波动大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119640411A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311203745.3
申请日：2023-09-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C30B31/18
Abstract: 本发明提供了一种工艺控制方法及半导体热处理设备，涉及半导体技术领域，该工艺控制方法包括：在工艺过程中，监测半导体热处理设备中的晶片质量，计算晶片质量的变化速率；当变化速率不为零时，基于变化速率控制半导体热处理设备的磁流体转速、进气速率和抽气速率，直至变化速率为零；其中，磁流体转速、进气速率和抽气速率均与变化速率呈正相关。本发明实现了根据晶片的反应进度调节晶片旋转速度及腔室内的气体量，可以更精确掌握工艺反应时间，改善了扩散工艺晶片均匀性，保证晶片与反应气体反应充分，同时加快了反应进度，缩短了工艺反应时间，提高了产能。
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公开(公告)号：CN112593216B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202011332301.6
申请日：2020-11-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本申请实施例提供了气体传输管路升温方法、半导体工艺设备，该方法包括：基于每一个气体传输管路的在预设时间段的结束时刻的温度，确定每一个气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率，其中，在预设时间段，每一个气体传输管路对应的加热元件以相同的预设初始输出功率输出；对于每一个气体传输管路，在预设时间段之后控制气体传输管路对应的加热元件的输出功率为气体传输管路的用于同步升温的输出功率。
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公开(公告)号：CN114138029A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111257417.2
申请日：2021-10-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: G05D23/20
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于半导体工艺设备的管路温度控制方法和半导体工艺设备，应用于半导体技术领域，该方法包括：在接收到加热启动指令的情况下，将加热器的整定模式配置为自动整定模式，在自动整定模式下，对加热器的控制参数进行自动调整，并通过调整后的控制参数控制加热器进行加热，在加热区域的实际温度未达到稳定加热条件的情况下，若对控制参数的调整达到自整定结束条件，则将整定模式切换为手动整定模式，通知用户在手动整定模式下对加热器的控制参数进行手动调整。在控制参数的整定过程中，首先先通过自动整定模式对控制参数进行调整，若未得到合适的控制参数，则通知用户进行手动调整，可以提高控制参数的整定效率。
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公开(公告)号：CN113699590A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110998436.4
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体热处理设备及其工艺腔室内压力的控制方法，涉及半导体加工技术领域。该控制方法包括：采集工艺腔室内的实际压力值；根据实际压力值和预设的目标压力值之间差值，确定用于控制排气阀门开度的第一阀门开度值；根据第一阀门开度值和当前门阀开度值确定第一阀门开度变化量；确定第一阀门开度变化量是否位于预设的与当前工艺阶段对应的阀门开度变化量的波动范围之内；在第一阀门开度变化量位于波动范围之内的情况下，根据第一阀门开度值调节阀门的开度。该控制方法能解决半导体热处理设备的工艺腔室内的压力波动大的问题。
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公开(公告)号：CN112593216A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011332301.6
申请日：2020-11-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本申请实施例提供了气体传输管路升温方法、半导体工艺设备，该方法包括：基于每一个气体传输管路的在预设时间段的结束时刻的温度，确定每一个气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率，其中，在预设时间段，每一个气体传输管路对应的加热元件以相同的预设初始输出功率输出；对于每一个气体传输管路，在预设时间段之后控制气体传输管路对应的加热元件的输出功率为气体传输管路的用于同步升温的输出功率。
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