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公开(公告)号：CN114300413A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111464285.0
申请日：2021-12-02
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明公开一种半导体封装结构的加工方法和半导体封装结构，其中加工方法包括：提供晶圆，晶圆的第一表面暴露出焊垫；在第一表面上依次形成图案化的第一钝化层和布线层，布线层电连接焊垫；在第二表面上形成图案化的第二钝化层；以第二钝化层为掩膜，对晶圆进行第一组刻蚀步骤，以在晶圆上刻蚀形成非贯通孔，且非贯通孔的孔底与第一钝化层之间具有预设距离；继续对晶圆进行第二组刻蚀步骤，以形成贯通晶圆的硅通孔，其中，第一组刻蚀步骤的刻蚀深度和刻蚀速率均大于第二组刻蚀步骤的刻蚀深度和刻蚀速率；在硅通孔的底部填充介质层；回刻去除硅通孔位置处的介质层和第一钝化层，直至露出布线层；在硅通孔中形成金属柱，金属柱电连接布线层。
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公开(公告)号：CN117038444B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311024464.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiGe层，其中所述工艺气体包括含氟气体和辅助刻蚀气体，所述辅助刻蚀气体包括氧元素，所述辅助刻蚀气体还包括氮元素、氦元素和氩元素中的至少一个。
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公开(公告)号：CN116741630B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311022428.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32 , C09K13/00
Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于对包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构进行选择性刻蚀，包括：当从所述叠层结构中选择性地刻蚀SiGe层时，利用第一刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第一刻蚀气体包括含氟气体和第一辅助刻蚀气体；当从所述叠层结构中选择性地刻蚀Si层时，利用第二刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第二刻蚀气体包括所述含氟气体和第二辅助刻蚀气体；其中，所述第一辅助刻蚀气体和所述第二辅助刻蚀气体用于调节SiGe与Si之间的刻蚀选择比。
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公开(公告)号：CN117995666A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311789981.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请提供一种栅极结构和场效应晶体管的制备方法及半导体工艺设备，其中，该栅极结构的制备方法包括：提供半导体膜层结构；在半导体膜层结构的一侧表面上依次形成介质层和第一掩膜层；第一掩膜层设置有第一掩膜开口，第一掩膜开口暴露介质层的部分表面；对介质层暴露出的表面执行第一刻蚀步骤，形成第一凹槽；第一凹槽靠近第一掩膜层的开口宽度大于第一掩膜开口的宽度，第一凹槽的深度小于介质层的厚度；对介质层暴露出的表面执行第二刻蚀步骤，形成第二凹槽；第二凹槽与第一凹槽上下连通构成T型凹槽，第二凹槽的开口宽度接近第一掩膜开口的宽度；向T型凹槽的内部填充金属，形成T型栅极结构。本申请可有效提高栅极结构的制备精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119852177A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202311338124.6
申请日：2023-10-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本申请公开了一种金属层刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体工艺及装备领域。一种金属层刻蚀方法包括：执行第一刻蚀步，向反应腔室内通入第一刻蚀气体，用以刻蚀所述金属层，所述金属层下方设置有氮化物层，且所述氮化物层与所述金属层相接触；检测CN光谱信号的光谱强度，当所述光谱强度的增速加快时，执行第二刻蚀步，向所述反应腔室内通入第二刻蚀气体，用以刻蚀残余的所述金属层及所述氮化物层，所述第二刻蚀气体中含有C元素，所述C元素用于与所述氮化物层中的N元素形成CN化学基团。本申请能够解决相关技术中的终点检测方法难以捕捉到刻蚀终点的问题。
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公开(公告)号：CN117486168A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311387018.7
申请日：2023-10-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铝层刻蚀方法及电子器件的制造方法，铝层刻蚀方法包括：在待刻蚀铝层上形成纳米级的掩膜层；通入刻蚀气体对所述铝层进行刻蚀，所述刻蚀气体含氯元素；实时监测刻蚀过程中的光谱信息，在所述铝层的特征产物的光谱强度下降之前停止刻蚀，所述特征产物含氯元素和铝元素。本发明能够实现在刻蚀铝制备纳米级的微结构时保证铝层不会发生过刻蚀。
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公开(公告)号：CN117038444A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311024464.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiGe层，其中所述工艺气体包括含氟气体和辅助刻蚀气体，所述辅助刻蚀气体包括氧元素，所述辅助刻蚀气体还包括氮元素、氦元素和氩元素中的至少一个。
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公开(公告)号：CN116864363A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310870346.6
申请日：2023-07-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种聚焦环及半导体工艺腔室，聚焦环包括：环体，包括相对设置的第一内环形面和第一外环形面，以及从上下两侧分别连接第一内环形面和第一外环形面的第一顶面和底面；环形凸台，设置于第一顶面，并与环体同轴设置；环形凸台包括第二内环形面和第二外环形面，以及从上方连接第二内环形面和第二外环形面的第二顶面；第二内环形面的半径大于第一内环形面的半径；至少三个定位块，设置于第一顶面，并位于一与环体同心的定位圆上，定位圆的半径大于第一内环形面的半径，且小于第二内环形面的半径；定位圆的圆心位于定位块依次连接所形成的多边形的内部。
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公开(公告)号：CN116741630A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202311022428.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32 , C09K13/00
Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于对包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构进行选择性刻蚀，包括：当从所述叠层结构中选择性地刻蚀SiGe层时，利用第一刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第一刻蚀气体包括含氟气体和第一辅助刻蚀气体；当从所述叠层结构中选择性地刻蚀Si层时，利用第二刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第二刻蚀气体包括所述含氟气体和第二辅助刻蚀气体；其中，所述第一辅助刻蚀气体和所述第二辅助刻蚀气体用于调节SiGe与Si之间的刻蚀选择比。
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