-
公开(公告)号：CN104425201B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201310388807.2
申请日：2013-08-30
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
CPC classification number: H01J37/32183
Abstract: 本发明提供阻抗匹配方法及阻抗匹配系统，阻抗匹配方法包括以下步骤：步骤S1，采集射频电源的输出信号，并根据输出信号判断射频电源输出的射频功率信号是否存在；步骤S2，对射频电源的输出阻抗和负载阻抗进行匹配；步骤S3，控制电机停止匹配工作且保持在当前匹配位置不变。本发明提供的阻抗匹配方法，其可以提高阻抗匹配的速率，从而可以避免在整个工艺过程中无法实现阻抗匹配。
-
公开(公告)号：CN105586574A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410559698.0
申请日：2014-10-20
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种承载装置及物理气相沉积设备，该承载装置包括基座和压环，基座用于承载被加工工件，基座与射频电源电连接，用以向基座提供负偏压，压环的下表面叠置在被加工工件上表面的边缘区域，用以将被加工工件固定在基座上；基座的上表面上-设置有凹槽，凹槽对应压环的与被加工工件叠置的部分设置，且压环的与被加工工件叠置的部分的正投影位于所述凹槽内，在凹槽内设置有绝缘件，绝缘件用于减小其正上方的被加工工件表面与基座之间的电势差，且绝缘件不高于基座的上表面。该承载装置，可以避免该射频电流造成压环边沿处的被加工工件表面温度过高而发生打火现象，从而可以降低压环边沿处打火现象发生的可能性。
-
公开(公告)号：CN105586566A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410608051.2
申请日：2014-11-03
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 陈鹏
Abstract: 本发明了提供一种反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括承载装置、等离子体产生装置和金属板，承载装置用于承载基片，等离子体产生装置用于将反应腔室内的气体激发形成等离子体，承载装置设置在等离子体产生装置的下方；金属板横向设置在承载装置和等离子体产生装置之间，且在金属板上设置有贯穿其厚度的多个通孔，金属板与直流电源电连接，用以向金属板施加正电压，以实现排斥金属板上方的离子经由通孔朝向承载装置扩散。本发明提供的反应腔室，其可以解决氢离子容易进入Low-K材料对器件的性能造成影响的问题，从而可以提高工艺质量和芯片良率。
-
公开(公告)号：CN105390368A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410455191.0
申请日：2014-09-09
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供的晶片预清洗腔室及半导体加工设备，包括下电极组件，该下电极组件将晶片预清洗腔室分隔成等离子体产生腔和晶片处理腔；在该等离子体产生腔内与下电极组件相对设置有上电极组件，并且在晶片处理腔内设置有用于承载晶片的承载装置，下电极组件用于在等离子体自等离子体产生腔进入晶片处理腔时，过滤等离子体中的带电粒子。本发明提供的晶片预清洗腔室，其可以过滤等离子体中的带电粒子，从而可以避免带电粒子损伤晶片上的Low-k材料，进而可以提高产品性能。
-
公开(公告)号：CN105088176A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410213303.1
申请日：2014-05-20
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 陈鹏
Abstract: 本发明涉及一种预清洗腔室及半导体加工设备，其包括腔体、承载装置、线圈、第一射频装置、第二射频装置、耦合连接件和线圈旋转驱动装置；腔体接地；承载装置设于腔体内部；线圈环绕于腔体的外侧壁，线圈旋转驱动装置与线圈的第一端连接，用于驱动线圈绕腔体作旋转运动，线圈的第二端与腔体连接；耦合连接件环绕线圈的第一端，且其内壁与线圈之间具有预设距离；第一射频装置通过耦合连接件与线圈的第一端容性耦合连接，用于向线圈加载射频功率。该预清洗腔室可使线圈产生的电磁场较为均匀，从而提高预清洗腔室对被加工工件的预清洗工艺的均匀性；并使第一射频装置加载于线圈上的用于激发等离子体的射频功率保持稳定，从而有利于提高工艺的稳定性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104754851A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310751652.4
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种多频匹配器及等离子体装置，多频匹配器包括相互并联的低频电路与高频电路，在所述低频电路上串联第一电感；在所述高频电路上串联第一电容；所述第一电感一端电连接到等离子反应腔，另一端电连接到低频电源；所述第一电容一端电连接到等离子反应腔，另一端电连接到高频电源。等离子体装置包括等离子反应腔、高频电源、低频电源与所述的多频匹配器；所述等离子反应腔的上电极和下电极分别电连接到所述多频匹配器的低频电路和高频电路；所述低频电路或所述高频电路分别电连接到所述低频电源和所述高频电源。通过以上设计，达到尺寸小、匹配范围较大，并且两个输入端口之间有较高的隔离度的目的。
-
公开(公告)号：CN104753486A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310752343.9
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种射频滤波器及半导体加工设备，射频滤波器用于对与静电卡盘相连接的射频功率源向与静电卡盘相连接的直流电源回流的射频信号进行滤波，包括电感元件和电容元件，电感元件为磁芯电感。本发明提供的射频滤波器，其可以在对低频的射频信号滤波同时可以对高频的射频信号滤波，从而可以同时对两路或者多路频率相差很大的射频信号滤波，进而可以提高射频滤波器的适用性。
-
-
公开(公告)号：CN104342632A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310341787.3
申请日：2013-08-07
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C16/02
CPC classification number: H01J37/32871 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32495 , H01J37/32651 , H01J2237/335 , C23C16/0227 , C23C16/0245
Abstract: 本发明提供的预清洗腔室及等离子体加工设备，包括腔体、顶盖和承载单元，顶盖设置在腔体顶端，承载单元设置在腔体底部，用以承载晶片，并且，在腔体内的承载单元上方设置有离子过滤单元，该离子过滤单元用于在等离子体自其上方朝向所述承载单元的方向运动时，过滤等离子体中的离子。本发明提供的预清洗腔室，其可以在等离子体自其上方朝向所述承载单元的方向运动时，过滤等离子体中的离子，从而可以避免等离子体中的氢离子对Low-k材料的不良影响，进而可以提高产品性能。
-
公开(公告)号：CN101494946B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200810056600.4
申请日：2008-01-22
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 陈鹏
Abstract: 本发明提供了一种阻抗匹配器，其包括：电压电流传感器，用于监测等离子体反应室内的阻抗状态，输出表征等离子体反应室阻抗状态的信号至控制系统；控制系统，用于按照事先确定的匹配控制方法生成控制信号，驱动执行机构调节射频电源的负载阻抗，实现射频电源的输出阻抗与射频电源的负载阻抗的匹配；采集电压电流传感器的表征等离子体反应室阻抗状态的信号，并根据表征等离子体反应室阻抗状态的信号计算出等离子体反应室的阻抗值；执行机构，用于接收控制系统的控制信号，根据控制信号调节射频电源的负载阻抗。通过采用上述技术方案，本发明实现了对射频电源负载阻抗状态的精确监测。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.059 seconds)
