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公开(公告)号：CN119489235A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411544105.3
申请日：2024-10-31
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Inventor： 邵春盛 , 张明华 , 王宁宁 , 陈雅容 , 飞景明 , 李松玲 , 孙晓峰 , 周月 , 刘丹丹 , 任正凯 , 杜茜 , 漆富强 , 杨雨盟 , 熊雪梅 , 王君 , 李岩 , 朱琳 , 刘国玲
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸功率芯片无压低孔洞率焊接方法，包括：依照芯片尺寸与基板材料，确定合适焊片厚度与尺寸；之后裁切并对焊片进行等离子清洗去除表面脏污；采用自动贴片机完成焊接样件组装；依照焊片材料特性，设定真空焊接曲线，确定甲酸压力、甲酸还原温度、甲酸还原时间、峰值温度、峰值温度保持时间、炉腔压力与保持时间等关键焊接参数，根据设定好曲线完成芯片焊接；最后采用X射线检测仪测定焊缝内部孔洞率。本发明基于真空共晶焊接技术，在无压焊接条件下，通过调控焊接过程中环境压力变化，排出焊料层内气孔，实现大尺寸芯片的低孔洞率焊接。
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公开(公告)号：CN113381585B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110491990.3
申请日：2021-05-06
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明一种用于IPM驱动电路，该驱动保护电路设计可以实现IGBT过流的快速保护，保护延时在1微秒以内；通过IGBT驱动电路实现了低有效的IGBT驱动，该驱动的好处是抗干扰能力强，驱动速度快；通过欠压保护功能的设定，避免了驱动电路因驱动电压不够导致IGBT无法完全开通，使IGBT性能受影响。本发明使IGBT工作在可靠的驱动电压下，同时避免了短路照成产品的损伤。
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公开(公告)号：CN113381585A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110491990.3
申请日：2021-05-06
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明一种用于IPM驱动电路，该驱动保护电路设计可以实现IGBT过流的快速保护，保护延时在1微秒以内；通过IGBT驱动电路实现了低有效的IGBT驱动，该驱动的好处是抗干扰能力强，驱动速度快；通过欠压保护功能的设定，避免了驱动电路因驱动电压不够导致IGBT无法完全开通，使IGBT性能受影响。本发明使IGBT工作在可靠的驱动电压下，同时避免了短路照成产品的损伤。
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公开(公告)号：CN118385759A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410441940.8
申请日：2024-04-12
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: B23K26/362 , B23K26/70 , B23K26/082 , B23K26/046 , B23K26/064 , G06T17/00 , G06F18/23213
Abstract: 本发明公开了一种柔性基材曲面金属图案精细刻蚀方法。本发明解决了柔性曲面刻蚀过程中如何实现大尺寸柔性曲面上金属图案刻蚀的技术问题。本发明通过建立待刻蚀曲面零件三维模型，计算曲面函数表达式；随后依据激光振镜扫描范围与激光焦深划分激光扫描片区；将分区信息导入激光数控加工平台，确定激光刻蚀参数，工控机控制激光振镜扫描平台进行分区刻蚀；最后根据金属薄膜厚度与精度要求确定刻蚀层数，进行多次分层刻蚀，获得高精度金属图案。
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公开(公告)号：CN112290772B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010871793.X
申请日：2020-08-26
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明涉及一种负载点电源模块的3D集成结构，包括盖板结构、围框结构、DPC基板、HTCC基板、散热铜片，围框结构焊接在HTCC基板上，盖板结构采用平行缝焊焊接在围框结构上，围框结构、HTCC基板和盖板结构三者共同保持电源模块内部形成密封腔体；DPC基板的厚金属层电流承载能力≥20A，其上放置支架电感器、芯片、陶瓷电容器、钽电容器，DPC基板整板布线损耗≤0.5W；HTCC基板正面与反面中心区域设计方形凹腔结构，包括顶部凹腔和底部凹腔，其中顶部凹腔放置芯片，底部凹腔放置陶瓷电容器与电阻器。本发明芯片在DPC基板上的双面互联减小了金属层走线围成的环路面积，降低了布线寄生阻抗及其带来的损耗，进而提高了负载点电源模块的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112290772A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010871793.X
申请日：2020-08-26
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明涉及一种负载点电源模块的3D集成结构，包括盖板结构、围框结构、DPC基板、HTCC基板、散热铜片，围框结构焊接在HTCC基板上，盖板结构采用平行缝焊焊接在围框结构上，围框结构、HTCC基板和盖板结构三者共同保持电源模块内部形成密封腔体；DPC基板的厚金属层电流承载能力≥20A，其上放置支架电感器、芯片、陶瓷电容器、钽电容器，DPC基板整板布线损耗≤0.5W；HTCC基板正面与反面中心区域设计方形凹腔结构，包括顶部凹腔和底部凹腔，其中顶部凹腔放置芯片，底部凹腔放置陶瓷电容器与电阻器。本发明芯片在DPC基板上的双面互联减小了金属层走线围成的环路面积，降低了布线寄生阻抗及其带来的损耗，进而提高了负载点电源模块的效率。
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公开(公告)号：CN114325252A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111371496.X
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及一种绝缘防护方法，包括以下步骤：a、利用绝缘保护物对功率模块产品进行保护；b、对功率模块产品进行清洗、烘干；c、在功率模块产品上涂覆保护膜；d、去除功率模块产品上的绝缘保护物。本发明能够避免模块发生局部放电的现象，可以满足模块高压应用条件的要求。
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公开(公告)号：CN114203675A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111351677.6
申请日：2021-11-16
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/06 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽装置及其制备方法，装置包括底座(1)、侧壁(2)和上盖(3)，所述底座(1)、所述侧壁(2)和所述上盖(3)均由高原子序数层(4)和低原子序数层(5)交替层叠形成。本发明能够增强辐照屏蔽效果并提高导热率。
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公开(公告)号：CN113972168A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111188897.1
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及半导体芯片微组装技术领域的一种高可靠IGBT模块芯片互连方法，包括：a、在IGBT模块的互连区域设计加工相适配的金属片状互连单元，对所述金属片状互连单元的焊接部分做搪锡处理，并进行清洗；b、根据所述互连区域的尺寸裁剪焊料片、压平，并做等离子清洗处理；c、将所述金属片状互连单元、所述焊料片和所述互连区域依次对准并固定；d、采用焊接设备将所述金属片状互连单元将所述互连区域相连。本发明克服IGBT模块中IGBT芯片‑FRD芯片‑DBC基板之间通过粗铝丝键合互连方式的不足，以满足IGBT芯片‑FRD芯片‑DBC基板之间的高可靠连接。
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公开(公告)号：CN109534842B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201811417555.0
申请日：2018-11-26
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 功率半导体模块用焊接工艺，包括步骤如下：制作焊料片；等离子清洗；制作预制工件；排出真空炉内的空气；加热预制工件直至所述焊料片融化均匀变为熔融焊料；抽真空后填充甲酸和氮气的混合气体，然后再填充氮气，使甲酸分解的H2去除熔融焊料、陶瓷板以及底板表面的氧化物；抽真空，直至熔融焊料内的气泡充分排出；回填氮气并冷却降温，使熔融焊料冷却凝固完成功率半导体模块的焊接。本发明焊接方法可以使去氧化和焊接过程一次完成，提高焊接效率同时焊料熔融状态下的去氧化更完全，焊接效果更好，利用等离子清洗与焊接过程中的气氛和真空度控制相结合，实现焊接质量和效率的提升。
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