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公开(公告)号:CN119411132A
公开(公告)日:2025-02-11
申请号:CN202411531434.4
申请日:2024-10-30
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铝基碳化硅材料表面高均匀性低释氢高可焊金镀层制备方法,包括:对铝基碳化硅表面进行除油、化学粗化;对铝基碳化硅表面进行硅烷化处理;对铝基碳化硅表面进行无钯活化;对铝基碳化硅表面依次进行一次镀镍、一次除氢和喷砂处理;对铝基碳化硅表面进行二次镀镍;对铝基碳化硅表面进行镀金,在铝基碳化硅表面形成金镀层;对铝基碳化硅表面的金镀层进行二次除氢。本发明实现了铝基碳化硅表面均匀活性点制备,保证后续镀层结晶均匀,附着力强,通过二次真空热处理,进行镀层除氢,实现了铝基碳化硅材料表面低释氢高可焊金镀层制备。
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公开(公告)号:CN119463262A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411531430.6
申请日:2024-10-30
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高聚醚醚酮与表面镀层结合力的界面耦合改性方法,包括:对聚醚醚酮进行氧气等离子体处理;采用羧基化碳纳米纤维对聚醚醚酮表面进行功能化改性,使聚醚醚酮表面通过化学键与碳纳米纤维连接,得到碳纳米纤维表面改性聚醚醚酮;采用聚酰亚胺和聚芳砜对聚醚醚酮进行化学改性处理,使聚醚醚酮表面接枝含氧官能团,得到改性后的聚醚醚酮。本发明通过对聚醚醚酮进行改性处理,提高聚醚醚酮与表面镀层之间的界面结合强度,具有较高的灵活性及适用性。
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