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公开(公告)号:CN117681438A
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN202410150581.0
申请日:2024-02-02
IPC: B29C64/124 , B29C64/314 , B29C64/30 , B29C64/386 , B33Y40/10 , B33Y50/00 , B33Y40/20
Abstract: 本发明公开了一种基于灰度调控的3D打印矫治器的方法和系统。该方法包括:准备光敏树脂,光敏树脂中添加有UV光吸收剂;从矫治器的3D打印模型中分割出与指定牙齿对应的区域,对指定牙齿对应的区域的灰度进行修改;对矫治器的3D打印模型进行切片处理,获得多个切片图案;基于各个切片图案完成对矫治器各个层的第一次固化,第一次固化的光的波长为第一波长;采用第二波长的光对矫治器进行第二次固化,从而完成矫治器的3D打印。本发明利用对灰度的调控,矫治时能够实现更大的矫治量而不引起患者的不适感;能够缓解无托槽隐形正畸矫治器应力松弛的现象,并且相比于4D打印矫治器不会引入过大的误差。
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公开(公告)号:CN113410376B
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202110952523.6
申请日:2021-08-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了基于拓扑半金属纳米结构的拓扑量子比特装置及实现方法。本发明在拓扑半金属单晶纳米结构和超导层的异质结中形成拓扑超导体,通过顶栅和背栅的双栅电压调控载流子迁移率,从而调控量子限制效应,使纳米结构的电子能带结构的拓扑性质发生变化,在拓扑能带区间的两端各形成一个马约拉纳量子态,并通过栅压调控拓扑相变对马约拉纳量子态进行编织操作,以物理构筑拓扑量子比特;本发明基于拓扑半金属纳米结构的拓扑相变,构建马约拉纳量子态,保证马约拉纳量子态不会因波函数重叠而退相干,提高了拓扑量子比特器件的鲁棒性;马约拉纳量子态的编织操作只需纯电学调制,无需外加磁场,操作简单,有利于拓扑量子比特的集成和应用。
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公开(公告)号:CN117681438B
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202410150581.0
申请日:2024-02-02
IPC: B29C64/124 , B29C64/314 , B29C64/30 , B29C64/386 , B33Y40/10 , B33Y50/00 , B33Y40/20
Abstract: 本发明公开了一种基于灰度调控的3D打印矫治器的方法和系统。该方法包括:准备光敏树脂,光敏树脂中添加有UV光吸收剂;从矫治器的3D打印模型中分割出与指定牙齿对应的区域,对指定牙齿对应的区域的灰度进行修改;对矫治器的3D打印模型进行切片处理,获得多个切片图案;基于各个切片图案完成对矫治器各个层的第一次固化,第一次固化的光的波长为第一波长;采用第二波长的光对矫治器进行第二次固化,从而完成矫治器的3D打印。本发明利用对灰度的调控,矫治时能够实现更大的矫治量而不引起患者的不适感;能够缓解无托槽隐形正畸矫治器应力松弛的现象,并且相比于4D打印矫治器不会引入过大的误差。
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公开(公告)号:CN116407634A
公开(公告)日:2023-07-11
申请号:CN202310263806.9
申请日:2023-03-17
Applicant: 北京大学
Inventor: 黄卓 , 袁田 , 王一帆 , 金雨晨 , 徐帅 , 张恒 , 陈倩 , 李娜 , 马欣玥 , 宋慧芳 , 彭超 , 杨辉 , 耿泽 , 董洁 , 段桂芳 , 孙崎 , 杨洋 , 杨帆
Abstract: 本发明提供了一种增加Slack蛋白C端含量的物质的应用,涉及药物技术领域。所述的应用为增加Slack蛋白C端含量的物质在制备治疗、辅助治疗和/或预防癫痫的药物中的应用。所述治疗癫痫的药物是以Slack突变体和NaV1.6相互作用界面为靶点,Slack突变体C端和电压门控钠离子通道NaV1.6的N和/或C端相互作用,本发明发现电压门控钠通道NaV1.6介导钠内流激活Slack,两者形成通道复合物。在体内小鼠实验和体外细胞实验结果中发现,上调Slack蛋白C端表达的物质可减少Slack突变体的电流幅值,降低小鼠模型的癫痫易感性,具有治疗癫痫的效果。
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公开(公告)号:CN109741896A
公开(公告)日:2019-05-10
申请号:CN201910011503.1
申请日:2019-01-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01F1/00 , B82Y5/00 , C12N13/00 , C12N1/20 , C12N1/02 , C12R1/19 , C12R1/42 , C12R1/445 , C12R1/01
Abstract: 本发明公布了一种用于细菌广谱性捕获和活菌释放的功能化磁纳米颗粒,为表面修饰ε-聚赖氨酸的磁纳米颗粒。该ε-聚赖氨酸修饰的磁纳米颗粒能够通过静电作用对革兰氏阳性菌和革兰氏阴性菌进行捕获,具有广谱性捕获的能力,捕获效率高,时间短,修饰成本低,可应用于实际样品中细菌的富集。而且,能够通过调节pH的方法对ε-PL-MNP捕获得到的细菌进行释放,释放后的细菌仍具有生物学活性,可用于下游生物学方法分析,对于食品、环境卫生等领域的细菌检测具有重要意义。
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公开(公告)号:CN104007087B
公开(公告)日:2016-07-13
申请号:CN201410201048.9
申请日:2014-05-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种透明平整片状基底表面的金纳米材料计数方法,其包括以下步骤:将样品测定时所用溶剂加至透明平整片状基底表面,然后置于暗场显微镜下观察,采集得到背景散射图像;将金纳米材料加至透明平整片状基底表面,然后置于暗场显微镜下观察,采集得到金纳米材料的特征散射图像;将含有不同浓度金纳米材料的待测样品分别加至透明平整片状基底表面,然后置于暗场显微镜下观察,采集得到若干待测样品的散射图像;对采集得到的背景散射图像、金纳米材料的特征散射图像和待测样品的散射图像依次进行图像分析,得到待测样品散射图像中金纳米材料的数量。本发明可以广泛应用于多种透明平整基底以及多种结构和尺寸的金纳米材料的计数中。
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公开(公告)号:CN102565395B
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201210033025.2
申请日:2012-02-14
Applicant: 北京大学
IPC: G01N33/569 , G01N21/47
Abstract: 本发明公开了一种用包被抗体的金纳米颗粒检测细菌数量的方法。本发明提供的方法,包括如下步骤:I、将包被待测细菌特异抗体的金纳米颗粒与所述样品反应,得到反应液;II、用暗场显微镜观察步骤I)得到的反应液,得到暗场散射图像,图像分析所述暗场散射图像,得到所述待测细菌数量。本发明的实验证明,本发明的方法由于采用抗体修饰的金纳米颗粒作为探针进行暗场散射成像,并采用自动化图像识别技术,因此灵敏度高,特异性强,检测速度快,适用于大肠杆菌的快速、灵敏检测。
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公开(公告)号:CN109285577B
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN201811011787.6
申请日:2018-08-31
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的超低功耗存储器件,该存储器件包括基体、数据存储介质和探针;所述基体为导电基体;所述数据存储介质为自旋态可变有机分子层,自旋态可变分子层中的分子规则排列在导电基体表面;所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据;所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态,所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态;所述自旋态可变有机分子为酞菁氯铁分子。本发明通过使用易于实现不同自旋态转变的酞菁氯铁分子作为存储介质,并且在低电压低电流条件下使用横向操纵技术即可容易地控制不同自旋态的转变,实现了器件的超低功耗。
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公开(公告)号:CN108766488B
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN201810314077.4
申请日:2018-04-10
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的超高密度存储器件及数据存储方法。该存储器件包括基体、数据存储介质和探针;所述基体为导电基体;所述数据存储介质为自旋态可变分子层,自旋态可变分子层规则排列在导电基体表面;所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据;所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态,所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态。本发明实现了信息的单分子写入,相邻分子可进行无干扰的自旋态调控,实现了信息的稳定存储,存储密度高达7*1013bit/cm2。
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公开(公告)号:CN109285577A
公开(公告)日:2019-01-29
申请号:CN201811011787.6
申请日:2018-08-31
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的超低功耗存储器件,该存储器件包括基体、数据存储介质和探针;所述基体为导电基体;所述数据存储介质为自旋态可变有机分子层,自旋态可变分子层中的分子规则排列在导电基体表面;所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据;所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态,所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态;所述自旋态可变有机分子为酞菁氯铁分子。本发明通过使用易于实现不同自旋态转变的酞菁氯铁分子作为存储介质,并且在低电压低电流条件下使用横向操纵技术即可容易地控制不同自旋态的转变,实现了器件的超低功耗。
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