基于拓扑半金属纳米结构的拓扑量子比特装置及实现方法

    公开(公告)号:CN113410376B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202110952523.6

    申请日:2021-08-19

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了基于拓扑半金属纳米结构的拓扑量子比特装置及实现方法。本发明在拓扑半金属单晶纳米结构和超导层的异质结中形成拓扑超导体,通过顶栅和背栅的双栅电压调控载流子迁移率,从而调控量子限制效应,使纳米结构的电子能带结构的拓扑性质发生变化,在拓扑能带区间的两端各形成一个马约拉纳量子态,并通过栅压调控拓扑相变对马约拉纳量子态进行编织操作,以物理构筑拓扑量子比特;本发明基于拓扑半金属纳米结构的拓扑相变,构建马约拉纳量子态,保证马约拉纳量子态不会因波函数重叠而退相干,提高了拓扑量子比特器件的鲁棒性;马约拉纳量子态的编织操作只需纯电学调制,无需外加磁场,操作简单,有利于拓扑量子比特的集成和应用。

    一种透明平整片状基底表面的金纳米材料计数方法

    公开(公告)号:CN104007087B

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201410201048.9

    申请日:2014-05-13

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种透明平整片状基底表面的金纳米材料计数方法,其包括以下步骤:将样品测定时所用溶剂加至透明平整片状基底表面,然后置于暗场显微镜下观察,采集得到背景散射图像;将金纳米材料加至透明平整片状基底表面,然后置于暗场显微镜下观察,采集得到金纳米材料的特征散射图像;将含有不同浓度金纳米材料的待测样品分别加至透明平整片状基底表面,然后置于暗场显微镜下观察,采集得到若干待测样品的散射图像;对采集得到的背景散射图像、金纳米材料的特征散射图像和待测样品的散射图像依次进行图像分析,得到待测样品散射图像中金纳米材料的数量。本发明可以广泛应用于多种透明平整基底以及多种结构和尺寸的金纳米材料的计数中。

    用包被抗体的金纳米颗粒检测细菌数量的方法

    公开(公告)号:CN102565395B

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201210033025.2

    申请日:2012-02-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种用包被抗体的金纳米颗粒检测细菌数量的方法。本发明提供的方法,包括如下步骤:I、将包被待测细菌特异抗体的金纳米颗粒与所述样品反应,得到反应液;II、用暗场显微镜观察步骤I)得到的反应液,得到暗场散射图像,图像分析所述暗场散射图像,得到所述待测细菌数量。本发明的实验证明,本发明的方法由于采用抗体修饰的金纳米颗粒作为探针进行暗场散射成像,并采用自动化图像识别技术,因此灵敏度高,特异性强,检测速度快,适用于大肠杆菌的快速、灵敏检测。

    一种基于分子自旋态的超低功耗存储器件及数据存储方法

    公开(公告)号:CN109285577B

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN201811011787.6

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的超低功耗存储器件,该存储器件包括基体、数据存储介质和探针;所述基体为导电基体;所述数据存储介质为自旋态可变有机分子层,自旋态可变分子层中的分子规则排列在导电基体表面;所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据;所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态,所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态;所述自旋态可变有机分子为酞菁氯铁分子。本发明通过使用易于实现不同自旋态转变的酞菁氯铁分子作为存储介质,并且在低电压低电流条件下使用横向操纵技术即可容易地控制不同自旋态的转变,实现了器件的超低功耗。

    一种基于分子自旋态的超高密度存储器件及数据存储方法

    公开(公告)号:CN108766488B

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201810314077.4

    申请日:2018-04-10

    Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的超高密度存储器件及数据存储方法。该存储器件包括基体、数据存储介质和探针;所述基体为导电基体;所述数据存储介质为自旋态可变分子层,自旋态可变分子层规则排列在导电基体表面;所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据;所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态,所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态。本发明实现了信息的单分子写入,相邻分子可进行无干扰的自旋态调控,实现了信息的稳定存储,存储密度高达7*1013bit/cm2。

    一种基于分子自旋态的超低功耗存储器件及数据存储方法

    公开(公告)号:CN109285577A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201811011787.6

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的超低功耗存储器件,该存储器件包括基体、数据存储介质和探针;所述基体为导电基体;所述数据存储介质为自旋态可变有机分子层,自旋态可变分子层中的分子规则排列在导电基体表面;所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据;所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态,所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态;所述自旋态可变有机分子为酞菁氯铁分子。本发明通过使用易于实现不同自旋态转变的酞菁氯铁分子作为存储介质,并且在低电压低电流条件下使用横向操纵技术即可容易地控制不同自旋态的转变,实现了器件的超低功耗。

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