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公开(公告)号：CN116947026A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210387265.6
申请日：2022-04-14
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
IPC: C01B32/168 , C01B32/17 , C08G73/06
Abstract: 本发明公开了一种基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法。采用含有可降解基团的共轭聚合物分离制备高纯度半导体碳纳米管溶液，并基于此溶液采用微流道两相限域自组装法同时在两片衬底上制备高密度碳纳米管阵列，随后使用弱酸性溶剂将碳纳米管表面包裹的可降解聚合物分解为小分子，经过后续清洗、退火等工序，使其完全从碳纳米管表面去除，得到高半导体纯度、高密度和表面无聚合物包裹的本征碳纳米管阵列，为实现碳纳米管的极限性能奠定了材料基础，有利于碳纳米管电子技术的早日应用。
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公开(公告)号：CN110683508B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910992764.6
申请日：2019-10-18
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: B81B7/04 , B81C1/00 , C01B32/166
Abstract: 本申请公开了一种碳纳米管平行阵列的制备方法，该方法通过将第一衬底倒置在第二衬底上方，使得第一衬底的凸起结构朝向第二衬底的沉积平面设置，并在第一衬底与第二衬底之间引入碳纳米管溶液，以使碳纳米管溶液在凸起结构的顶部与第二衬底之间形成毛细桥，此时第一衬底的凸起结构对由碳纳米管溶液形成的毛细桥产生钉扎作用，使得碳纳米管溶液蒸发时在第一衬底和第二衬底上均沉积碳纳米管平行阵列，在碳纳米管溶液完全蒸发后，通过平行沉积平面移动第一衬底并重新引入碳纳米管溶液即可实现大面积制备碳纳米管平行阵列的目的，并且制备的碳纳米管平行阵列的覆盖面积可控，可以实现有效区域的完全覆盖。
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公开(公告)号：CN101692461A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910093547.X
申请日：2009-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/43 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/861 , H01L21/329 , C23C14/14
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体纳米材料的纳电子器件及其制备方法。采用低功函数的金属钇作为接触电极材料，通过微加工技术使金属钇直接与一维半导体纳米材料的导带形成欧姆接触，由此可得到高性能的电子型场效应晶体管和其他以半导体纳米材料为基的纳电子器件，包括二极管、生物及化学传感器件等。本发明大大降低了n型器件和电路的加工成本，提高了器件的性能，对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN100411866C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510011678.0
申请日：2005-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: B32B5/08
Abstract: 本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳米管的方法，包括步骤：(1)将基底清洗干净；(2)将过渡金属催化剂附着在基底表面；(3)将基底置于可抽真空的加热设备中作为电极之一，并与另一电极接触；(4)将加热设备抽真空后，缓慢通入还原气体与碳源气体的混合气；(5)当加热设备达到一定压强时，在两电极之间加电流，使基底温度达到1600℃至2400℃范围内某一值并保持30至120秒，然后切断电源；(6)继续通入还原气体，直到基底冷却。
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公开(公告)号：CN101136408A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710121804.7
申请日：2007-09-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子来实现的，n型场效应晶体管是通过控制低功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的导带交换电子来实现的。在此基础上，本发明提出了采用背栅和顶栅两种器件结构分别实现反相器、与非门、或非门以及全加器等基本逻辑单元和更为复杂的逻辑电路。本发明大大降低了CMOS电路制作的工艺复杂性和成本，提高了器件性能的均匀性，为规模集成纳米电路提供了全新的设计思路和有效的实施方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116947022A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210387364.4
申请日：2022-04-14
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种本征型半导体碳纳米管材料的制备方法。通过使用可降解共轭聚合物替代常用的分离聚合物，可实现半导体碳纳米管的分离提纯及表面聚合物的去除。本发明使用的聚合物在保证了半导体碳纳米管的分离产率和高纯度的基础上，在弱酸条件下即可快速降解，分解为小分子，从碳纳米管表面去除，使半导体碳纳米管表现其本征性能。因此，采用本发明的方法可制备得到具有其本征性能的半导体碳纳米管材料，且工艺简单，条件温和，稳定高效，可广泛应用于碳基电子领域。
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公开(公告)号：CN111490064B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202010282108.X
申请日：2020-04-11
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Inventor： 梁学磊
Abstract: 本发明公开了一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括基板、像素阵列区、信号控制电路，信号控制电路芯片为碳基CMOS芯片，可位于像素阵列区周边或者下层，与像素阵列区之间无引线贴合，并与像素阵列区一体化集成在所述基板1上；该显示面板边框的宽度可达到像素间距的量级或者为零。同时还提出该显示面板的制作方法，首先在基板上制备碳纳米材料薄膜，然后在碳纳米材料薄膜上制备p‑型晶体管和n‑型晶体管，连接构成碳纳米材料CMOS信号控制电路，接着在其表面生长绝缘层，最后在绝缘层上制备显示驱动TFT阵列电路、像素阵列，完成显示面板的制作。本发明提出的显示面板避免了通常显示面板生产中的信号控制芯片的贴合，还能实现像素间距级别的屏幕拼接。
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公开(公告)号：CN111489974B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010283598.5
申请日：2020-04-13
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Inventor： 梁学磊
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种集成电路局部缺陷修补工艺，所述工艺包括在集成电路的局部缺陷处用印刷碳基墨水的方式重建电路，其中所述重建电路中包含以碳纳米材料为沟道层的碳基晶体管。本发明提供的工艺采用印刷电子加工技术结合高性能碳基晶体管可低温加工的特点，对电路中的缺陷或者失效的元件进行修补和替代，可提高良率，降低成本，提高经济效益。
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公开(公告)号：CN109427974B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710725264.7
申请日：2017-08-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化，其中，形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动，对有源层具有空穴掺杂的效果，从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题，提升产品的性能。
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公开(公告)号：CN111538436A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010282090.3
申请日：2020-04-11
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Inventor： 梁学磊
Abstract: 本发明公开了一种基于碳基电路的交互显示器，包括显示基板和位于所述显示基板上的多个像素单元，在像素单元和显示基板之间设置有碳基电路。同时还提出该交互显示器的制作方法，首先在显示基板上制备碳纳米材料薄膜，然后以该碳纳米材料薄膜为沟道材料制成碳基电路，进而在制有碳基电路的显示基板上制备像素单元。本发明提出的基于碳基电路的交互显示器可实现像素分辨率级别的非接触式触控，还可以实现显示器主动对外界进行探测，主动反馈，进而控制显示效果，此外，还利用发射及反射回来的红外信号实现对用户的健康状况进行监测。
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