公开(公告)号：CN119907505A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411527367.9

申请日：2024-10-29

Applicant: 合肥维信诺科技有限公司

Inventor： 余宏志

IPC: H10K59/122 ,  H10K59/12 ,  H10K71/16 ,  H10K71/20

Abstract: 本申请公开一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置，该显示面板包括：基板；隔离结构，隔离结构位于基板上，并围合形成多个隔离开口，隔离结构包括沿远离基板的方向依次层叠设置的第一隔离部、第二隔离部、第三隔离部和第四隔离部，其中，至少部分第一隔离部在基板上的正投影位于第二隔离部在基板上的正投影之外，第三隔离部靠近第四隔离部的一侧在基板上的正投影位于第四隔离部在基板上的正投影之内；多个发光器件，发光器件位于对应的隔离开口内。本申请通过第四端部对发光功能层进行隔断，能够避免侧向漏电。

公开(公告)号：CN119836165A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202311333339.9

申请日：2023-10-13

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 张永峰 ,  焦志强 ,  袁广才

IPC: H10K59/35 ,  H10K59/122 ,  H10K59/131 ,  H10K59/12 ,  H10K71/10 ,  H10K71/20

Abstract: 本公开至少一实施例提供一种显示基板及其制备方法，该显示基板包括：衬底基板；阵列设置在衬底基板上的像素单元，其中，每个像素单元包括发射不同颜色光线的多个子像素，每个子像素包括发光元件和驱动对应的发光元件发光的像素驱动电路；设置在像素驱动电路的远离衬底基板的一侧的像素界定层；该像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应一个子像素，本公开的实施例通过分别三次沉积不同颜色的发光层和功能层，以及两次曝光刻蚀的图形化技术，实现了RGB全彩OLED像素化器件的制备，解决了将AMOLED蒸镀技术拓展至中大尺寸显示产品中时，显示分辨率无法进一步提升的问题，而且还提升了显示器件的分辨率和显示效果。

公开(公告)号：CN119823128A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411933740.0

申请日：2024-12-26

Applicant: 中国科学院大学

Inventor： 倪振杰 ,  李尚宇 ,  丑亚杰 ,  赵彤彤

IPC: C07D471/06 ,  C08G61/12 ,  H10K10/46 ,  H10K85/10 ,  H10K71/12 ,  H10K71/20 ,  H10K71/60

Abstract: 本发明属于有机光电材料制备技术领域，具体涉及一种含有并五稠环的N‑N双齿配体的制备，及其在制备聚合物光电材料中的应用。本发明提供的N‑N双齿配体具有较大的共轭面积和较多的修饰位点，当在这些修饰位点上引入给电子基团时，大共轭面积和给电子基团共同作用，有助于提高一价铜催化剂在直接芳基化聚合反应中的催化活性，进而成功制备聚合物光电材料。制备得到的聚合物光电材料可以用于有机光电器件的制备。本发明提供的N‑N双齿配体能够降低聚合物光电材料制备的成本，同时减少有毒的催化剂和中间体的使用，在有机光电材料制备技术领域具有重要应用价值。

公开(公告)号：CN119730590A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411250211.0

申请日：2024-09-06

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 申铉亿 ,  金根佑 ,  苏炳洙 ,  宋昇勇 ,  李周炫 ,  任星淳 ,  张根浩 ,  郑仁永

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/122 ,  H10K59/80 ,  H10K71/00 ,  H10K71/20 ,  H10K71/60 ,  G09F9/33

Abstract: 本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基底，具有发光区域和非发光区域；第一阳极电极，在所述基底的所述发光区域上；像素限定层，在所述基底的所述非发光区域上并且限定第一开口；有机分离层，在所述像素限定层上并且限定第二开口；第一发光层，在所述第一阳极电极上；公共电子层，在所述第一发光层和所述有机分离层上；以及公共电极，在所述公共电子层上，其中，所述有机分离层在平面图中不与所述发光区域重叠，并且所述有机分离层在平面图中与所述非发光区域重叠以与所述像素限定层、所述第一发光层和所述公共电子层接触。

公开(公告)号：CN119141006B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411612310.9

申请日：2024-11-13

Applicant: 能丰(杭州)光电科技有限公司

Inventor： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC: B23K26/362 ,  H10K71/00 ,  H10K71/20 ,  H10K30/50 ,  B23K26/073 ,  B23K26/042 ,  B23K26/064

Abstract: 本发明公开了一种用于OPV有机光伏电池的激光加工方法及装置，添加匀化器装置，将高斯光通过光学衍射镜片对激光束进行匀化并达到指定形状，激光匀化器指的是可以将单模激光或多模激光转化为一个特定形状的均匀光斑，其光斑能量的分布具有高度的均匀性使高斯光转换为指定形状的平顶光；对需要刻蚀层进行划线刻蚀，还可以通过可拆卸连接装置快速替换不同的匀化器，从而得到不同大小的匀化激光光斑。

公开(公告)号：CN119521954A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411527458.2

申请日：2024-10-29

Applicant: 安徽熙泰智能科技有限公司

Inventor： 吕迅 ,  刘胜芳 ,  刘晓佳 ,  李雪原 ,  祖伟 ,  尹立平

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/122 ,  H10K71/20 ,  H10K71/00 ,  H10K71/60 ,  H10K59/121 ,  H10K59/35

Abstract: 本发明提出了一种硅基OLED器件及其制备方法，所述制备方法包括步骤：提供底座；在所述底座上制备驱动电路和图形化的阳极；沉积像素定义层；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述像素定义层，形成底切结构；在所述底切结构一侧依次形成第一像素层、阴极和封装层；通过刻蚀依次去除所述底切结构一侧的第二区域和第三区域位置的封装层、阴极和第一像素层；在所述底切结构一侧的第二区域和第三区域位置依次形成第二像素层、阴极和封装层；通过刻蚀依次去除所述底切结构一侧的第三区域位置的封装层、阴极和第二像素层；在所述底切结构一侧的第三区域位置依次形成第三像素层、阴极和封装层。本发明制备RGB直接发光Micro OLED的方法工艺简单、可靠性高、性能好、阳极损伤小。

公开(公告)号：CN119486555A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411606169.1

申请日：2024-11-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 谭海仁 ,  朱禾生 ,  林仁兴 ,  刘润楠 ,  刘锦活

IPC: H10K71/20 ,  H10K30/57 ,  H10K39/18 ,  H10K30/88 ,  H10K30/80 ,  H10K71/60

Abstract: 本发明公开了一种三结全钙钛矿叠层太阳能电池组件，包括基底层和三个串联的电池单元。本发明先通过划刻第四间隔槽PX将第二空穴传输层及以下的功能层刻蚀构建了三结全钙钛矿叠层太阳能电池的四重图案化结构，解决了电池短路及分流的现象，之后通过钝化溶液、宽禁带半导体或绝缘层与受损处的钙钛矿反应形成二维结构，即修复型TypeⅠ型异质结钝化层结构，减少了载流子的非辐射复合，进一步提升电池光电转换性能。

公开(公告)号：CN113346033B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202110630836.X

申请日：2021-06-07

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

Inventor： 石博 ,  黄炜赟

IPC: H10K50/82 ,  H10K50/842 ,  H10K50/86 ,  H10K71/20

Abstract: 本发明公开了一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法，以改善现有技术的刚性有机发光显示产品，会存在色散，斜视角会产生彩虹纹的问题。所述显示面板，包括：相对设置的衬底基板与封装盖板，以及密封于所述衬底基板与所述封装盖板之间的发光器件；所述发光器件包括发光层以及位于所述发光层面向所述封装盖板一侧的反射电极层，所述反射电极层与所述封装盖板之间具有填充有第一气体的空隙，所述第一气体的折射率与所述封装盖板的折射率的差值大于第一值；所述显示面板还包括：设置于光传播路径上且图案化的功能层，其中，所述光传播路径为外界环境光经所述封装盖板入射到所述反射电极层的路径。

公开(公告)号：CN119263199A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411236656.3

申请日：2024-09-04

Applicant: 北京量子信息科学研究院

Inventor： 赵振璇 ,  高志廷 ,  张建刚 ,  张丽萍 ,  王爽

IPC: B81C1/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K71/20 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明公开了一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法，包括以下步骤：1)衬底/基底清洗；2)沉积钙钛矿薄膜；3)钙钛矿薄膜的反应离子束刻蚀。本发明首次提出利用反应离子束工艺刻蚀钙钛矿，为钙钛矿阵列图案化方案提出了新的工艺策略；而且本发明干法刻蚀钙钛矿工艺规避了钙钛矿遇溶剂腐蚀的情况，且不受钙钛矿种类制约，适用于全部种类的钙钛矿薄膜材料；相对于以往提出的模板法制作钙钛矿图形化工艺更加简单，其次反应离子束刻蚀设备构造简单，设备廉价，兼容于所有MEMS规模制造工厂，很大程度上降低了制造成本；适用于任何基底或衬底材料，扩宽了制造各类功能材料的兼容性。

公开(公告)号：CN119173119A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411329968.9

申请日：2024-09-24

Applicant: 湖畔光芯半导体(江苏)有限公司

Inventor： 李培丞 ,  吴远武 ,  吴迪 ,  李阳

IPC: H10K71/20 ,  H10K71/60 ,  H10K71/00 ,  H10K71/10 ,  H10K59/12 ,  H10K59/35

Abstract: 本发明提供了一种Real RGB OLEDoS的制备方法，属于半导体技术领域。本发明通过对第一介电材料层材料、导体材料层材料和第二介电材料层材料分别进行第一底部内切、第二底部内切和第三底部内切以及对非第一子像素区的第一子像素区OLED功能材料层(500)、阴极层(600)和薄膜封装层(700)进行第一刻蚀、对非第二子像素区的第一子像素区OLED功能材料层(800)、阴极层(600)和薄膜封装层(700)进行第二刻蚀、对非第三子像素区的第一子像素区OLED功能材料层(900)、阴极层(600)和薄膜封装层(700)进行第三刻蚀，露出不同子像素区的阳极结构(110)，实现阳极保护，提高质量和成品率。