-
公开(公告)号：CN109244031B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201810827277.X
申请日：2018-07-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/687 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种单面区域腐蚀的夹具和腐蚀方法。该夹具包括：夹具上部，其上端开口，底部设有通孔；载片，位于所述夹具上部的下方；O型圈组，位于所述夹具上部和所述载片之间，且位于所述通孔下方；所述O型圈组包括外部O型圈和内部O型圈，所述外部O型圈用于阻止外部水浴溶液进入，所述内部O型圈用于在其内部放置被腐蚀芯片并阻止腐蚀液腐蚀流出；夹紧装置，用于使所述夹具上部和所述载片夹紧。进一步还可包括压力平衡环、磁转子、表面保护膜等。本发明实现了腐蚀面向上的单面腐蚀，利于腐蚀气体排出，能够对芯片的单面的部分区域进行可靠腐蚀，保护其他区域不受影响，并能够在腐蚀穿通条件下稳定可靠。
-
公开(公告)号：CN109244031A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810827277.X
申请日：2018-07-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/687 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种单面区域腐蚀的夹具和腐蚀方法。该夹具包括：夹具上部，其上端开口，底部设有通孔；载片，位于所述夹具上部的下方；O型圈组，位于所述夹具上部和所述载片之间，且位于所述通孔下方；所述O型圈组包括外部O型圈和内部O型圈，所述外部O型圈用于阻止外部水浴溶液进入，所述内部O型圈用于在其内部放置被腐蚀芯片并阻止腐蚀液腐蚀流出；夹紧装置，用于使所述夹具上部和所述载片夹紧。进一步还可包括压力平衡环、磁转子、表面保护膜等。本发明实现了腐蚀面向上的单面腐蚀，利于腐蚀气体排出，能够对芯片的单面的部分区域进行可靠腐蚀，保护其他区域不受影响，并能够在腐蚀穿通条件下稳定可靠。
-
公开(公告)号：CN101811662B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010124688.6
申请日：2010-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种小尺度光学微腔制备方法，属于光学微腔制备领域。本发明的方法为：1)采用微纳米结构制备方法获得所选材料的纳米线或纳米棒；2)选取所需的纳米线或纳米棒并确定切割线的宽度和位置；3)根据2)所确定的切割线宽度和位置，利用微纳米加工方法对选定的纳米线或纳米棒进行切割，得到所需的光学微腔。与现有技术相比，本发明可以获得腔尺寸更小且腔尺寸精确可控的光学微腔，而且方法流程实现简单有效。
-
公开(公告)号：CN101261916B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810103521.4
申请日：2008-04-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种单根碳纳米管电子场发射阴极及其制备方法，属于碳纳米管应用领域。用做电子场发射阴极的碳纳米管有一锥状端部，锥状端部为闭口的单壁或双壁管结构，所述锥状结构以下为多壁管结构。该碳纳米管的制备方法是用一金属丝获取多壁碳纳米管；用一金属针尖接触金属丝上的一根多壁碳纳米管；金属丝与金属针尖之间加匀速递增的电压，使单根碳纳米管在电流作用下变细至断裂，得到带有锥状端部的碳纳米管。这种碳纳米管在发射性能上兼具单壁管和多壁管的优点，发射稳定，开启电压低，能承受较大的电流，且获取也相对容易。此外，其锥状尖端曲率半径还可以可控增大，其相应的最大可承受电流也因此不断提高。
-
公开(公告)号：CN101183033B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710178951.8
申请日：2007-12-07
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/10
Abstract: 本发明提供了一种精确测量微小力和精确测量微悬臂的力常数的方法，属于纳米度量领域。该方法将一根纳米材料的两端固定在两个支点上，给纳米材料施加一个轴向的微小拉力T；在纳米材料的侧面，位于该纳米材料的中部放置一个电极，在电极上施加一个交变的电压激励纳米材料使其发生共振，测得纳米材料的固有频率f；根据纳米材料的材料特性和几何特征以及纳米材料的边界条件，由振动方程计算出该纳米材料的固有频率与所受的轴向拉力的关系，即纳米材料的f-T曲线；根据上述测得的固有频率f，得到微小拉力T的大小。进一步用该方法来测量微悬臂偏转时的微小偏转力，结合偏转位移的测量，测得微悬臂的力常数。本发明可用于开发精确测量皮牛顿甚至飞牛顿量级微小力的仪器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100413010C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200410009510.1
申请日：2004-09-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米碳管的场发射阴极及其制备方法，所述纳米碳管以平躺的方式排布于所述场发射阴极极板上。制备包括：将所述纳米碳管放在酒精或其他溶剂中，搅拌分散，制成溶液；将得到的溶液直接滴到所述阴极极板上；将所述滴有纳米碳管溶液的阴极极板自然晾干即可。本发明的场发射阴极极板上的纳米碳管平躺以后，其加工工艺将大大简化，成本也大大降低了。本发明的场发射阴极避免了直立排布碳管的困难，大大降低了生产成本并提高了性能。
-
公开(公告)号：CN101183033A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710178951.8
申请日：2007-12-07
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/10
Abstract: 本发明提供了一种精确测量微小力和精确测量微悬臂的力常数的方法，属于纳米度量领域。该方法将一根纳米材料的两端固定在两个支点上，给纳米材料施加一个轴向的微小拉力T；在纳米材料的侧面，位于该纳米材料的中部放置一个电极，在电极上施加一个交变的电压激励纳米材料使其发生共振，测得纳米材料的固有频率f；根据纳米材料的材料特性和几何特征以及纳米材料的边界条件，由振动方程计算出该纳米材料的固有频率与所受的轴向拉力的关系，即纳米材料的f－T曲线；根据上述测得的固有频率f，得到微小拉力T的大小。进一步用该方法来测量微悬臂偏转时的微小偏转力，结合偏转位移的测量，测得微悬臂的力常数。本发明可用于开发精确测量皮牛顿甚至飞牛顿量级微小力的仪器。
-
公开(公告)号：CN100388410C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN02157972.5
申请日：2002-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件的方法，本发明的方法包括以下步骤：1)用化学气相沉积方法制备碳纳米管，在其生长过程中填充过量的金属或非金属引入势垒，得到有调制结构的复合一维碳纳米管；2)用微电子光刻技术制备电极；3)将上述有调制结构的碳纳米管和电极进行组装和纳米加工，得到单电子器件。用本发明的方法制备单电子器件，通过调节势垒的间距，可以使单电子器件的工作温度达到室温或更高温，具有重要的理论及实际意义。
-
公开(公告)号：CN1744254A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410009510.1
申请日：2004-09-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米碳管的场发射阴极及其制备方法，所述纳米碳管以平躺的方式排布于所述场发射阴极极板上。制备包括：将所述纳米碳管放在酒精或其他溶剂中，搅拌分散，制成溶液；将得到的溶液直接滴到所述阴极极板上；将所述滴有纳米碳管溶液的阴极极板自然晾干即可。本发明的场发射阴极极板上的纳米碳管平躺以后，其加工工艺将大大简化，成本也大大降低了。本发明的场发射阴极避免了直立排布碳管的困难，大大降低了生产成本并提高了性能。
-
公开(公告)号：CN1209283C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03136943.X
申请日：2003-05-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种碳基纳米管的新结构及其制备方法和应用。碳基纳米管，在纳米管内部填充有金属或金属氧化物颗粒，所述颗粒使得所述碳基纳米管的外壁构成多个几何突起。碳基纳米管的制备方法，是在制造纳米管的过程中，通过可控间断地引入参与裂解反应的气体或液体，实现在一根纳米管中填充多个金属或金属氧化物颗粒的目的，并控制颗粒以及纳米管外壁突起的排列，产物为纳米管阵列薄膜或粉末状材料。这种特殊结构的纳米管，通过在纳米管内部填充金属或金属氧化物颗粒并引入局部变形，成倍地增加了材料的场发射效率，降低开启电场并提高发射电流密度，场致电子发射所需的开启电场和场增强因子明显优于通常的直壁碳管，可以用作场发射阴极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
57
records
(took 0.03 seconds)
