公开(公告)号：CN119562563A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411635421.1

申请日：2024-11-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 周新田 ,  娄栗浩 ,  张仕达 ,  唐蕴 ,  贾云鹏 ,  胡冬青 ,  吴郁 ,  赵元富

IPC: H10D30/66 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明提供一种集成SBD的SiC沟槽型JFET。从下至上依次是漏极金属、N+衬底区、N‑漂移区、JFET沟道区、N+源区；JFET沟道区位于N‑漂移区上表面；P+区位于N‑漂移区的上表面；N+源区位于N沟道区、左侧P+区、右侧P+区的上表面；栅极金属层位于左侧P+区的上表面；源极金属层分为两部分，顶部源极金属层位于N+源区的上表面，右侧源极金属层位于右侧P+区的外表面及SBD通流区的上表面。本发明相电极耦合面积减小，栅漏电容及栅漏电荷减小，开关速度更快，开关损耗更低；当器件工作在第三象限时，本发明引入了肖特基势垒二极管，开启电压大大降低，大大降低了导通损耗，并且SBD导通是单极导电，避免了双极退化效应，具有优秀的反向恢复特性。

公开(公告)号：CN117558759A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311584637.5

申请日：2023-11-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 周新田 ,  娄栗浩 ,  唐蕴 ,  贾云鹏 ,  胡冬青 ,  吴郁 ,  赵元富

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种间隔栅SiC MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属、N+衬底区、N‑漂移区、电流扩展层CSL；电流扩展层CSL位于N‑漂移区的上表面；P‑base区位于所述电流扩展层CSL的上表面；P‑plus区，N‑sourse区位于所述P‑base区的上表面，并相互并排；多晶硅真栅氧位于部分N‑source区、P‑base区、电流扩展层的上表面；多晶硅假栅氧位于部分P‑base区、电流扩展层的上表面；多晶硅真栅位于多晶硅真栅氧的上表面，多晶硅假栅位于多晶硅假栅氧的上表面；隔离氧位于多晶硅真栅的上表面。本发明使器件功耗大大降低，有效抑制双极性退化问题，还具有优良的栅电容特性、反向恢复特性。