公开(公告)号：CN110808281A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201911084034.2

申请日：2019-11-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  李毓佛 ,  陈永锋 ,  王佳蕊 ,  安博星 ,  马洋 ,  严辉

IPC: H01L29/225 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 一种单层MoS2-WS2横向异质结的制备方法，属于纳米材料生长领域。对选择的前驱体源进行电化学氧化处理，实现对应钼、钨两种金属的前驱体源在不同温度挥发，通过化学气相沉积法一步制备微米级清晰界面的横向异质结。本发明生长横向异质结的方法是，在可精确控温的管式炉中，使用惰性气体作为反应源(钼源、钨源和硫源)的输运气体，控制发生不同的化学气相沉积反应形成横向异质结。本发明制备的单层MoS2-WS2横向异质结，具有微米级清晰的异质结分界线，横向尺寸可达到一百微米以上。该方法生长过程可控性高，能够有效的扩宽生长温度窗口，降低生长温度，实现尺寸、界面可控生长。

公开(公告)号：CN111041450A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN202010007011.8

申请日：2020-01-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  王佳蕊 ,  马洋 ,  安博星 ,  李毓佛 ,  严辉

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明公开一种碱辅助化学气相沉积生长大面积单层二硫化钨的制备方法，属于纳米材料领域。本方法采用在化学气相沉积法生长过程中，通过碱作为促进剂，辅助生长单层二硫化钨。其中氧化钨源与碱的质量比为8:1-2:1。本发明利用碱辅助生长二硫化钨，可以有效地降低生长温度，在常压下，实现快速生长和制备大面积单层二硫化钨样品，且制备的二硫化钨具有高的光致发光强度。该实验方法工艺简单，重复性好，对环境友好，且原料成本低，适合大规模生产。

公开(公告)号：CN107818921A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710985285.2

申请日：2017-10-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  陈永锋 ,  严辉 ,  刘北云 ,  邓文杰 ,  游聪娅 ,  李景峰 ,  杨炎翰 ,  申高亮 ,  王光耀 ,  庞玮 ,  安博星

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24

Abstract: 一种基于二维平面异质结增强型场效应管的制备方法，涉及微电子器件应用领域。采用湿法转移，将石墨烯膜转移至带有氧化层的单晶硅片衬底上；在石墨烯膜上进行均匀旋涂光刻胶，将图案通过曝光转移至光刻胶上；将石墨烯膜刻蚀成石墨烯条，去光刻胶处理；将这种带有石墨烯条的衬底作为生长的基底，以CVD法进行生长MX2类单层或者少层材料，形成石墨烯-MX2-石墨烯面内异质结；在石墨烯-MX2-石墨烯异质结上蒸镀沉积Ti/Au金属，制得二维平面异质结增强型场效应管。本发明结合高载流子迁移率的半金属材料石墨烯与带隙随层数变化可调的MX2二维材料，获得高开关比的场效应管并且用于光电探测时具有暗电流很小等优良特性。