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公开(公告)号:CN119028965B
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202411519127.4
申请日:2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构,其中,半导体封装结构包括:封装壳,包括基板;第一芯片模块,与基板连接,第一芯片模块包括多个第一半导体芯片,多个所述第一半导体芯片并联连接;第二芯片模块,与基板连接,第二芯片模块与第一芯片模块串联连接;第一功率端子,与第一芯片模块导电连接;第二功率端子,与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
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公开(公告)号:CN119028965A
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202411519127.4
申请日:2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构,其中,半导体封装结构包括:封装壳,包括基板;第一芯片模块,与基板连接,第一芯片模块包括多个第一半导体芯片,多个所述第一半导体芯片并联连接;第二芯片模块,与基板连接,第二芯片模块与第一芯片模块串联连接;第一功率端子,与第一芯片模块导电连接;第二功率端子,与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
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