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公开(公告)号：CN119643950B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510164418.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，提供一种磁通门电流传感芯片及制造方法、应用方法。所述磁通门电流传感芯片包括：第一敏感单元、第二敏感单元以及第一敏感单元与第二敏感单元之间的导体通道，每个敏感单元包括磁芯和线圈，线圈包括激励线圈和感应线圈，激励线圈和感应线圈缠绕在磁芯上，感应线圈缠绕的磁芯的轴作为敏感单元的敏感轴；第一敏感单元和第二敏感单元通过感应导体通道的上表面附近的磁场和下表面附近的磁场，实现对待测电流的检测。本发明采用两个敏感单元及之间的导体通道构成差分检测结构，无需使用聚磁环结构，实现电流传感器的芯片化，检测精度高，抗干扰能力强，可实现开环闭环电流检测，能够满足多种应用场景的电流检测需求。
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公开(公告)号：CN118483628B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410946867.X
申请日：2024-07-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R33/00 , G01R33/028
Abstract: 本公开涉及磁传感技术领域，具体涉及一种磁敏元件及其制备方法、磁敏传感器、电子器件、芯片和电子设备。该磁敏元件包括：基底、有源区、激励电极和磁偏转电流检测电极；该基底位于最底层；该有源区形成于该基底上；该有源区为梳状结构，该梳状结构包括梳脊和多个梳齿，该多个梳齿从该梳脊的一侧或多侧伸出；该激励电极设置于该梳脊上或该梳脊外围，与该梳脊形成电接触，通过导线与外部电源相连，用于为该磁敏元件施加激励电流；该磁偏转电流检测电极设置于该梳齿两侧，用于检测该激励电流因磁场作用而发生偏转后所产生的电流变化。磁敏传感器包括该磁敏元件，利用该激励电流所产生的电流变化测量磁场，由此提高了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN119959597A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411635777.5
申请日：2024-11-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网甘肃省电力公司 , 国网北京市电力公司
Inventor： 王浩 , 王文卓 , 杨菁菁 , 朱月 , 孙恒超 , 方东明 , 王蔓蓉 , 姜帅 , 李佩笑 , 刘紫威 , 陶毅 , 周娴姊 , 李岩 , 牛长胜 , 闻志国 , 臧志成 , 杜君 , 李腾浩
Abstract: 本公开涉及电流监测领域，具体涉及一种基于磁敏传感芯片的无源取能电流传感器，其特征在于，所述无源取能电流传感器包括：磁芯、取能线圈、磁敏传感芯片、无线通信模块、DC/DC模块、整流模块，所述磁芯具有开有气隙孔的环状结构，所述气隙孔沿所述环状结构的径向贯穿所述环状结构，所述气隙孔沿所述环状结构的轴向方向不贯穿所述环状结构，所述取能线圈缠绕在所述磁芯上，在对待测量导线进行测量时，所述待测量导线从所述环状结构的环心穿过，所述磁敏传感芯片设置在所述磁芯的气隙孔中，本公开实施例结构简单可靠，便于制造和维护，使用单磁芯可实现无源取能和电流测量的双重功效，便于实现低成本和小型化的电流监测设备。
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公开(公告)号：CN117420484A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311302725.1
申请日：2023-10-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种采用频率输出的霍尔传感器，属于传感器技术领域。所述霍尔传感器包括：补偿电路，用于提供与外加磁场无关的参考电压；所述参考电压随温度的变化规律和测量电路相同；测量电路，用于根据外加磁场产生霍尔电压；还用于测量激励源的频率，并根据激励源的频率确定外加磁场的大小；减法器，用于计算参考电压和霍尔电压的电压差值，并将所述电压差值反馈给激励源；测量电路激励源，用于为测量电路提供驱动电流；以及用于根据所述电压差值进行负反馈，使得所述霍尔电压的取值始终和所述参考电压相等。本发明利用霍尔电压对激励电源的频率响应特性，将霍尔电压转变为频率信号，通过对频率信号的测量来得到磁场的强度值。
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公开(公告)号：CN119643950A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510164418.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，提供一种磁通门电流传感芯片及制造方法、应用方法。所述磁通门电流传感芯片包括：第一敏感单元、第二敏感单元以及第一敏感单元与第二敏感单元之间的导体通道，每个敏感单元包括磁芯和线圈，线圈包括激励线圈和感应线圈，激励线圈和感应线圈缠绕在磁芯上，感应线圈缠绕的磁芯的轴作为敏感单元的敏感轴；第一敏感单元和第二敏感单元通过感应导体通道的上表面附近的磁场和下表面附近的磁场，实现对待测电流的检测。本发明采用两个敏感单元及之间的导体通道构成差分检测结构，无需使用聚磁环结构，实现电流传感器的芯片化，检测精度高，抗干扰能力强，可实现开环闭环电流检测，能够满足多种应用场景的电流检测需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118651819A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410784831.6
申请日：2024-06-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS超声传感器件、制备方法及传感设备，属于MEMS传感芯片技术领域。MEMS超声传感器件包括：基底，形成有第一腔和暴露第一腔的第一开口；压电振动层，设于基底上，且覆盖第一开口；钝化层，设于基底上，且环绕压电振动层布置；谐振结构，设于钝化层远离基底的一侧，谐振结构形成有第二腔、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口位于第二腔相对的两侧，第二开口朝向钝化层布置，且暴露压电振动层，第二腔和第三开口共同作用下的谐振频率等于压电振动层的谐振频率。超声传感芯片接收的声信号或发射的声信号在谐振腔内形成共振，增大超声传感芯片处的声压/往外发射的声压，增大了超声传感芯片的发射、接收灵敏度。
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公开(公告)号：CN118483628A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410946867.X
申请日：2024-07-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R33/00 , G01R33/028
Abstract: 本公开涉及磁传感技术领域，具体涉及一种磁敏元件及其制备方法、磁敏传感器、电子器件、芯片和电子设备。该磁敏元件包括：基底、有源区、激励电极和磁偏转电流检测电极；该基底位于最底层；该有源区形成于该基底上；该有源区为梳状结构，该梳状结构包括梳脊和多个梳齿，该多个梳齿从该梳脊的一侧或多侧伸出；该激励电极设置于该梳脊上或该梳脊外围，与该梳脊形成电接触，通过导线与外部电源相连，用于为该磁敏元件施加激励电流；该磁偏转电流检测电极设置于该梳齿两侧，用于检测该激励电流因磁场作用而发生偏转后所产生的电流变化。磁敏传感器包括该磁敏元件，利用该激励电流所产生的电流变化测量磁场，由此提高了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN117098447B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311364146.X
申请日：2023-10-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种垂直霍尔传感器及制造方法、芯片。所述垂直霍尔传感器包括：硅衬底、垂直嵌入硅衬底内的电源激励电极以及形成于硅衬底表面的霍尔电压检测电极，电源激励电极包括至少一个外围电源激励电极以及至少一个中间电源激励电极，霍尔电压检测电极位于外围电源激励电极与中间电源激励电极之间。其中，电源激励电极是通过在硅衬底中刻蚀形成深沟槽，在深沟槽内填充重掺杂的多晶硅和金属形成的。本发明采用沟槽电极结构的电源激励电极，避免了离子注入工艺形成掺杂区不均匀的问题，有效提高垂直霍尔传感器的灵敏度，减小零偏。
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公开(公告)号：CN116930842A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310857019.7
申请日：2023-07-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种霍尔芯片校准结构、方法、系统、装置及霍尔芯片，属于芯片技术领域。所述霍尔芯片校准结构包括：至少一个校验霍尔盘，所述校验霍尔盘的外形与待校准霍尔芯片中用于功能实现的霍尔盘的外形相同；所述校验霍尔盘设置有输入端和输出端，所述校验霍尔盘的输入端与外部激励的输出端连接，所述校验霍尔盘的输出端用于输出霍尔电压。相对于现有技术中采用电路或是模组进行校准，大大减少了校准误差，提高了校准结果的准确度。
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公开(公告)号：CN119269869A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411325722.4
申请日：2024-09-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及电力系统电流测量技术领域，具体涉及一种高精度电流传感器及其设计方法和装置、电路结构及芯片，在所述高精度电流传感器中，通过在原有TMR惠斯通电桥的基础上添加了一个精密电阻惠斯通电桥，采用了4个阻值相同的精密电阻，使得4个精密电阻分别并联在原有TMR惠斯通电桥中4个TMR单元的两端，且精密电阻的阻值小于TMR单元的阻值。本公开削弱了由于TMR单元的阻值的不匹配造成的零偏，同时也衰减了由于温度造成的温偏，且由于精密电阻的阻值不受磁场的影响，故由于TMR元件的磁滞带来的影响也被大大减小了，从而实现了有效减小了零偏、温漂与磁滞的高精度电流传感器。
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