MOS电容与MOM电容并联的版图结构

    公开(公告)号:CN108257952A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201810040057.2

    申请日:2018-01-16

    Abstract: 本发明公开了一种MOS电容与MOM电容并联的版图结构。MOS电容层与MOM电容层相叠加,MOS电容的栅极与MOM电容的第一极板通过多个过孔相连,MOS电容的源极和漏极以及衬底通过多个过孔与MOM电容的第二极板相连,所述第一极板与所述第二极板极性相反。本发明提供的MOS电容与MOM电容并联的版图结构,在原有去耦电容的版图基础上利用同层金属构成的电容,以及多层金属堆叠的结构并联于去耦电容,从而可以在较小的面积下获得更大的电容值,更适应集成电路超深亚微米工艺。

    版图生成方法、装置和电子设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119623396A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202411581455.7

    申请日:2024-11-07

    Abstract: 本发明实施例提供一种版图生成方法、装置和电子设备,属于芯片技术领域。版图生成方法包括:获取芯片中待添加MIM电容的目标版图区域;根据所述目标版图区域中目标功能区域的类型,确定目标MIM电容添加方式;基于所述目标MIM电容添加方式对所述目标版图区域添加MIM电容,以生成新版图。本发明实施例通过设置不同的版图区域对应不同的MIM电容添加方式,使得MIM电容在整个芯片的面积取得最大化,提高芯片的MIM电容利用率,大大减小Finfet工艺中的芯片动态IR‑Drop,解决现有的Finfet工艺中动态IR‑Drop仍然较大,减小动态IR‑Drop的效果不理想的缺陷。

    SOC芯片单元混合布局方法和系统

    公开(公告)号:CN114925650B

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210863596.2

    申请日:2022-07-22

    Abstract: 本发明提供一种SOC芯片单元混合布局方法和系统,属于集成电路版图设计领域。所述方法包括:获取前端网表,根据所述前端网表形成初始布局规划;确定需要混合布局的模块单元;根据所述初始布局规划和需要混合布局的模块单元确定用于限制需要混合布局的模块单元的放置位置的限制框;将需要混合布局的模块单元混合放置在所述限制框内。使用上述方法在布局过程中将同层级的SOC芯片单元混合布局,使得SOC芯片单元的运算时间、功耗以及电磁辐射等物理信息不具有规律性,攻击者无法通过分析物理信息来猜测安全芯片的密钥信息,提升安全芯片防功耗攻击的能力。

    电源连接的检查方法与检查系统
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119511153A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411438991.1

    申请日:2024-10-15

    Abstract: 本发明涉及版图设计技术领域,公开一种电源连接的检查方法与检查系统,所述方法包括:从芯片版图中提取PG网表,其中芯片版图包括时钟网络上的多个驱动单元,多个驱动单元分别分布在多个电压域中,每个电压域被设置有独立的供电网络,以及PG网表包括电压域与供电网络之间的对应关系;根据电压域与供电网络之间的参考对应关系,对PG网表进行检查;以及在PG网表与参考对应关系不匹配的情况下,提供错误提示信息,错误提示信息包括不匹配单元所在的当前电压域和参考电压域。本发明采用单独的电压域对相应的驱动单元进行供电以隔离彼此噪声的影响,并针对多个电压域内的电源连接进行定位检查,以能快速查找连接相关的错误并准确定位错误所在之处。

    SOC芯片单元混合布局方法和系统

    公开(公告)号:CN114925650A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210863596.2

    申请日:2022-07-22

    Abstract: 本发明提供一种SOC芯片单元混合布局方法和系统,属于集成电路版图设计领域。所述方法包括:获取前端网表,根据所述前端网表形成初始布局规划;确定需要混合布局的模块单元;根据所述初始布局规划和需要混合布局的模块单元确定用于限制需要混合布局的模块单元的放置位置的限制框;将需要混合布局的模块单元混合放置在所述限制框内。使用上述方法在布局过程中将同层级的SOC芯片单元混合布局,使得SOC芯片单元的运算时间、功耗以及电磁辐射等物理信息不具有规律性,攻击者无法通过分析物理信息来猜测安全芯片的密钥信息,提升安全芯片防功耗攻击的能力。

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