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公开(公告)号：CN112234805B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202011025266.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，包括驱动芯片和碳化硅MOS管，所述驱动芯片内部集成驱动电路，所述驱动芯片还集成用于控制所述碳化硅MOS管的源极电压的硅MOS管；所述驱动芯片通过控制所述硅MOS管的导通和关断来实现所述碳化硅MOS管的导通和关断。本发明在SiC MOS的源极串联一个硅MOS管，通过控制硅MOS管的导通和关断即可控制SiC MOS的导通和关断，电路结构简单，避免复杂电路结构对其它器件的影响。通过在SiC MOS的栅极加一个固定的钳位电压，在硅MOS管关断时实现栅极与源极的负压差，采用钳位源级驱动结构实现稳定的负压输出，保证SiC MOS导通和关断的稳定性，提高了系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN112234805A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011025266.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，包括驱动芯片和碳化硅MOS管，所述驱动芯片内部集成驱动电路，所述驱动芯片还集成用于控制所述碳化硅MOS管的源极电压的硅MOS管；所述驱动芯片通过控制所述硅MOS管的导通和关断来实现所述碳化硅MOS管的导通和关断。本发明在SiC MOS的源极串联一个硅MOS管，通过控制硅MOS管的导通和关断即可控制SiC MOS的导通和关断，电路结构简单，避免复杂电路结构对其它器件的影响。通过在SiC MOS的栅极加一个固定的钳位电压，在硅MOS管关断时实现栅极与源极的负压差，采用钳位源级驱动结构实现稳定的负压输出，保证SiC MOS导通和关断的稳定性，提高了系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN119008694A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411007660.2
申请日：2024-07-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L23/31 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种宽禁带MOSFET器件及制造方法。所述宽禁带MOSFET器件包括：碳化硅衬底、碳化硅漂移区、沟道区、源区、栅极结构、漏极以及第一保护层，碳化硅漂移区形成于碳化硅衬底的表面，沟道区及源区形成于碳化硅漂移区的表面；第一保护层包括两个倾斜结构，两个倾斜结构分别位于碳化硅漂移区的两侧；所述倾斜结构包括倾斜部和水平部，倾斜部与源区和碳化硅漂移区的侧壁相接，水平部延伸至碳化硅漂移区的底部，倾斜部相较于水平部的倾斜角度为钝角。本发明的第一保护区为斜角形态，保护区的边界更平缓、圆滑，更容易实现碳化硅漂移区内的横向耗尽，不容易被击穿，可提高器件的耐压性能。
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公开(公告)号：CN118248739A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410669075.2
申请日：2024-05-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极，以及位于漂移区一侧的浮空场板结构；浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板，级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连，第一级多晶硅场板与栅极相连，最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构，通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来，从而调制漂移区表面及内部的电场，使漂移区的电场峰值得到有效降低，击穿电压得到提高，同时衬底辅助耗尽效应得以减弱，漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展，降低了横向半导体器件的制造难度。
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公开(公告)号：CN119705129A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411859336.3
申请日：2024-12-17
Applicant: 威胜信息技术股份有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种充电桩有序充电转接头，所述充电桩有序充电转接头包括：充电插座、充电插头以及置于所述充电插座与所述充电插头形成的容置腔内的功能模块；所述功能模块包括有序控制模块、有序电源模块和继电器模块；所述有序控制模块分别与有序电源模块和继电器模块电性连接，所述有序电源模块与继电器模块电性连接。本发明解决了现有充电桩无法实现有序充电及调控的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117706312A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311436497.7
申请日：2023-10-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种功率模块的循环试验装置及系统，属于半导体功率模块检测领域，该装置包括：控制装置，用于基于用户的触发指令生成升/降温控制信号；至少一个循环试验模块，每一循环试验模块包括：温度传感器，用于检测功率模块的温度，并输出模块温度信号；温控器，用于根据模块温度信号和升/降温控制信号，生成调温控制指令，并将调温控制指令发送至冷热板模块；冷热板模块，用于根据调温控制指令调节冷热板模块，使得设置在所述冷热板模块上的功率模块实现多个升/降温的温度循环。通过本发明提供的装置，能够准确控制升/降温度，使得试验温度达到试验要求，准确检测功率模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN117317025B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
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公开(公告)号：CN118248739B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410669075.2
申请日：2024-05-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极，以及位于漂移区一侧的浮空场板结构；浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板，级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连，第一级多晶硅场板与栅极相连，最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构，通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来，从而调制漂移区表面及内部的电场，使漂移区的电场峰值得到有效降低，击穿电压得到提高，同时衬底辅助耗尽效应得以减弱，漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展，降低了横向半导体器件的制造难度。
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公开(公告)号：CN117317025A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片。碳化硅MOSFET器件包括：碳化硅衬底、形成于碳化硅衬底的第一导电类型外延层和第二导电类型保护层、栅极、源极以及漏极，第二导电类型保护层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层包括纵向延伸区和横向延伸区，第一保护层的纵向延伸区与源极相接，第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一导电类型外延层，第二保护层与第一保护层的纵向延伸区横向相接，第二保护层通过沟道区与源极相连，在第一保护层和第二保护层的作用下使第一导电类型外延层内形成纵向耗尽和横向耗尽的漂移区。本发明可以提高器件击穿电压同时降低导通电阻，提升器件的动态可靠性。
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公开(公告)号：CN119420023A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411427835.5
申请日：2024-10-14
Applicant: 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国网重庆市电力公司 , 国家电网有限公司
Inventor： 谢广成 , 苏宇 , 徐鸿宇 , 王思韡 , 万树伟 , 陈文礼 , 成涛 , 陆治军 , 何珉 , 程瑛颖 , 曾妍 , 黄志勇 , 万子恒 , 杨芾藜 , 刘型志 , 要文波 , 王蕊 , 陶首劼 , 蒙鑫 , 罗知书
IPC: H02J13/00 , G06F18/2415 , G06F18/213
Abstract: 本申请涉及负荷监测技术领域，公开了一种非侵入式负荷监测方法与装置。所述方法包括：根据待识别电网的总功率序列，确定待识别电网中用电设备发生投切事件的事件时间点和投切事件对应的功率特征；对功率特征进行聚类处理，确定待识别电网的典型功率特征；对典型功率特征进行分类处理，根据分类结果确定待识别电网的用电设备类型信息。本申请仅根据待识别电网的用电总功率数据，无需任何侵入式监测的负荷数据，便可确定预设采样周期内待识别电网中不同功率类型用电设备的使用情况。
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