公开(公告)号：CN111612877A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010413435.4

申请日：2020-05-15

Applicant: 北京林业大学

Inventor： 杨猛 ,  胡梦洁 ,  李卓远 ,  雷蕾 ,  苏琪 ,  徐嘉佑 ,  黄欣竹

IPC: G06T15/00 ,  G06T15/04 ,  G06T15/50 ,  G06T17/20

Abstract: 本发明公开了基于高度场的纹理模拟方法，包括以下步骤：步骤S4，标定粒子堆积；步骤S5，标定粒子塌陷；其中，具体包括以下步骤：S401，确定接触区域被清空的粒子数量；S402，正态分布表示截面处堆积的粒子增加的高度和；S403，选用数值正态分布函数来确定粒子对应位置粒子的堆积高度；S501，确定粒子塌陷；S502，减少相邻高度差来获取粒子塌陷。本发明通过基于高度场的纹理模拟方法，在实时图形中进行实时渲染生成，加快图形渲染速度，不仅可以缩短计算时间，在进行生成纹理的过程中，可以减少大量矢量粒子的计算，同时相比与二维的矢量场和线性场技术，增加了三维空间的叠加状态，增强了纹理的真实感，增添了纹理的应用效果，观察起来更接近真实效果。

公开(公告)号：CN111612877B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202010413435.4

申请日：2020-05-15

Applicant: 北京林业大学

Inventor： 杨猛 ,  胡梦洁 ,  李卓远 ,  雷蕾 ,  苏琪 ,  徐嘉佑 ,  黄欣竹

IPC: G06T15/00 ,  G06T15/04 ,  G06T15/50 ,  G06T17/20

Abstract: 本发明公开了基于高度场的纹理模拟方法，包括以下步骤：步骤S4，标定粒子堆积；步骤S5，标定粒子塌陷；其中，具体包括以下步骤：S401，确定接触区域被清空的粒子数量；S402，正态分布表示截面处堆积的粒子增加的高度和；S403，选用数值正态分布函数来确定粒子对应位置粒子的堆积高度；S501，确定粒子塌陷；S502，减少相邻高度差来获取粒子塌陷。本发明通过基于高度场的纹理模拟方法，在实时图形中进行实时渲染生成，加快图形渲染速度，不仅可以缩短计算时间，在进行生成纹理的过程中，可以减少大量矢量粒子的计算，同时相比与二维的矢量场和线性场技术，增加了三维空间的叠加状态，增强了纹理的真实感，增添了纹理的应用效果，观察起来更接近真实效果。