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公开(公告)号:CN108365511B
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:CN201810095572.0
申请日:2018-01-31
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01S3/0933 , H01S3/08 , H01S3/16
Abstract: 本发明涉及LED泵浦的钙钛矿量子点连续激光器及其制备方法。一种LED泵浦的钙钛矿量子点连续激光器的制备方法包括:在发光二极管LED的出光面上形成光子晶体结构或光栅结构;以及在所述光子晶体结构或光栅结构上制备由钙钛矿量子点材料与聚合物构成的复合发光膜,其中,所述LED为所述激光器的泵浦源,所述光子晶体结构或光栅结构为所述激光器的谐振腔,而所述复合发光膜为所述激光器的增益介质。
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公开(公告)号:CN108365511A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201810095572.0
申请日:2018-01-31
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01S3/0933 , H01S3/08 , H01S3/16
Abstract: 本发明涉及LED泵浦的钙钛矿量子点连续激光器及其制备方法。一种LED泵浦的钙钛矿量子点连续激光器的制备方法包括:在发光二极管LED的出光面上形成光子晶体结构或光栅结构;以及在所述光子晶体结构或光栅结构上制备由钙钛矿量子点材料与聚合物构成的复合发光膜,其中,所述LED为所述激光器的泵浦源,所述光子晶体结构或光栅结构为所述激光器的谐振腔,而所述复合发光膜为所述激光器的增益介质。
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公开(公告)号:CN108011292A
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201711027617.2
申请日:2017-10-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种胶体量子点连续激光器的制备方法,包括:在谐振腔的相应表面上,通过原位方法形成钙钛矿量子点材料与聚合物的复合发光材料作为增益介质。本发明还提供了一种胶体量子点连续激光器,包括:增益介质,用于接收连续激光辐射而激发光子;以及谐振腔,与所述增益介质结合,用于放大由所述增益介质激发的光子以输出连续激光,其中,所述增益介质为通过原位方法制备的钙钛矿量子点材料与聚合物的复合发光材料。
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公开(公告)号:CN106549076B
公开(公告)日:2018-05-22
申请号:CN201610962449.5
申请日:2016-11-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种量子点发光薄膜增强紫外成像探测器,包括光敏区表面为像元级网格化结构的硅基面阵器件、量子点发光薄膜和微纳光学结构;微纳光学结构用于反射可见光、增透紫外辐射;量子点发光薄膜用于进行紫外至可见光的转换;量子点发光薄膜为量子点材料或者量子点复合材料;像元级网格化结构的硅基面阵器件用于探测量子点发光薄膜发射的可见光;量子点发光薄膜和硅基面阵器件二者通过微纳光学结构进行像素级耦合和光谱匹配。该探测器具有响应波段可调控、灵敏度较高、响应快速、面阵大、成本低、图像清晰度高的优点。
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公开(公告)号:CN116835534A
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202211406195.0
申请日:2022-11-10
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B17/20 , C01G9/08 , B82Y40/00 , H10K50/115
Abstract: 本申请公开了一种金属硫族化合物量子点的制备方法及应用,所述制备方法包括:将含有黄原酸类溶液、碱性物质、配体的混合物,反应,得到金属硫族化合物量子点;其中,所述配体为巯基己醇。本发明提供的金属硫族化合物的制备方法,大大降低了硫化物金属量子点的合成温度,从150℃以上降低到‑20℃至100℃之间;不必使用惰性合成条件,反应体系简单,可以大幅度减少有害副产物的产生;量子点配体很短,可以保证量子点较好的电子或空穴传输特性。
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公开(公告)号:CN106549076A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201610962449.5
申请日:2016-11-04
Applicant: 北京理工大学
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/125
Abstract: 本发明公开了一种量子点发光薄膜增强紫外成像探测器,包括光敏区表面为像元级网格化结构的硅基面阵器件、量子点发光薄膜和微纳光学结构;微纳光学结构用于反射可见光、增透紫外辐射;量子点发光薄膜用于进行紫外至可见光的转换;量子点发光薄膜为量子点材料或者量子点复合材料;像元级网格化结构的硅基面阵器件用于探测量子点发光薄膜发射的可见光;量子点发光薄膜和硅基面阵器件二者通过微纳光学结构进行像素级耦合和光谱匹配。该探测器具有响应波段可调控、灵敏度较高、响应快速、面阵大、成本低、图像清晰度高的优点。
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公开(公告)号:CN104388089A
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201410612348.6
申请日:2014-11-04
Applicant: 北京理工大学
CPC classification number: C09K11/06 , B01D17/047 , B01J13/08 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/61 , C09K11/66 , C09K11/664 , C09K11/75 , C09K11/87 , C09K2211/10 , C09K2211/188 , H01L33/50 , H01L51/0003 , H01L51/0077 , H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L2251/301 , H01L2251/308
Abstract: 本发明涉及一种高荧光量子产率杂化钙钛矿量子点及其制备方法,属于纳米材料、光电材料制备技术领域。该杂化钙钛矿量子点该量子点材料由内核和表面配体组成,内核的结构式为:R1NH3AB3或(R2NH3)2AB4。本方法合成出的有机-无机杂化钙钛矿量子点表面包覆着表面配体,可以稳定分散在甲苯、氯仿等多种有机溶剂中,为杂化钙钛矿量子点材料的加工应用提供极大便利。本方法制备的量子点材料,荧光量子产率高达60%,半峰宽在20nm左右,发光色纯度高,在电致发光、高性能显示器件、激光、非线性光学器件中很大优势。本方法通过调控合成工艺来控制量子点粒径和组分,可以获得发光波长覆盖整个可见光区域的杂化钙钛矿量子点材料,在高色域LED、平板显示等领域有广阔应用前景。
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