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公开(公告)号:CN103698018B
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201310712947.0
申请日:2013-12-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种带电子倍增的铂硅红外焦平面探测器,属于红外成像领域。本发明包括铂硅红外焦平面列阵和电子倍增结构;其中铂硅红外焦平面列阵用于将探测红外信号并将红外信号转换为电信号,电子倍增结构用于将电信号进行倍增放大;所使用的铂硅红外焦平面列阵具有铂硅肖特基势垒型光敏元、垂直移位寄存器以及水平移位寄存器;电子倍增结构是在所述铂硅红外焦平面列阵的硅衬底上扩展一块长条形区域,该长条形区域上具有n个倍增区;电子倍增结构的一端通过在硅衬底上布线与水平移位寄存器的信号输出端连接或者与垂直移位寄存器的信号输出端连接。本发明适用于提高铂硅红外焦平面探测器的灵敏度。
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公开(公告)号:CN107863411A
公开(公告)日:2018-03-30
申请号:CN201710917506.2
申请日:2017-09-30
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/12 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供了一种偏振成像探测器,用于实现紫外偏振成像探测,其包括:紫外-可见光转换膜,用于选择性地吸收特定偏振方向的紫外光并且将其转换为相同偏振方向的可见光;微纳光学结构,用于选择性地透射所述相同偏振方向的可见光;以及成像器件,用于探测经由所述微纳光学结构透射的所述相同偏振方向的可见光。
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公开(公告)号:CN107863411B
公开(公告)日:2019-12-17
申请号:CN201710917506.2
申请日:2017-09-30
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/12 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供了一种偏振成像探测器,用于实现紫外偏振成像探测,其包括:紫外‑可见光转换膜,用于选择性地吸收特定偏振方向的紫外光并且将其转换为相同偏振方向的可见光;微纳光学结构,用于选择性地透射所述相同偏振方向的可见光;以及成像器件,用于探测经由所述微纳光学结构透射的所述相同偏振方向的可见光。
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公开(公告)号:CN106549076A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201610962449.5
申请日:2016-11-04
Applicant: 北京理工大学
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/125
Abstract: 本发明公开了一种量子点发光薄膜增强紫外成像探测器,包括光敏区表面为像元级网格化结构的硅基面阵器件、量子点发光薄膜和微纳光学结构;微纳光学结构用于反射可见光、增透紫外辐射;量子点发光薄膜用于进行紫外至可见光的转换;量子点发光薄膜为量子点材料或者量子点复合材料;像元级网格化结构的硅基面阵器件用于探测量子点发光薄膜发射的可见光;量子点发光薄膜和硅基面阵器件二者通过微纳光学结构进行像素级耦合和光谱匹配。该探测器具有响应波段可调控、灵敏度较高、响应快速、面阵大、成本低、图像清晰度高的优点。
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公开(公告)号:CN106549076B
公开(公告)日:2018-05-22
申请号:CN201610962449.5
申请日:2016-11-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种量子点发光薄膜增强紫外成像探测器,包括光敏区表面为像元级网格化结构的硅基面阵器件、量子点发光薄膜和微纳光学结构;微纳光学结构用于反射可见光、增透紫外辐射;量子点发光薄膜用于进行紫外至可见光的转换;量子点发光薄膜为量子点材料或者量子点复合材料;像元级网格化结构的硅基面阵器件用于探测量子点发光薄膜发射的可见光;量子点发光薄膜和硅基面阵器件二者通过微纳光学结构进行像素级耦合和光谱匹配。该探测器具有响应波段可调控、灵敏度较高、响应快速、面阵大、成本低、图像清晰度高的优点。
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公开(公告)号:CN103698018A
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201310712947.0
申请日:2013-12-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种带电子倍增的铂硅红外焦平面探测器,属于红外成像领域。本发明包括铂硅红外焦平面列阵和电子倍增结构;其中铂硅红外焦平面列阵用于将探测红外信号并将红外信号转换为电信号,电子倍增结构用于将电信号进行倍增放大;所使用的铂硅红外焦平面列阵具有铂硅肖特基势垒型光敏元、垂直移位寄存器以及水平移位寄存器;电子倍增结构是在所述铂硅红外焦平面列阵的硅衬底上扩展一块长条形区域,该长条形区域上具有n个倍增区;电子倍增结构的一端通过在硅衬底上布线与水平移位寄存器的信号输出端连接或者与垂直移位寄存器的信号输出端连接。本发明适用于提高铂硅红外焦平面探测器的灵敏度。
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