公开(公告)号：CN118102750A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410267410.6

申请日：2024-03-08

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 景宇宇 ,  姚明宇 ,  钟海政

IPC: H10K50/115 ,  H10K50/828 ,  H10K71/20 ,  H10K71/60

Abstract: 本申请公开了一种图案化量子点发光器件及其制备方法，该器件包括驱动电路基板、图案化量子点发光层和透明电极，量子点发光层设置在驱动电路基板和透明电极之间，图案化量子点发光层包括电流隔离挡墙和量子点像素单元，电流隔离挡墙由量子点发光层上经过特定波长激光按预定图案烧蚀的部分形成，量子点像素单元由量子点发光层上位于量子点像素单元之间、未经烧蚀的部分形成，本申请以具有光固化交联配体的量子点光固化胶水为量子点发光层的材料，使用能量超过令配体脱落阈值的激光进行刻蚀，形成电流隔离挡墙和量子点像素单元；通过本申请的技术方案制备图案化量子点发光器件，无需去除激光刻蚀区域，避免了溶剂对量子点发光层质量的影响。

公开(公告)号：CN222073789U

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202420583612.7

申请日：2024-03-25

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 景宇宇 ,  姚明宇 ,  钟海政

IPC: H10K59/10 ,  H10K50/115 ,  H10K71/12

Abstract: 本实用新型提出一种图案化正置QLED器件，包括基板、金属反射层、阳极电极、像素隔离、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极电极；基板采用玻璃衬底，设置在最下层；金属反射层设置在基板顶部，阳极电极设置在金属反射层顶部；像素隔离设置在阳极电极顶部，像素隔离依据预设像素位置形成多个像素隔离单元；像素隔离单元中心形成凹槽结构，阳极电极处于凹槽结构内；空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层依次由下至上设置在凹槽结构中；阴极电极设置在基板顶部，并环绕在像素隔离外侧。本实用新型提供了通过像素隔离后全溶液制备的正置QLED器件，能够实现高效地制备顶发射图案化QLED器件。