公开(公告)号：CN119053168A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411192258.6

申请日：2024-08-28

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 李孟林 ,  彭佳 ,  钟海政

IPC: H10K50/115 ,  H10K50/16 ,  H10K50/81 ,  H10K50/82 ,  H10K71/12 ,  H10K71/60 ,  G06N3/067 ,  G06T5/60 ,  G06T5/70 ,  G06T5/90

Abstract: 本申请公开了一种基于量子点发光二极管的突触仿生电子器件及其制备方法，该器件包括基底、空穴传输层、量子点层、电子传输层、金属阴极，空穴传输层、量子点层及电子传输层通过旋涂的方式由下至上依次沉积在基底上方，金属阴极按照预定图案沉积在电子传输层上方，图案化分布的金属阴极与电子传输层的部分区域接触，电子传输层材料的深能级缺陷与量子点的价带相匹配，本申请技术方案中所制备器件在施加正向偏压后，量子点向电子传输层的空穴转移过程减少，电子和空穴在量子点层中的辐射复合过程增加，器件发光强度随加载时间显著增加，停止加载后，器件发光强度的增加能够维持一段时间，表现出突触可塑性，能够提供类似突触的光输出功能。