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公开(公告)号：CN115389823B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202211037858.6
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 樊奔 , 徐圣亚 , 卜洪波 , 孙启扬 , 戴立群 , 谢莉莉 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 潘卫军 , 王耕耘 , 吴淞波 , 姚瑶 , 翟国芳 , 张旭 , 程甘霖 , 韩立镪 , 陈瑞明
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种探测器光电二极管节点电容测试装置和方法，属于光电探测器技术领域。所述方法包括控制开关导通，由外部电源向校准电容和像元阵列光电二极管节点电容充电至第一电压。该方法还包括控制开关断开，并在探测器开始曝光状态后由校准电容向像元阵列光电二极管节点电容供电，多帧曝光使校准电容电压降至第二电压。该方法还包括在每帧曝光后读取探测器输出信号值，多帧曝光结束后测量校准电容的电压变化。
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公开(公告)号：CN116193280B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211610646.2
申请日：2022-12-12
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 本发明提供一种高速全局快门像素电路及其控制方法，通过控制开关，采样电容构成网络结构，在工作时序的控制下，完成片内相关双采样操作，并实现高低增益的信号的独立存储，完成相应的存储后，能进一步实现逐行的高低增益信号的读出操作。
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公开(公告)号：CN117319824A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311118187.0
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 韩立镪 , 陈瑞明 , 张旭 , 程甘霖 , 王耕耘 , 谢莉莉 , 姚瑶 , 吴淞波 , 戴立群 , 卜洪波 , 孙启扬 , 张芮萌 , 樊奔 , 潘卫军 , 柴瑞青 , 谢圣文
IPC: H04N25/78 , H01L27/146 , H01L27/148 , H04N25/75
Abstract: 本发明涉及一种低噪声大满阱TDI‑CMOS图像传感器读出电路，属于CMOS图像传感器领域；包括埋沟型CCD结构和读出模块；埋沟型CCD结构包括p型衬底、n型埋沟、4个CCD电极和传输栅TG；n型埋沟设置在p型衬底的上表面；4个CCD电极等间隔分布在n型埋沟的上表面；传输栅TG设置在n型埋沟的上表面，且位于4个CCD电极的外侧；n型埋沟的上表面设置有凹槽；读出模块包括FD节点和模拟读出前级电路；FD节点与模拟读出前级电路连接；FD节点伸入凹槽中，实现读出模块与n型埋沟连接；本发明适用于CCD‑CMOS融合型TDI图像传感器，尤其可在高埋沟耗尽电势、高电荷转移效率、大满阱埋沟CCD像素设计前提下提升传感器的噪声性能。
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公开(公告)号：CN109243268B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201810987397.6
申请日：2018-08-28
Applicant: 北京空间机电研究所
IPC: G01M11/00
Abstract: 本发明涉及一种宇航用可见光图像探测器测试与演示验证平台及方法，属于可见光探测器测试技术领域，特别适用于宇航应用的单线阵、TDI线阵、面阵图像探测器和小型相机在光电性能指标的测试以及成像演示验证。平台具有多种工作模式，分别是线阵光电性能测试模式、面阵光电性能测试模式、线阵/面阵成像模式、光功率与照度定标模式，可实现对宇航用和非宇航用的可见光线阵和面阵探测器的光电性能测试和成像演示验证，同时支持相机的测试和演示验证，测试中涉及的仪器和设备集中管控，并具有可扩展性。
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公开(公告)号：CN109243268A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810987397.6
申请日：2018-08-28
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 本发明涉及一种宇航用可见光图像探测器测试与演示验证平台及方法，属于可见光探测器测试技术领域，特别适用于宇航应用的单线阵、TDI线阵、面阵图像探测器和小型相机在光电性能指标的测试以及成像演示验证。平台具有多种工作模式，分别是线阵光电性能测试模式、面阵光电性能测试模式、线阵/面阵成像模式、光功率与照度定标模式，可实现对宇航用和非宇航用的可见光线阵和面阵探测器的光电性能测试和成像演示验证，同时支持相机的测试和演示验证，测试中涉及的仪器和设备集中管控，并具有可扩展性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119085243A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411202454.7
申请日：2024-08-29
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 本发明公开了一种低温红外焦面高精度、低热串扰、集成式杜瓦封装结构，包括：冷台、冷台支撑柱、双介质层叠隔热组、制冷机法兰、冷窗座、制冷机冷指、二维柔性冷链、隔热垫和橡胶密封圈；冷台作为探测器单模块的拼接平台，由芯片、拼接基板、过渡基板、补偿板以及冷板粘接成层叠式结构，再通过冷台支撑柱以及双介质层叠隔热组与制冷机法兰隔热连接；冷窗座与制冷机法兰的安装面上都加工有薄凸台与密封槽，二者之间装隔热垫与双层橡胶密封圈，通过螺钉将四者压紧，在封真空的同时，实现冷窗与制冷机法兰的热隔离。本发明所述的杜瓦封装结构具有高精度、低热串扰、高集成度等特点，适用于大规模、低温红外探测器的封装。
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公开(公告)号：CN118866927A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411331939.6
申请日：2024-09-24
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 王小勇 , 潘卫军 , 韩立镪 , 王耕耘 , 程甘霖 , 吴淞波 , 樊奔 , 张旭 , 戴立群 , 卜洪波 , 孙启扬 , 谢圣文 , 谢莉莉 , 柴瑞青 , 张芮萌 , 牟帅臣 , 姚瑶 , 陈瑞明
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种大满阱电荷量的CMOS像元结构，属于半导体领域；Si：N结构为正方体结构；其中n个竖直#imgabs0#层均匀贴附在Si：N结构的前侧壁处；另外n个竖直#imgabs1#层对称均匀贴附在Si：N结构的后侧壁处；水平#imgabs2#层均匀贴附在Si：N结构的上表面；每个竖直#imgabs3#层上对应安装1个竖直MOS结构；水平MOS结构均匀贴附在水平#imgabs4#层的上表面；每个水平MOS结构上表面对应安装1个驱动电极；n为不小于2的正整数；本发明可充分利用像元空间区域对光生电荷进行存储，极大地提高了像元对于光生电荷的存储效率，从而实现像元满阱的大幅提升；同时可以提升电极对于电荷传输的控制效率，实现较高的电荷传输效率以及电荷的高速转传输。
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公开(公告)号：CN116972987A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310775471.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 谢莉莉 , 孙启扬 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 樊奔 , 戴立群 , 卜洪波 , 程甘霖 , 潘卫军 , 王耕耘 , 吴淞波 , 姚瑶 , 张旭 , 韩立镪 , 张芮萌 , 陈瑞明
IPC: G01J5/90
Abstract: 一种红外探测器测试分析方法，通过分别获取待测红外探测器的归一化相对光谱响应曲线、表面漏电流密度、激活能、横向扩散长度进行红外探测器综合性能分析，能够充分评价红外探测材料、制备工艺与器件性能，作为改进器件质量的关键迭代优化依据，提出更准确的响应光谱测试方法，可排除暗电流和背景辐射的影响，更适用于红外光子探测器，包括光电导型和光伏型光子探测器。
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公开(公告)号：CN115469706A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211085702.5
申请日：2022-09-06
Applicant: 北京空间机电研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种低压差稳压器，该低压差稳压器包括第一带隙基准源电路、误差放大器、P型传输管、电阻RF1、电阻RF2、电容C0；第一带隙基准源电路，用于产生与温度无关的基准电压信号，电压信号连接至误差放大器的负输入端，误差放大器的输出端连接P型传输管的栅极；误差放大器的供电端和P型传输管的源端、衬底均连接至电源VDD，P型传输管的漏端同时连接电阻RF1和电容C0的一端，电阻RF1的另一端连接误差放大器的正输入端和电阻RF2,电阻RF2的另一端和电容C0的另一端接地。
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