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公开(公告)号：CN115389823B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202211037858.6
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 樊奔 , 徐圣亚 , 卜洪波 , 孙启扬 , 戴立群 , 谢莉莉 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 潘卫军 , 王耕耘 , 吴淞波 , 姚瑶 , 翟国芳 , 张旭 , 程甘霖 , 韩立镪 , 陈瑞明
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种探测器光电二极管节点电容测试装置和方法，属于光电探测器技术领域。所述方法包括控制开关导通，由外部电源向校准电容和像元阵列光电二极管节点电容充电至第一电压。该方法还包括控制开关断开，并在探测器开始曝光状态后由校准电容向像元阵列光电二极管节点电容供电，多帧曝光使校准电容电压降至第二电压。该方法还包括在每帧曝光后读取探测器输出信号值，多帧曝光结束后测量校准电容的电压变化。
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公开(公告)号：CN115441874B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210926994.4
申请日：2022-08-03
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 一种十四位分辨率两级循环型模数转换器，包括6位分辨率的第一级乘法数模转换器单、9位分辨率的第二级乘法数模转换器单元、冗余加法模块、时钟相位高精度可调模块。本发明通过“6位+9位”的两级循环的结构设计，相对于单级14位循环型模数转换器大幅度降低了功耗，满足低功耗模数转换的应用。
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公开(公告)号：CN116193280B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211610646.2
申请日：2022-12-12
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 本发明提供一种高速全局快门像素电路及其控制方法，通过控制开关，采样电容构成网络结构，在工作时序的控制下，完成片内相关双采样操作，并实现高低增益的信号的独立存储，完成相应的存储后，能进一步实现逐行的高低增益信号的读出操作。
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公开(公告)号：CN117319824A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311118187.0
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 韩立镪 , 陈瑞明 , 张旭 , 程甘霖 , 王耕耘 , 谢莉莉 , 姚瑶 , 吴淞波 , 戴立群 , 卜洪波 , 孙启扬 , 张芮萌 , 樊奔 , 潘卫军 , 柴瑞青 , 谢圣文
IPC: H04N25/78 , H01L27/146 , H01L27/148 , H04N25/75
Abstract: 本发明涉及一种低噪声大满阱TDI‑CMOS图像传感器读出电路，属于CMOS图像传感器领域；包括埋沟型CCD结构和读出模块；埋沟型CCD结构包括p型衬底、n型埋沟、4个CCD电极和传输栅TG；n型埋沟设置在p型衬底的上表面；4个CCD电极等间隔分布在n型埋沟的上表面；传输栅TG设置在n型埋沟的上表面，且位于4个CCD电极的外侧；n型埋沟的上表面设置有凹槽；读出模块包括FD节点和模拟读出前级电路；FD节点与模拟读出前级电路连接；FD节点伸入凹槽中，实现读出模块与n型埋沟连接；本发明适用于CCD‑CMOS融合型TDI图像传感器，尤其可在高埋沟耗尽电势、高电荷转移效率、大满阱埋沟CCD像素设计前提下提升传感器的噪声性能。
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公开(公告)号：CN115441874A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210926994.4
申请日：2022-08-03
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 一种十四位分辨率两级循环型模数转换器，包括6位分辨率的第一级乘法数模转换器单、9位分辨率的第二级乘法数模转换器单元、冗余加法模块、时钟相位高精度可调模块。本发明通过“6位+9位”的两级循环的结构设计，相对于单级14位循环型模数转换器大幅度降低了功耗，满足低功耗模数转换的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118866927A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411331939.6
申请日：2024-09-24
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 王小勇 , 潘卫军 , 韩立镪 , 王耕耘 , 程甘霖 , 吴淞波 , 樊奔 , 张旭 , 戴立群 , 卜洪波 , 孙启扬 , 谢圣文 , 谢莉莉 , 柴瑞青 , 张芮萌 , 牟帅臣 , 姚瑶 , 陈瑞明
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种大满阱电荷量的CMOS像元结构，属于半导体领域；Si：N结构为正方体结构；其中n个竖直#imgabs0#层均匀贴附在Si：N结构的前侧壁处；另外n个竖直#imgabs1#层对称均匀贴附在Si：N结构的后侧壁处；水平#imgabs2#层均匀贴附在Si：N结构的上表面；每个竖直#imgabs3#层上对应安装1个竖直MOS结构；水平MOS结构均匀贴附在水平#imgabs4#层的上表面；每个水平MOS结构上表面对应安装1个驱动电极；n为不小于2的正整数；本发明可充分利用像元空间区域对光生电荷进行存储，极大地提高了像元对于光生电荷的存储效率，从而实现像元满阱的大幅提升；同时可以提升电极对于电荷传输的控制效率，实现较高的电荷传输效率以及电荷的高速转传输。
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公开(公告)号：CN116972987A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310775471.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 谢莉莉 , 孙启扬 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 樊奔 , 戴立群 , 卜洪波 , 程甘霖 , 潘卫军 , 王耕耘 , 吴淞波 , 姚瑶 , 张旭 , 韩立镪 , 张芮萌 , 陈瑞明
IPC: G01J5/90
Abstract: 一种红外探测器测试分析方法，通过分别获取待测红外探测器的归一化相对光谱响应曲线、表面漏电流密度、激活能、横向扩散长度进行红外探测器综合性能分析，能够充分评价红外探测材料、制备工艺与器件性能，作为改进器件质量的关键迭代优化依据，提出更准确的响应光谱测试方法，可排除暗电流和背景辐射的影响，更适用于红外光子探测器，包括光电导型和光伏型光子探测器。
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公开(公告)号：CN115469706A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211085702.5
申请日：2022-09-06
Applicant: 北京空间机电研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种低压差稳压器，该低压差稳压器包括第一带隙基准源电路、误差放大器、P型传输管、电阻RF1、电阻RF2、电容C0；第一带隙基准源电路，用于产生与温度无关的基准电压信号，电压信号连接至误差放大器的负输入端，误差放大器的输出端连接P型传输管的栅极；误差放大器的供电端和P型传输管的源端、衬底均连接至电源VDD，P型传输管的漏端同时连接电阻RF1和电容C0的一端，电阻RF1的另一端连接误差放大器的正输入端和电阻RF2,电阻RF2的另一端和电容C0的另一端接地。
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公开(公告)号：CN118983300A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410966953.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 北京空间机电研究所
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种提高干法刻蚀精度的薄膜辅助方法和干法刻蚀产品。在待刻材料表面设计一刻蚀监控区A，通过监控A区的材料刻蚀情况来得到器件刻蚀区域B的材料刻蚀情况。通常在材料刻蚀前，会在待刻蚀材料的表面生长一层介质层，用来作为材料刻蚀的掩膜层。将A区掩膜层设计为具有周期性图案的介质薄膜。在材料刻蚀过程中，通过该具有周期性图案的薄膜对EPD信号进行调制和放大，从而加强EPD信号的强度和可分析性。通过监控区的材料刻蚀情况来得到器件区的材料刻蚀情况。周期性图案覆盖区域与从待刻蚀材料区域反射回的光发生干涉叠加，不仅改善了EPD监控曲线的形态，还提高了其强度，使得原本难以监控的薄膜厚度变化变得可实时精确监控。
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公开(公告)号：CN115469706B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202211085702.5
申请日：2022-09-06
Applicant: 北京空间机电研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种低压差稳压器，该低压差稳压器包括第一带隙基准源电路、误差放大器、P型传输管、电阻RF1、电阻RF2、电容C0；第一带隙基准源电路，用于产生与温度无关的基准电压信号，电压信号连接至误差放大器的负输入端，误差放大器的输出端连接P型传输管的栅极；误差放大器的供电端和P型传输管的源端、衬底均连接至电源VDD，P型传输管的漏端同时连接电阻RF1和电容C0的一端，电阻RF1的另一端连接误差放大器的正输入端和电阻RF2,电阻RF2的另一端和电容C0的另一端接地。
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