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公开(公告)号：CN115241183B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211122807.3
申请日：2022-09-15
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L23/64
Abstract: 本申请涉及半导体领域，提供一种电压钳位的超结器件及制造方法。所述超结器件包括有源区和终端区，所述有源区包括源极、栅极和体区，所述终端区包括截止环区，所述终端区集成有平板电容结构和电阻结构，所述平板电容结构与所述电阻结构串联连接构成RC吸收电路；所述RC吸收电路与源极和截止环区相连，用于对超结器件的漏源电压进行电压钳位。本申请在超结器件的终端区集成RC吸收电路，将器件漏源电压钳位在安全电压值范围内，可以减缓器件电压电流振铃，防止器件因过压击穿而损坏；充分利用超结器件终端区芯片面积，不需要额外占用超结器件有源区面积，不会引起超结器件其它参数的退化，提高系统的集成度和可靠性。
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公开(公告)号：CN113866691B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202111460490.X
申请日：2021-12-02
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述隧穿磁电阻传感器，自下而上依次包括下电极、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、隧穿绝缘层、铁磁自由层及上电极，还包括设置于所述上电极与所述铁磁自由层之间的氧化层；所述氧化层在被施加可控强度的电压的条件下，所述氧化层中的氧离子在电场作用下迁移至所述氧化层与所述铁磁自由层的界面处，改变所述铁磁自由层的磁各向异性，使得所述隧穿磁电阻传感器的隧道结动态范围发生变化。本发明利用可调控的电场驱动氧化层中的氧离子运动，从而改变铁磁自由层的磁各向异性，实现对隧穿磁电阻传感器的动态范围的调控，可满足不同应用环境下的需求。
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公开(公告)号：CN114937695A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210875537.7
申请日：2022-07-25
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 本发明提供一种双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片，属于半导体集成电路技术领域。该LDMOS器件包括半导体衬底以及设置在半导体衬底上的漂移区、体区、源极区、漏极区和栅极结构；栅极结构设置在半导体衬底上方，且栅极结构的下表面一端与第一体区相接，另一端与第一漂移区相接；栅极结构的上表面一端与第二体区相接，另一端与第二漂移区相接；第二体区位于第一体区上方；第二漂移区位于第一漂移区上方；第一漏极区形成在第一漂移区内，第二漏极区形成在第二漂移区内；第一源极区形成在第一体区内，第二源极区形成在第二体区内；第一漏极区与第二漏极区通过第一金属连接结构连通，第一源极区与第二源极区通过第二金属连接结构连通。
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公开(公告)号：CN114242696B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210171602.8
申请日：2022-02-24
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明提供一种MIM电容及其制备方法。该方法包括：在半导体衬底上制作电极；形成第一介质层；在第一介质层制作第一通孔和第一段第二通孔，在第一通孔中形成与下极板电极连接的下极板金属连接结构，在第一段第二通孔中形成与上极板电极连接的第一段上极板金属连接结构；在第一介质层上制作下极板；形成第二介质层；在第二介质层制作第二段第二通孔，在第二段第二通孔中淀积金属，形成第二段上极板金属连接结构；在第二介质层上制作上极板。上述制备过程中，干法刻蚀形成通孔的过程中不会刻蚀到上极板和下极板，不会在上极板和下极板的任一个表面沉积等离子体电荷，不会影响金属在通孔内的粘附性，从而提升MIM电容的可靠性。
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公开(公告)号：CN114222142A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210165456.8
申请日：2022-02-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
Abstract: 本申请实施例提供一种基于脉冲神经网络的图像编码方法及装置，属于神经计算及图像处理技术领域。方法包括：获取待处理图像；对于待处理图像中的每一像素点，获取像素点的特征属性，依据像素点的特征属性确定像素点的信息强度值；将像素点编码为表征像素点在预设时间窗口内对应的脉冲发放时刻的时域编码数据，并以时域编码数据作为待处理数据输入输入神经元，像素点对应的脉冲发放时刻与像素点的信息强度值负相关。本申请通过将像素点的信息强度值近似线性地映射到预设时间窗口内的脉冲发放时刻，使得输入输入神经元的像素点的信息强度值越高，输入神经元的脉冲发放时间越早，从而有助于提高有效数据的区分度，降低数据处理的延时和计算复杂度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113990865A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111619505.2
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，该硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有深阱层，所述深阱层上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第二N+区及第二P+区；所述第一N+区和第二P+区相连，所述第一P+区与所述硅控整流器的阳极相连，所述第二N+区与所述硅控整流器的阴极相连；所述第二P+区最外侧设有场氧结构，所述场氧结构位于所述深阱层的上方。该硅控整流器缩短了通路的距离，提高了防护等级。
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公开(公告)号：CN114062740B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202111189327.4
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R1/18
Abstract: 本发明实施例提供一种用于多信号单线进入暗室的滤波装置，属于滤波技术领域。所述装置包括：金属外壳；暗室屏蔽体；所述金属外壳与所述暗室屏蔽体围合构成具有密封腔的箱体结构，所述密封腔内封装有金属沙；所述暗室屏蔽体用于接入包覆有金属屏蔽层的单芯导线并容许剥离金属屏蔽层的所述单芯导线穿过所述密封腔后进入暗室，所述单芯导线的金属屏蔽层断面与所述暗室屏蔽体接触，以通过所述暗室屏蔽体、所述金属外壳及所述金属沙构成的导电平面消耗干扰信号。本发明方案既保证了单芯导线上的各种有用信号顺利进入电波暗室，又防止了其它干扰信号进入电波暗室，满足了同一线路上多种信号进入暗室的相关要求。
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公开(公告)号：CN112574529B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202011349297.4
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 天津大学
Abstract: 本发明涉及高分子材料技术领域，公开了一种导热绝缘复合材料，所述复合材料包括10‑25重量份的多孔填料、30‑65重量份的聚合物、10‑25重量份的固化剂以及0‑55重量份的导热填料；其中，所述多孔填料选自泡沫陶瓷和/或泡沫镍。本发明提供的导热绝缘复合材料，引入了多孔填料，构建了网状结构，尤其是当多孔填料为泡沫陶瓷时，能够很好地利用骨架材料的增强作用，使得所述复合材料导热绝缘性能优异，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115062730B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210944464.2
申请日：2022-08-08
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F18/24 , G06F18/214 , G06N3/0464 , G06N3/0442 , G06V10/764 , G01R31/58 , G01R31/54
Abstract: 本公开涉及电力设备技术领域，具体涉及一种输电线检测方法、模型训练方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取输电线状态采集器采集的至少一组采集器状态数据，并根据至少一组采集器状态数据获取至少一组输电线状态数据；对至少一组输电线状态数据进行检测，以生成输电线状态检测结果；响应于至少两组连续的输电线状态数据的检测结果均满足状态数据超标条件，生成输电线断落故障信息。该方案可以在耗费较少资源的前提下，准确的确定两个输电线塔之间的目标输电线是否出现了断落故障，从而改善了检测效率，并提高了检测的准确率。
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公开(公告)号：CN115224113B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211124222.5
申请日：2022-09-15
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连。横向超结器件中的电容耦合结构能减弱表面电荷对横向超结器件电场的影响。
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