公开(公告)号：CN119758621A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411971299.5

申请日：2024-12-30

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 邱吉芳 ,  冯亚琪 ,  伍剑

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/00 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明涉及光电器件制备技术领域，尤其涉及一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及其制备方法，钛酸钡电光调制器芯片包括衬底层、缓冲薄膜层、钛酸钡薄膜层、第一保护层、氮化硅薄膜、第二保护层和两个电极，通过钛酸钡薄膜层上的钛酸钡波导和氮化硅薄膜的氮化硅波导组成氮化硅+钛酸钡的多层波导材料结构，基于氮化硅波导的低损耗特性进行光的传输，调制时，光信号通过氮化硅波导和钛酸钡波导的层间耦合进入钛酸钡波导，通过电极施加电场改变钛酸钡波导的折射率，并基于钛酸钡波导的高电光系数特性进行信号的调制，调制完成后再进入氮化硅波导进行传输，输出调制后的光信号，实现电光调制器芯片传输光信号过程的低损耗，提高光信号的调制效率。