公开(公告)号：CN119177430A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202310746817.2

申请日：2023-06-21

Applicant: 华为技术有限公司 ,  北京量子信息科学研究院

Inventor： 宋树清 ,  冯雅晴 ,  郭晓龙 ,  许逾群

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 片托部件、原子沉积装置及超导硅通孔中介层的制备方法，片托部件用于原子沉积装置，原子沉积装置用于在硅片的硅通孔内形成超导层。片托部件包括装载结构和支撑结构。装载结构为环状结构部件。支撑结构分布在装载结构的下表面，相邻的支撑结构之间存在开口。生长超导层过程：集成有硅通孔的硅片搭载在装载结构上，气态原料可以达到硅通孔远离装载结构的一端；气态原料也可以穿过开口到达装载结构临近支撑结构的一端。装载结构为环状结构，气态原料可进一步穿过装载结构，到达硅通孔临近装载结构的一端。采用本申请公开的片托部件，气态原料可以在硅通孔的两侧沉积，进而减少超导层生长过程中的方向性，实现在硅通孔内形成厚度一致性较好的超导层。

公开(公告)号：CN119263196A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411236650.6

申请日：2024-09-04

Applicant: 北京量子信息科学研究院

Inventor： 赵振璇 ,  高志廷 ,  张建刚 ,  陈墨 ,  孙伟杰 ,  冯雅晴

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开利用深硅刻蚀技术制作掩膜板的方法，包括以下步骤：a、硅基板预处理；b、在步骤a预处理后的硅基板上涂覆光刻胶，软烘、静置后，曝光、显影、定影，后烘，在硅基板上形成所需图案；c、对步骤b的硅基板进行刻蚀、清洗，得掩膜板。同时提供利用该掩膜板制备钙钛矿阵列图形的方法。本发明采取干法刻蚀制备钙钛矿陈列图形，利用反应离子束工艺刻蚀钙钛矿，工艺简单，反应离子束刻蚀设备构造简单，设备廉价，兼容于所有MEMS规模制造工厂，很大程度上降低了制造成本，为钙钛矿阵列图形化方案提出了新的工艺策略，降低侧腐，提升图形化精准度，适用于微米级图形刻蚀。

公开(公告)号：CN115084014A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210746189.3

申请日：2022-06-29

Applicant: 北京量子信息科学研究院

Inventor： 王文彦 ,  王光月 ,  冯雅晴

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种超导量子芯片集成电路的硅通孔制造方法及集成电路。该方法包括：(a)设置第一刻蚀参数，基于所设置的第一刻蚀参数，利用第一刻蚀气体在所述刻蚀用通孔的侧壁和所述硅片的露出的部分上形成保护层；(b)设置第二刻蚀参数，基于所设置的第二刻蚀参数，利用第二刻蚀气体去除形成在所述硅片的露出的部分的保护层；(c)设置第三刻蚀参数，基于所设置的第三刻蚀参数，利用第三刻蚀气体对去除了所述保护层的所述露出的部分进行刻蚀，以形成所述硅通孔的一部分，所述硅通孔的所述一部分还构成下一次循环的刻蚀用通孔；(d)设置第四刻蚀参数，基于所设置的第四刻蚀参数，利用第四刻蚀气体去除所述刻蚀用通孔的侧壁的保护层。

公开(公告)号：CN119263197A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411236652.5

申请日：2024-09-04

Applicant: 北京量子信息科学研究院

Inventor： 赵振璇 ,  张建刚 ,  孙伟杰 ,  陈墨 ,  冯雅晴

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开电感耦合等离子刻蚀技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法，包括以下步骤：1）制备卤化物钙钛矿薄膜；2）离子刻蚀阵列图形：在卤化物钙钛矿薄膜上覆盖掩膜板，掩膜板所形成的图案与卤化物钙钛矿阵列图形相对应，利用电感耦合等离子刻蚀技术进行刻蚀后，取下掩膜板，形成卤化物钙钛矿薄膜阵列图形。本发明利用不锈钢掩膜板作为钙钛矿阵列图形化（百微米级及以上）的刻蚀掩膜工具，利用电感耦合等离子技术激发的游离态电子，氟基和氯基离子对掩膜板之外的卤化物钙钛矿薄膜材料进行两次刻蚀，实现钙钛矿薄膜图形化，未同任何溶剂接触，有效防止钙钛矿薄膜因非极性溶剂而被腐蚀，且不受钙钛矿种类制约，适用于全部种类的钙钛矿薄膜材料。

公开(公告)号：CN115084014B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202210746189.3

申请日：2022-06-29

Applicant: 北京量子信息科学研究院

Inventor： 王文彦 ,  王光月 ,  冯雅晴

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种超导量子芯片集成电路的硅通孔制造方法及集成电路。该方法包括：(a)设置第一刻蚀参数，基于所设置的第一刻蚀参数，利用第一刻蚀气体在所述刻蚀用通孔的侧壁和所述硅片的露出的部分上形成保护层；(b)设置第二刻蚀参数，基于所设置的第二刻蚀参数，利用第二刻蚀气体去除形成在所述硅片的露出的部分的保护层；(c)设置第三刻蚀参数，基于所设置的第三刻蚀参数，利用第三刻蚀气体对去除了所述保护层的所述露出的部分进行刻蚀，以形成所述硅通孔的一部分，所述硅通孔的所述一部分还构成下一次循环的刻蚀用通孔；(d)设置第四刻蚀参数，基于所设置的第四刻蚀参数，利用第四刻蚀气体去除所述刻蚀用通孔的侧壁的保护层。