用于微通道板型光电倍增管的聚焦极与光电倍增管

    公开(公告)号:CN111883412B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202010718923.6

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明提供一种用于微通道板型光电倍增管的聚焦极与光电倍增管,适用于收集由光电阴极激发出的光电子,其特征在于,包括固定压紧机构、扩张叶片机构、触发杆、触发部和收紧环。在初始状态下金属叶片和支撑板立在聚焦极底座的上方,底部通过转轴和扭簧提供预紧力,具有向外扩张的趋势,通过收紧环压紧。触发部朝向下翻转一定角度,在进入玻璃球壳的颈部后,通过颈部的压迫将其下压拉动触发杆下移,释放对收紧环的约束,利于扭簧的预紧力使扩张金属叶片散开,实现扩张。本发明采用渐变尺寸的扇形叶片+顶部的矩形结合,一方面在扩张状态下减少相互间的干扰和空隙,另一方面进一步提高聚焦极的径向尺寸,提高光电子收集效率和改善改善时间性能。

    高增益、低发光ALD-MCP及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN112420477B

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202011191113.6

    申请日:2020-10-30

    Abstract: 本发明提供一种高增益、低发光ALD‑MCP及其制备方法与应用。高增益、低发光ALD‑MCP的制备方法,包括将MCP基底置于臭氧环境下进行预设时间周期的预处理;以及预处理完成后,在MCP基底上原位制备MgO/Al2O3复合膜层,其中先制备MgO膜层,再制备Al2O3膜层。本发明首先使用臭氧对MCP基底进行处理,减少MCP基底中的氧空位等缺陷;然后采用ALD技术,使用乙基二茂镁与臭氧作为前驱体制备出氧化镁膜层;最后使用三甲基铝与臭氧为前驱体反应制备出氧化铝膜层。如此,依靠具有强氧化能力的臭氧减少通道内壁复合功能膜层以及原始基底内表面的氧空位缺陷,减少与电子复合概率,从而降低发光概率;同时最大程度的提高ALD制备的复合功能膜层的二次电子发射能力获得高增益。

    用于多工位大型阴极转移设备的氮气保护系统及操作方法

    公开(公告)号:CN111584325B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202010389180.2

    申请日:2020-05-09

    Abstract: 本发明提供一种用于多工位大型阴极转移设备的氮气保护系统及操作方法,包括钟罩、载物台、底板以及可旋转地设置在钟罩内的氮气屏蔽装置;钟罩顶部顶面的中心位置设置有第一电机,驱动氮气屏蔽装置转动;载物台设置有多个工位;氮气屏蔽装置包括上部分和下部分,均具有中空腔体,上部分被设置成与中心轴固定连接;上部分和/或下部分设置有排气孔,通过管路与钟罩上设置的充气孔连通;上部分和下部分所包围形成的中空腔体被设置成用以包裹住所述多个工位中的至少一个,并且使多个工位中的至少一个处于未被包围的位置。本发明可在不影响装卸管操作的同时,又可最大限度的对腔室及所安装的零部件进行充氮气保护。

    近贴型大开口面积比微通道板型光电倍增管

    公开(公告)号:CN111883413B

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202010718922.1

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明提供一种近贴型大开口面积比微通道板型光电倍增管,包括输入光窗、光电阴极、方形管壳、微通道板和位敏阳极。光电阴极位于输入光窗的内表面,微通道板位于光电阴极和位敏阳极之间;方形管壳包括依次叠加的第一陶瓷环、输入电极、第二陶瓷环、吸气剂电极、第三陶瓷环和铟封层,方形管壳通过封接层与输入光窗封接;位敏阳极包括陶瓷骨架、输出电极和阳极,多个阳极成矩阵式阵列分布在陶瓷骨架内,阳极之间互不连通、互相独立;每个阳极为锥形结构,电子接收端为正方形面,输出端由锥形逐渐过渡到圆柱形阳极杆,微通道板采用两片式、竖直叠加结构,使得两片微通道板孔径呈“く”型,一端通过输入电极定位和供电,另一端通过输出电极定位。

    高增益、低发光ALD-MCP及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN112420477A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202011191113.6

    申请日:2020-10-30

    Abstract: 本发明提供一种高增益、低发光ALD‑MCP及其制备方法与应用。高增益、低发光ALD‑MCP的制备方法,包括将MCP基底置于臭氧环境下进行预设时间周期的预处理;以及预处理完成后,在MCP基底上原位制备MgO/Al2O3复合膜层,其中先制备MgO膜层,再制备Al2O3膜层。本发明首先使用臭氧对MCP基底进行处理,减少MCP基底中的氧空位等缺陷;然后采用ALD技术,使用乙基二茂镁与臭氧作为前驱体制备出氧化镁膜层;最后使用三甲基铝与臭氧为前驱体反应制备出氧化铝膜层。如此,依靠具有强氧化能力的臭氧减少通道内壁复合功能膜层以及原始基底内表面的氧空位缺陷,减少与电子复合概率,从而降低发光概率;同时最大程度的提高ALD制备的复合功能膜层的二次电子发射能力获得高增益。

    近贴型大开口面积比微通道板型光电倍增管

    公开(公告)号:CN111883413A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010718922.1

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明提供一种近贴型大开口面积比微通道板型光电倍增管,包括输入光窗、光电阴极、方形管壳、微通道板和位敏阳极。光电阴极位于输入光窗的内表面,微通道板位于光电阴极和位敏阳极之间;方形管壳包括依次叠加的第一陶瓷环、输入电极、第二陶瓷环、吸气剂电极、第三陶瓷环和铟封层,方形管壳通过封接层与输入光窗封接;位敏阳极包括陶瓷骨架、输出电极和阳极,多个阳极成矩阵式阵列分布在陶瓷骨架内,阳极之间互不连通、互相独立;每个阳极为锥形结构,电子接收端为正方形面,输出端由锥形逐渐过渡到圆柱形阳极杆,微通道板采用两片式、竖直叠加结构,使得两片微通道板孔径呈“く”型,一端通过输入电极定位和供电,另一端通过输出电极定位。

    用于光电倍增管的硅通道板及其制备方法

    公开(公告)号:CN111785597A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010718865.7

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明提供一种用于光电倍增管的硅通道板及其制备方法,包括:将硅片进行酸洗吹干;在吹干的硅片表面均匀涂覆光刻胶再覆盖掩膜版,采用紫外光照射数分钟后,使用显影液洗去表面光刻胶,在硅片表面获得与掩膜版图案相同或相反的图案;在硅片表面贵金属沉积,获得贵金属层,其中贵金属层在硅片表面形成纳米网状结构;将表面沉积贵金属的硅片放入配置好的HF-H2O2溶液中浸泡若干分钟进行表面蚀刻,获得相应深度的微孔结构;然后将蚀刻完毕的硅片取出,去除沉积的金属层,然后洗净吹干;将清洗完毕并吹干的硅微通道板在高温下氧化,获得氧化硅薄层。本发明通过微通道板结构改善,提高微通道板的增益一致性以及光电倍增管的能量分辨率。

    光电倍增管自动上下管装置及操作方法

    公开(公告)号:CN111302042A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010246714.6

    申请日:2020-03-31

    Abstract: 本发明涉及光电倍增管技术领域,具体涉及一种光电倍增管自动上下管装置及操作方法,包括底座,还包括工作台、控制器、电机、机架、转轴、转板、滑动柱、升降机构和夹持机构,所述工作台固定设置于底座上,所述控制器固定设置于工作台一侧的底座一端,所述机架和电机均位于工作台的底部,所述电机呈正立状固定设置于机架上,所述转轴的一端通过联轴器与电机的输出轴固定连接,所述升降机构包括支撑组件、动力组件和两组升降组件,本发明通过操纵控制器即可对大尺寸光电倍增管自动进行上下管,从而避免人工操作对真空腔体的污染,提高工作效率。

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