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公开(公告)号：CN105177526B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201510505381.3
申请日：2009-08-04
Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 , AGC株式会社 , AGC玻璃欧洲公司
Inventor： P·马诗威茨
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/503 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法，即提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。
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公开(公告)号：CN107615888B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201480084542.X
申请日：2014-12-05
Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 , AGC玻璃欧洲公司 , AGC株式会社
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明通常涉及利用宏粒子减少涂层的等离子体源和使用利用宏粒子减少涂层的等离子体源用于薄膜涂层的沉积和表面的改性的方法。更特别地，本发明涉及包括一个或多个等离子体产生电极的等离子体源，其中宏粒子减少涂层沉积在一个或多个电极的等离子体产生表面的至少一部分上以遮蔽电极的等离子体产生表面免于由所产生的等离子体腐蚀并抵抗粒子物质的形成，因而增强性能并延长等离子体源的使用寿命。
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公开(公告)号：CN107852805B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201480084528.X
申请日：2014-12-05
Applicant: AGC玻璃欧洲公司 , 北美AGC平板玻璃公司 , AGC株式会社
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明涉及空心阴极等离子体源和用于使用这样的等离子体源进行表面处理或涂覆的方法，空心阴极等离子体源包括第一和第二电极(1、2)，每个电极包括细长腔(4)，其中选择下面的参数中的至少一个的尺度，以便确保高电子密度和/或等离子体源腔表面的低溅射量，那些参数是腔横截面形状、腔横截面面积、腔距离(11)和出口喷嘴宽度(12)。
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公开(公告)号：CN105206496B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510505370.5
申请日：2009-08-04
Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 , AGC株式会社 , AGC玻璃欧洲公司
Inventor： P·马诗威茨
IPC: H01J37/32 , H05H1/42 , H05H1/46 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/503
Abstract: 本发明公开了一种等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法，即提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。
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公开(公告)号：CN108699691B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201680081988.6
申请日：2016-11-08
Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 , 旭硝子株式会社 , AGC玻璃欧洲公司
IPC: C23C16/513 , C23C4/134 , H01J37/063 , H05H1/02 , H05H1/24 , H05H1/54
Abstract: 提供一种提取和加速离子的离子源和方法。离子源包括腔室。离子源进一步包括第一空心阴极，其具有第一空心阴极腔和第一等离子体出口孔；以及第二空心阴极，其具有第二空心阴极腔和第二等离子体出口孔。第一空心阴极和第二空心阴极邻近地设置在腔室中。离子源进一步包括第一离子加速器，其在第一等离子体出口孔与腔室之间并与第一等离子体出口孔和腔室连通。第一离子加速器形成第一离子加速腔。离子源进一步包括第二离子加速器，其在第二等离子体出口孔与腔室之间并与第二等离子体出口孔和腔室连通。第二离子加速器形成第二离子加速腔。第一空心阴极和第二空心阴极被配置为交替地充当电极和反电极以生成等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105154856A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510505383.2
申请日：2009-08-04
Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 , 旭硝子株式会社 , AGC玻璃欧洲公司
Inventor： P·马诗威茨
IPC: C23C16/513 , C23C16/455 , C23C16/503 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法，即提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。
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公开(公告)号：CN107852805A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201480084528.X
申请日：2014-12-05
Applicant: AGC玻璃欧洲公司 , 北美AGC平板玻璃公司 , 旭硝子株式会社
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明涉及空心阴极等离子体源和用于使用这样的等离子体源进行表面处理或涂覆的方法，空心阴极等离子体源包括第一和第二电极(1、2)，每个电极包括细长腔(4)，其中选择下面的参数中的至少一个的尺度，以便确保高电子密度和/或等离子体源腔表面的低溅射量，那些参数是腔横截面形状、腔横截面面积、腔距离(11)和出口喷嘴宽度(12)。
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公开(公告)号：CN105177526A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510505381.3
申请日：2009-08-04
Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 , 旭硝子株式会社 , AGC玻璃欧洲公司
Inventor： P·马诗威茨
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/503 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法，即提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。
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公开(公告)号：CN102172104B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN200980139450.6
申请日：2009-08-04
Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 , 旭硝子株式会社 , AGC玻璃欧洲公司
Inventor： P·马诗威茨
IPC: H05H1/00 , H01L21/469
CPC classification number: H01J37/32596 , C03C17/245 , C03C17/2456 , C03C2217/213 , C03C2218/153 , C23C16/402 , C23C16/45517 , C23C16/503 , C23C16/513 , H01J37/32036 , H01J37/32568 , H01J37/3266 , H01J37/32724 , H01J2237/3321 , H01J2237/3328 , H05H1/24 , H05H1/42 , H05H1/46 , H05H2001/466
Abstract: 本发明提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。
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公开(公告)号：CN104498898A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410641340.2
申请日：2009-08-04
Applicant: 北美AGC平板玻璃公司 , 旭硝子株式会社 , AGC玻璃欧洲公司
Inventor： P·马诗威茨
IPC: C23C16/44
CPC classification number: H01J37/32596 , C03C17/245 , C03C17/2456 , C03C2217/213 , C03C2218/153 , C23C16/402 , C23C16/45517 , C23C16/503 , C23C16/513 , H01J37/32036 , H01J37/32568 , H01J37/3266 , H01J37/32724 , H01J2237/3321 , H01J2237/3328 , H05H1/24 , H05H1/42 , H05H1/46 , H05H2001/466
Abstract: 本发明提供了一种通过等离子体增强的化学气相沉积形成涂层的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。
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