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公开(公告)号：CN117083148B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280025545.0
申请日：2022-03-02
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: B23K35/363 , B23K35/26 , C22C13/00
Abstract: 一种助焊剂，其为包含基体树脂、活性剂、触变剂、溶剂以及焊料接合不良抑制剂的助焊剂，所述焊料接合不良抑制剂为包含由式(1)表示的结构单元以及由式(2)表示的结构单元的共聚体，所述共聚体的重均分子量为1000以上且100000以下，相对于所述助焊剂整体，所述焊料接合不良抑制剂为1质量％以上且25质量％以下的量。式(1)中，R1为碳数1～24的饱和或不饱和的直链状、支链状或环状的烷基、或者取代或非取代的芳基，式(2)中，R2为由式(2‑1)表示的基团，式(2‑1)中，n为1～30的整数，R21为氢原子或碳数1～6的烷基，R22为碳数1～6的直链、支链或环式的亚烷基，#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112913339B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201980069254.X
申请日：2019-09-04
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种向涂布对象物(B)涂布焊膏的涂布方法，该涂布方法包括：以在涂布对象物(B)的接合区域(P)内形成非涂布区域(N)的方式，向至少一部分位于所述接合区域(P)内的涂布区域(T)涂布焊膏的工序，所述涂布区域(T)具有在绕所述接合区域(P)的中心(O)的周向上隔开间隔地配置的多个周边区域(A1)。
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公开(公告)号：CN118737856A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410376410.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 本发明的电子装置的制造方法包括：焊料凸块形成工序，该工序使热固化性助焊剂以及热固化性焊膏中的至少一者的上部固定材料与半导体芯片的下表面的电极部接触，并且将由低熔点焊料构成的焊料球的上部接合于半导体芯片的下表面的电极部，从而形成焊料凸块；以及安装工序，该工序将与半导体芯片接合的焊料凸块的下部接合于安装基板的上表面的电极部，在焊料凸块形成工序中，上部固定材料中的助焊剂残渣的树脂固化物成为保持在半导体芯片的下表面和所述焊料凸块的上部的状态。
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公开(公告)号：CN117083148A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280025545.0
申请日：2022-03-02
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: B23K35/363
Abstract: 一种助焊剂，其为包含基体树脂、活性剂、触变剂、溶剂以及焊料接合不良抑制剂的助焊剂，所述焊料接合不良抑制剂为包含由式(1)表示的结构单元以及由式(2)表示的结构单元的共聚体，所述共聚体的重均分子量为1000以上且100000以下，相对于所述助焊剂整体，所述焊料接合不良抑制剂为1质量％以上且25质量％以下的量。式(1)中，R1为碳数1～24的饱和或不饱和的直链状、支链状或环状的烷基、或者取代或非取代的芳基，式(2)中，R2为由式(2‑1)表示的基团，式(2‑1)中，n为1～30的整数，R21为氢原子或碳数1～6的烷基，R22为碳数1～6的直链、支链或环式的亚烷基，#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112913339A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980069254.X
申请日：2019-09-04
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种向涂布对象物(B)涂布焊膏的涂布方法，该涂布方法包括：以在涂布对象物(B)的接合区域(P)内形成非涂布区域(N)的方式，向至少一部分位于所述接合区域(P)内的涂布区域(T)涂布焊膏的工序，所述涂布区域(T)具有在绕所述接合区域(P)的中心(O)的周向上隔开间隔地配置的多个周边区域(A1)。
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