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公开(公告)号:CN109643663A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201780051107.0
申请日:2017-08-17
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 提供热循环耐性和散热性优异的金属烧结接合体。对于本发明的金属烧结接合体,将基板与芯片接合,金属烧结接合体与芯片对置的矩形状区域的至少中央部和角部具有低于矩形状区域的平均孔隙率的低孔隙率区域,低孔隙率区域位于以矩形状区域的对角线为中心线的带状区域内。
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公开(公告)号:CN109643663B
公开(公告)日:2020-03-17
申请号:CN201780051107.0
申请日:2017-08-17
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 提供热循环耐性和散热性优异的金属烧结接合体。对于本发明的金属烧结接合体,将基板与芯片接合,金属烧结接合体与芯片对置的矩形状区域的至少中央部和角部具有低于矩形状区域的平均孔隙率的低孔隙率区域,低孔隙率区域位于以矩形状区域的对角线为中心线的带状区域内。
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公开(公告)号:CN107000133A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201580061775.2
申请日:2015-11-06
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: B23K35/363
CPC classification number: B23K35/362 , B23K35/3612 , B23K35/3613 , B23K35/3616 , F16B5/08
Abstract: 提供一种焊膏用助焊剂,能够抑制在如BGA等的半导体封装体那样的薄型化的部件中所出现的自电极的剥离。该焊膏用助焊剂含有松香、二醇醚类溶剂、有机酸、触变剂、卤素化合物、咪唑化合物,卤素化合物为胺氢卤酸盐、有机卤素化合物中的任一者、或者它们的组合。将胺氢卤酸盐的添加量设为X(重量%)、将有机卤素化合物的添加量设为Y(重量%)时,为满足2.5‑X‑0.625Y≥0的范围。其中,胺氢卤酸盐的添加量X(重量%)与有机卤素化合物的添加量Y(重量%)为0≤X≤2.5、0≤Y≤4,不包括0≤X
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公开(公告)号:CN119585073A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202380054670.9
申请日:2023-07-21
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: B23K35/363 , B23K35/26 , C22C13/00
Abstract: 本发明的助焊剂的特征在于,含有松香、溶剂、触变剂、胺氢碘酸盐和活性剂(其中,胺氢碘酸盐除外),胺氢碘酸盐含有杂脂环式胺氢碘酸盐。作为该杂脂环胺氢碘酸盐,优选选自哌啶氢碘酸盐和甲基哌啶氢碘酸盐中的至少一种。根据该助焊剂,能够进一步抑制焊接时空隙的产生。
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公开(公告)号:CN112272851B
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN201980039267.2
申请日:2019-03-20
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于,提供制成烧结体时的电阻值低、导电性优异的导电性糊料和其烧结体。导电性糊料,其包含具有15μm以下的中位直径D50的薄片状银粉、具有25μm以上的中位直径D50的银粉和溶剂,相对于前述薄片状银粉与前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的总计100质量份,前述薄片状银粉的含量为15~70质量份,前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的含量为30~85质量份。
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公开(公告)号:CN119585072A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202380054616.4
申请日:2023-07-21
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: B23K35/363 , B23K35/26 , C22C13/00
Abstract: 本发明的助焊剂是含有松香、溶剂、触变剂、硫醇化合物和活性剂的助焊剂,其特征在于,硫醇化合物含有具有苯环上的1个以上氢原子被巯基(‑SH)取代而成的苯硫酚骨架的化合物(Tp)。作为该化合物(Tp),优选为选自2‑氨基苯硫酚、4‑氨基苯硫酚、3‑氨基苯硫酚和苯硫酚中的至少一种硫醇化合物。根据该助焊剂,能够进一步抑制焊膏的经时的粘度变化。
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公开(公告)号:CN112272851A
公开(公告)日:2021-01-26
申请号:CN201980039267.2
申请日:2019-03-20
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于,提供制成烧结体时的电阻值低、导电性优异的导电性糊料和其烧结体。导电性糊料,其包含具有15μm以下的中位直径D50的薄片状银粉、具有25μm以上的中位直径D50的银粉和溶剂,相对于前述薄片状银粉与前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的总计100质量份,前述薄片状银粉的含量为15~70质量份,前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的含量为30~85质量份。
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