金属烧结接合体和芯片接合方法

    公开(公告)号:CN109643663A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201780051107.0

    申请日:2017-08-17

    Inventor: 竹政哲 上岛稔

    Abstract: 提供热循环耐性和散热性优异的金属烧结接合体。对于本发明的金属烧结接合体,将基板与芯片接合,金属烧结接合体与芯片对置的矩形状区域的至少中央部和角部具有低于矩形状区域的平均孔隙率的低孔隙率区域,低孔隙率区域位于以矩形状区域的对角线为中心线的带状区域内。

    金属烧结接合体和芯片接合方法

    公开(公告)号:CN109643663B

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201780051107.0

    申请日:2017-08-17

    Inventor: 竹政哲 上岛稔

    Abstract: 提供热循环耐性和散热性优异的金属烧结接合体。对于本发明的金属烧结接合体,将基板与芯片接合,金属烧结接合体与芯片对置的矩形状区域的至少中央部和角部具有低于矩形状区域的平均孔隙率的低孔隙率区域,低孔隙率区域位于以矩形状区域的对角线为中心线的带状区域内。

    导电性糊料和烧结体
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112272851B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201980039267.2

    申请日:2019-03-20

    Abstract: 本发明的目的在于,提供制成烧结体时的电阻值低、导电性优异的导电性糊料和其烧结体。导电性糊料,其包含具有15μm以下的中位直径D50的薄片状银粉、具有25μm以上的中位直径D50的银粉和溶剂,相对于前述薄片状银粉与前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的总计100质量份,前述薄片状银粉的含量为15~70质量份,前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的含量为30~85质量份。

    导电性糊料和烧结体
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112272851A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN201980039267.2

    申请日:2019-03-20

    Abstract: 本发明的目的在于,提供制成烧结体时的电阻值低、导电性优异的导电性糊料和其烧结体。导电性糊料,其包含具有15μm以下的中位直径D50的薄片状银粉、具有25μm以上的中位直径D50的银粉和溶剂,相对于前述薄片状银粉与前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的总计100质量份,前述薄片状银粉的含量为15~70质量份,前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的含量为30~85质量份。

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