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公开(公告)号：CN113782742A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110948062.5
申请日：2021-08-18
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法，所述锂离子电池负极材料以一维氧化钨纳米线复合一维掺氮的碳纳米纤维，形成嵌入型结构；其制备方法是水热法和静电纺丝法结合。首先水热法制备纳米线结构的蓝色氧化钨，随后依次加入DMF和PAN在70℃下搅拌，随后静电纺丝，再经过两次退火得到氧化钨与掺氮碳纳米纤维的复合材料。随后采取推浆法制备得到锂离子电池负极材料。本发明提升了氧化钨作为负极材料的电池的电学性能，优化了现有的氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的制备技术，与纯氧化钨负极体系相比，该电池具有更高的初始库伦效率，更优异的倍率性能和更长的循环性能。
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公开(公告)号：CN113782742B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110948062.5
申请日：2021-08-18
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法，所述锂离子电池负极材料以一维氧化钨纳米线复合一维掺氮的碳纳米纤维，形成嵌入型结构；其制备方法是水热法和静电纺丝法结合。首先水热法制备纳米线结构的蓝色氧化钨，随后依次加入DMF和PAN在70℃下搅拌，随后静电纺丝，再经过两次退火得到氧化钨与掺氮碳纳米纤维的复合材料。随后采取推浆法制备得到锂离子电池负极材料。本发明提升了氧化钨作为负极材料的电池的电学性能，优化了现有的氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的制备技术，与纯氧化钨负极体系相比，该电池具有更高的初始库伦效率，更优异的倍率性能和更长的循环性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109855741A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910100943.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 华东师范大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种室温高灵敏SOS衬底器件太赫兹直接检测系统，该系统包括：太赫兹源、一组（2个）抛物面反射镜、TTL控制信号线、硅基SOS衬底太赫兹检测器、直流偏置电压源、低噪声放大器及锁相放大器。在室温条件下，用直接检测的方法，对硅基SOS衬底太赫兹检测器进行了太赫兹信号检测。对310 GHz的接收信号，偏置电流5mA,测量系统的电压响应率约为3375V/W,斩波频率为1 kHz以上时，系统的噪声电压为6 nV/ Hz1/2,测量系统的NEP约为1.8×10-12 W/Hz1/2。对648 GHz的接收信号，偏置电流5mA,测量系统的电压响应率约为1175 V/W,斩波频率为1 kHz以上时，系统的噪声电压为6 nV/ Hz1/2测量系统的NEP约为5.2×10-12 W/Hz1/2。本发明具有频带宽和灵敏度高的特点，在太赫兹功率探测和太赫兹成像方面具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN114188475A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111390963.3
申请日：2021-11-23
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频相变开关的加热电极嵌入衬底上表面，后依次沉积隔热层、Ge‑Sb‑Te基相变层和射频传输层，每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现，其中Ge‑Sb‑Te基相变层依靠脉冲激光沉积技术实现，嵌入式加热电极通过反应离子刻蚀工艺和电子束蒸发工艺结合来实现。相变射频开关通过脉冲加热使相变材料发生晶态非晶态的转变的同时电阻率发生巨大的变化来实现射频传输的开关。本发明实施例中的相变射频开关的加热方式是嵌入式间接加热，通过使用更厚、更低电阻的加热电极降低了所需的驱动电压，以低制造成本实现了高性能，同时增加了整体器件的平整度和可靠性。
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公开(公告)号：CN108254071A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810015136.8
申请日：2018-01-08
Applicant: 华东师范大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种室温高灵敏太赫兹直接检测系统，该系统包括：太赫兹源、一组抛物面反射镜、控制信号线、太赫兹聚焦透镜、硅基太赫兹检测器、直流偏置电压源、低噪声放大器及锁相放大器，在室温条件下，用直接检测的方法，对硅基太赫兹探测器进行了太赫兹信号检测。对340 GHz的接收信号，检测器的偏置电流4mA,系统的电压响应率优于1000 V/W,斩波频率为1 kHz时，系统的噪声电压为6nV/Hz1/2，系统的等效噪声功率（NEP）优于6×10‑12 W/Hz1/2。对650 GHz的接收信号，检测器的偏置电流4mA，系统的电压响应率优于200 V/W，斩波频率为1 kHz时，系统的噪声电压为6nV/Hz1/2，系统的NEP约优于3×10‑11 W/Hz1/2。本发明具有频带宽和灵敏度高的特点，在太赫兹功率探测和太赫兹成像方面具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN115528168A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211198007.X
申请日：2022-09-29
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于加热器异面结构低寄生电容相变射频开关及制备方法，所述的射频开关包括衬底，一层相变材料层，一层加热元件层，一层隔热层，一层钝化层和一层射频传输层。处于相变材料层之下的加热元件先向外横向延伸后利用硅通孔技术向下穿透衬底与加热元件的终端电路连接起来，使加热元件终端电路位于加热元件的下方。加热元件终端电路位于相对于相变材料层和射频传输层的不同层间水平，最终实现减少寄生电容的目的，提高了整体器件的射频传输性能。
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公开(公告)号：CN114188476A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111391172.2
申请日：2021-11-23
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频相变开关采用四层加工工艺。由下往上分别为加热层、隔热层、Ge‑Sb‑Te基相变层和射频传输层，每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现，其中Ge‑Sb‑Te基相变层依靠脉冲激光沉积技术实现，加热方式为间接加热。相变射频开关通过脉冲加热使相变材料发生晶态非晶态的转变的同时电阻率发生巨大的变化来实现射频传输的开关。本发明实施例中的相变射频开关是在已有的成熟硅半导体加工工艺基础上来制作间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关，从而在可以提高相变开关可靠性的同时，使相变开关的制作工艺变得更简单，成本更低且集成度更好。
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