公开(公告)号：CN114188475A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111390963.3

申请日：2021-11-23

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  李明 ,  周鑫 ,  李树兵 ,  侯张晨 ,  王林 ,  张金中 ,  姜凯 ,  商丽燕 ,  李亚巍 ,  褚君浩

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种嵌入式间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频相变开关的加热电极嵌入衬底上表面，后依次沉积隔热层、Ge‑Sb‑Te基相变层和射频传输层，每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现，其中Ge‑Sb‑Te基相变层依靠脉冲激光沉积技术实现，嵌入式加热电极通过反应离子刻蚀工艺和电子束蒸发工艺结合来实现。相变射频开关通过脉冲加热使相变材料发生晶态非晶态的转变的同时电阻率发生巨大的变化来实现射频传输的开关。本发明实施例中的相变射频开关的加热方式是嵌入式间接加热，通过使用更厚、更低电阻的加热电极降低了所需的驱动电压，以低制造成本实现了高性能，同时增加了整体器件的平整度和可靠性。

公开(公告)号：CN118973374A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411027059.X

申请日：2024-07-30

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  侯张晨 ,  张金中 ,  李亚巍 ,  商丽燕 ,  朱亮清 ,  褚君浩

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的多端口C型射频开关，所述的多端口C型射频开关是在Si‑SiO2衬底上通过单片集成SPST相变射频开关所制备的，具有四个端口。多端口C型射频开关自下而上包括依次设置的衬底层、底电极层、相变开关功能层、顶电极层、钝化层和射频传输层。与SPnT相变射频开关相比，使用多端口C型射频开关作为基本的构建块，可减少可重构射频系统所需的开关总数，以简化系统设计，增加系统的灵活性。

公开(公告)号：CN118742193A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410865923.7

申请日：2024-07-01

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  侯张晨 ,  张金中 ,  李亚巍 ,  商丽燕 ,  朱亮清 ,  褚君浩

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明涉及一种GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及制备方法和射频开关，所述制备方法，采用磁控溅射方式，在Si‑SiO2基衬底上实现了GeTe和Sb相变薄膜材料交替堆叠组成的类超晶格相变开关层。本发明还提供一种GeTe/Sb类超晶格相变射频开关，包括由下至上依次设置的衬底层、底电极层、相变开关功能层、顶电极层、钝化层和射频传输层。本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜热稳定性好，通过采用GeTe/Sb类超晶格相变材料作为相变开关功能层，得到高速、低功耗、高开关比、优良射频性能的相变射频开关，有望应用于可重构无线通信系统中。

公开(公告)号：CN118541024A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410650701.3

申请日：2024-05-24

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  李树兵 ,  曹爱萍 ,  王家宁 ,  侯张晨 ,  唐建立 ,  金师磊 ,  商丽燕 ,  李亚巍 ,  褚君浩

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频开关包括衬底、一层底电极层、一层相变材料层和一层顶电极层，每层材料均通过电子束曝光和物理气相沉积分别实现图案化和生长制备。此外，通过电脉冲/光脉冲可以作为加热源精确控制温度，从而将相变材料在非晶态和晶态之间可逆切换，进而实现相变开关的截止与导通。本发明实例中的相变射频开关基于成熟的互补金属氧化物半导体工艺，不仅可以提高器件的可靠性，同时可以减少射频开关传输损耗，提高传输效率。

公开(公告)号：CN118338765A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410525485.X

申请日：2024-04-29

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  唐建立 ,  王家宁 ,  金师磊 ,  李树兵 ,  侯张晨 ,  商丽燕 ,  李亚巍 ,  龚士静

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10N79/00

Abstract: 本发明公开了一种基于超低晶态电阻Ge‑Te基相变薄膜射频开关阵列及制备方法，所述的射频开关包括衬底、底电极层即加热元件层，相变层、绝缘层、顶电极层即射频传输层、地导体层、钝化层和共地金属连接层。处于相变层之下的加热元件通过经纬线方式有序排布，且利用硅通孔技术向下穿透钝化层，将地导体层地连接。加热元件层和射频传输层通过绝缘层隔开有效避免信号之间相互干扰，提高了整体器件的射频传输性能。

公开(公告)号：CN115528168A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211198007.X

申请日：2022-09-29

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  李明 ,  周鑫 ,  李树兵 ,  侯张晨 ,  王林 ,  崔安阳 ,  张金中 ,  姜凯 ,  商丽燕 ,  李亚巍 ,  褚君浩

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于加热器异面结构低寄生电容相变射频开关及制备方法，所述的射频开关包括衬底，一层相变材料层，一层加热元件层，一层隔热层，一层钝化层和一层射频传输层。处于相变材料层之下的加热元件先向外横向延伸后利用硅通孔技术向下穿透衬底与加热元件的终端电路连接起来，使加热元件终端电路位于加热元件的下方。加热元件终端电路位于相对于相变材料层和射频传输层的不同层间水平，最终实现减少寄生电容的目的，提高了整体器件的射频传输性能。