公开(公告)号：CN104341006A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310317889.1

申请日：2013-07-25

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 张庆锋 ,  郁可 ,  朱自强 ,  宋长清

IPC: C01G39/06 ,  C01B31/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01G39/06 ,  C01B32/16 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/133 ,  C01P2004/30

Abstract: 本发明公开了一种三维MoS2@MWNTs纳米结构，其包括均匀交叉在一起的MoS2和MWNTs，MWNTs表面上覆盖多层MoS2纳米层和MoS2纳米突起，形成三维MoS2@MWNTs纳米结构。本发明还提供了三维MoS2@MWNTs纳米结构的制备方法，利用水热法MoS2和MWNTs在多元醇协助下制备得到大面积的MoS2@MWNTs纳米半导体材料。本发明操作简单、成本低、重复性好、可实现规模生产，在光催化性能、电化学以及场发射研究领域中有极大应用潜力。