公开(公告)号：CN118475223A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410630175.4

申请日：2024-05-21

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  唐建立 ,  金师磊 ,  周星辰 ,  王家宁 ,  商丽燕 ,  李亚巍 ,  龚士静

IPC: H10N70/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/04 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种基于Ge‑Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵及制备方法，所述的开关矩阵包括衬底，相变层、电极层、地导体层、绝缘层和钝化层。针对相变层与电极层成连珠式错层排布。不同功能的电极层通过绝缘层隔开有效避免发生短路以及信号之间相互干扰的问题，同时多层多通道结构保证了当矩阵中某一层通道皆出现损毁时，仍能够保证信号在另一层通道上正常传输。并且通过进一步堆叠设计，在不维修损毁层开关的前提下，仍能够实现多层多通道立体开关矩阵的信号传输。

公开(公告)号：CN118541024A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410650701.3

申请日：2024-05-24

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  李树兵 ,  曹爱萍 ,  王家宁 ,  侯张晨 ,  唐建立 ,  金师磊 ,  商丽燕 ,  李亚巍 ,  褚君浩

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频开关包括衬底、一层底电极层、一层相变材料层和一层顶电极层，每层材料均通过电子束曝光和物理气相沉积分别实现图案化和生长制备。此外，通过电脉冲/光脉冲可以作为加热源精确控制温度，从而将相变材料在非晶态和晶态之间可逆切换，进而实现相变开关的截止与导通。本发明实例中的相变射频开关基于成熟的互补金属氧化物半导体工艺，不仅可以提高器件的可靠性，同时可以减少射频开关传输损耗，提高传输效率。

公开(公告)号：CN118338765A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410525485.X

申请日：2024-04-29

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  唐建立 ,  王家宁 ,  金师磊 ,  李树兵 ,  侯张晨 ,  商丽燕 ,  李亚巍 ,  龚士静

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10N79/00

Abstract: 本发明公开了一种基于超低晶态电阻Ge‑Te基相变薄膜射频开关阵列及制备方法，所述的射频开关包括衬底、底电极层即加热元件层，相变层、绝缘层、顶电极层即射频传输层、地导体层、钝化层和共地金属连接层。处于相变层之下的加热元件通过经纬线方式有序排布，且利用硅通孔技术向下穿透钝化层，将地导体层地连接。加热元件层和射频传输层通过绝缘层隔开有效避免信号之间相互干扰，提高了整体器件的射频传输性能。