公开(公告)号：CN114899240A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210517583.X

申请日：2022-05-13

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 张金中 ,  王强飞 ,  姜睿琪 ,  高照潭 ,  胡志高 ,  褚君浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/29 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种具有铟保护层的二硫化铪晶体管及其制备方法，所述晶体管以铟作为保护层，二硫化铪作为沟道。首先，通过机械剥离法使用3M思高胶带从二硫化铪块材上剥离出二硫化铪层状材料；然后，将附着有二硫化铪材料的胶带粘到黏性凝胶膜上，通过光学显微镜观察并选择厚度合适、质地均匀的二维层状材料；接着，将其转移到硅/二氧化硅衬底上；再用热蒸发技术在二维材料表面蒸镀一层铟作为保护层，利用掩膜版蒸镀金属电极，由此制备所述的晶体管。本发明所用材料安全环保，成本低廉，不仅得到了光电性能好的微电子器件，还保护了沟道材料，达到了延长器件寿命的目的。

公开(公告)号：CN116314283A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310220086.8

申请日：2023-03-09

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 张金中 ,  高照潭 ,  姜睿琪 ,  邓梦晗 ,  王强飞 ,  赵灿 ,  洪子安 ,  胡志高 ,  褚君浩

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种正负光电导切换的场效应晶体管及其制备方法，能够实现在不同激光功率密度下正/负光电导切换的功能，所制备晶体管以石墨烯作为沟道层，硒化铟作为光吸收层。制备过程如下：首先，采用机械剥离法制备六方氮化硼、石墨烯以及硒化铟；其次，借助转移台将其分别转移到经过超声处理的硅/二氧化硅衬底上；然后，利用铜网掩膜法对其进行图案化处理；最后，借助热蒸发镀膜仪沉积金电极，至此完成晶体管的制备。本发明所制备晶体管结构简单、制备过程易操作，进一步丰富了二维材料的功能特性。

公开(公告)号：CN113990943A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111149104.5

申请日：2021-09-29

Applicant: 华东师范大学重庆研究院

Inventor： 张金中 ,  张清 ,  熊浩 ,  王强飞 ,  李文武 ,  李亚巍 ,  胡志高 ,  褚君浩

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明涉及一种铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器自下而上由基硅基片、铁酸铋基铁电层、氧化铝介质层、硫化钼沟道层、金源漏电极组成；采用溶胶‑凝胶法在重掺杂的硅衬底制备镧和锰共掺杂的铁酸铋薄膜作为铁电层；借助原子层沉积技术生长三氧化二铝作为介质层；采用机械剥离法制备二硫化钼作为晶体管沟道层；借助热蒸发技术蒸镀金属源漏电极。本发明的特点在于利用铁电材料的自发极化效应，调控二维层状半导体中载流子浓度与迁移率等基本物理量，实现对二维材料电学性能的非易失性调控；三氧化二铝的引入可以降低铁电层的漏电和回滞窗口，继而大大改善器件的存储稳定性，为未来的铁电存储器件的应用提供了参考。