一种低银芯壳结构金属浆料的异质结太阳能电池

    公开(公告)号:CN119050170A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411126194.X

    申请日:2024-08-16

    Abstract: 本发明公开了一种低银芯壳结构金属浆料的异质结太阳能电池,通过改良低温浆料配方,采用低廉金属铜取代贵金属银,形成低银含量浆料,显著降低了成本。通过调节浆料中的银、铜掺杂比例,采用银‑铜芯壳结构,既保留了银的优良导电性,又防止了铜的氧化和复合物产生,从而实现了在浆料中低廉金属替代高价格的银。本发明通过优化电池工艺控制、引入新型材料和匹配组件技术创新,有效规避了银壳破损导致的低成本金属裸露、扩散至电池内部形成复合中心的风险,从而防止电池效率下降。本发明极大地提升了低银含金属浆料在电池端和组件端的双向使用可靠性,降低了生产成本,同时提高了电池的整体效率和稳定性,适用于大规模工业化生产和广泛的应用场景。

    背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN114520271A

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202210078428.2

    申请日:2022-01-24

    Abstract: 本发明公开了一种背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法,其特点是该制备方法是在玻璃/ITO/CdS/Sb2(S,Se)3/Au顶衬结构上,采用旋凃成膜的NiOx空穴传输层在Sb2(S,Se)3薄膜构建背电场,即在硒硫化锑吸收层表面旋涂一层铜掺杂NiOx纳米颗粒作为空穴传输材料。本发明与现有技术相比具有调控和优化背电极界面能级排列,降低界面复合损失等优点,通过铜掺杂NiOx空穴传输层策略,有效解决Sb2(S,Se)3半导体材料高功函数导致背接触势垒问题,提高了器件光伏性能,为高效且低成本的硒硫化锑薄膜太阳能电池制备提供了一种技术方案。

    一种锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫太阳能电池吸收层制备方法

    公开(公告)号:CN114188442A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202111499816.X

    申请日:2021-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫太阳能电池吸收层制备方法,其特点是该方法包括:将硫酸铜、硫酸锌、硫酸亚锡、硫代硫酸钠、柠檬酸钠和酒石酸钾等化学试剂按一定摩尔比溶解于去离子水溶液中;然后在金属钼背电极上电化学沉积四元铜锌锡硫预制层;再将预制层与锑源粉末进行硫化退火;最后获得到上述锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层材料。本发明与现有技术相比具有光电性能得到大幅度的提高等优点,较好的解决了电化学沉积铜锌锡硫薄膜太阳能吸收层掺杂的技术难题,通过调控硫化退火过程中锑源的量即可对铜锌锡硫薄膜中锑元素进行精准控制,制备工艺简单,重复性好,成本低廉,具有较好的研究与推广利用价值。

    一种用于大面积热蒸法沉积薄膜太阳能电池吸收层的真空镀膜机

    公开(公告)号:CN108048802A

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201810051634.8

    申请日:2018-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种用于大面积热蒸法沉积薄膜太阳能电池吸收层的真空镀膜机,包括真空腔室、连续送料机构、横向输送机构、蒸发沉积机构及纵向移动机构;采用连续送料机构实施粉末材料的连续摆动式送料,蒸发沉积机构使得粉末材料充分气化沉积,最终由沉积喷头的小孔喷出,形成莲蓬状的气流均匀沉积在基板上;采用横向输送机构及纵向移动机构控制真空腔室内基板的水平横向运动及控制蒸发沉积机构相对于基板的水平纵向运动,完成蒸发沉积机构的沉积喷头相对于基板进行全平面的镀膜。具有可控性强、膜厚的均匀性好、结构紧凑及工作效率高的优点。

    一种用于大面积热蒸法沉积薄膜太阳能电池吸收层的真空镀膜机

    公开(公告)号:CN108048802B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN201810051634.8

    申请日:2018-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种用于大面积热蒸法沉积薄膜太阳能电池吸收层的真空镀膜机,包括真空腔室、连续送料机构、横向输送机构、蒸发沉积机构及纵向移动机构;采用连续送料机构实施粉末材料的连续摆动式送料,蒸发沉积机构使得粉末材料充分气化沉积,最终由沉积喷头的小孔喷出,形成莲蓬状的气流均匀沉积在基板上;采用横向输送机构及纵向移动机构控制真空腔室内基板的水平横向运动及控制蒸发沉积机构相对于基板的水平纵向运动,完成蒸发沉积机构的沉积喷头相对于基板进行全平面的镀膜。具有可控性强、膜厚的均匀性好、结构紧凑及工作效率高的优点。

    太阳能电池及其制备方法和光伏组件

    公开(公告)号:CN117855293A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311156208.8

    申请日:2023-09-07

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件,太阳能电池包括以下结构:衬底,在衬底的第一表面上依次层叠设置的第一钝化层、N型掺杂硫化锌层以及第一透明导电氧化物层,以及在衬底的第二表面上依次层叠设置的第二钝化层、P型掺杂层以及第二透明导电氧化物层;其中,第一钝化层包括二氧化硅层。作为衬底与N型掺杂层之间的第一钝化层包括二氧化硅层,以及使用硫化锌作为N型掺杂层,有效减少表面反射,也减少表面复合速率,增强陷光效应和提高载流子寿命来改善衬底的电性能。上述结构的太阳能电池具有加高的外部量子效率、短波长范围(紫外线区域)的光谱响应、较低的长波长(近红外区域)光子的透过率和几乎没有紫外线引起的衰减问题。

    背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN114520271B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202210078428.2

    申请日:2022-01-24

    Abstract: 本发明公开了一种背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法,其特点是该制备方法是在玻璃/ITO/CdS/Sb2(S,Se)3/Au顶衬结构上,采用旋凃成膜的NiOx空穴传输层在Sb2(S,Se)3薄膜构建背电场,即在硒硫化锑吸收层表面旋涂一层铜掺杂NiOx纳米颗粒作为空穴传输材料。本发明与现有技术相比具有调控和优化背电极界面能级排列,降低界面复合损失等优点,通过铜掺杂NiOx空穴传输层策略,有效解决Sb2(S,Se)3半导体材料高功函数导致背接触势垒问题,提高了器件光伏性能,为高效且低成本的硒硫化锑薄膜太阳能电池制备提供了一种技术方案。

    一种大尺寸硅片减薄异质结太阳能电池

    公开(公告)号:CN119029066A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411126191.6

    申请日:2024-08-16

    Abstract: 本发明涉及一种大尺寸硅片减薄的异质结太阳能电池,重点在于通过优化生产设备设计,实现对210 mm大尺寸与110 μm薄硅片的有效处理。通过控制硅片减薄和吸杂过程中引起的破损率,将碎片率降低至0.45%。通过降低硅片厚度以减少材料成本,同时结合异质结技术中的低温双面钝化接触工艺及完全对称的电池结构,有效地解决了超薄硅片对异质结电池效率的负面影响。本发明在应对超薄硅片易碎特性方面表现出色,通过改善生产过程中的硅片处理,提高了电池的良品率。本发明在异质结太阳能电池领域通过创新的硅片减薄和优化生产工艺,成功提升了产品性能和生产效率,为大尺寸薄硅片的工业应用提供了可靠的技术解决方案。

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