-
公开(公告)号：CN119906279A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510318661.7
申请日：2025-03-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种针对三相交错独立母线LLC的软开关分析方法及系统，方法包括：根据三相交错独立母线LLC的工作状态，得到等效电路，并通过基尔霍夫电压定律，得到阶梯电压两电平与励磁电流之间的第一关系方程、第二关系方程；根据所述第一关系方程、所述第二关系方程，得到阶梯电压两电平之间的比值关系；根据五柱式三相集成变压器的电感矩阵和所述比值关系，得到励磁电流变化率方程，并通过所述励磁电流变化率方程，计算得到励磁电流峰峰值；根据所述励磁电流峰峰值和开关管等效输出电容，得到软开关实现条件。本发明能够为三相交错独立母线LLC拓扑的参数选取提供参考。
-
公开(公告)号：CN118487478A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410560545.1
申请日：2024-05-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了谐振型双向桥式变换电路的控制方法，包括：获取谐振型双向桥式变换电路，并获取电路参数；将谐振单元等效为二端口网络，获取二端口网络两侧电压、开关频率和谐振频率；根据开关频率和谐振频率，计算二端口网络等效阻抗；根据二端口网络两侧电压，计算电压增益；基于二端口网络两侧电压、二端口网络等效阻抗和电压增益，获取谐振电流；根据电路开关时刻的谐振电流和电路中的开关ZVS条件，通过调控开关频率、桥臂内移相角、桥臂间外移相角控制电路的电压增益和最小谐振电流。本发明通过小信号模型的等效分析进行控制设计，可以降低电路损耗，减小电路成本与体积，获得理想的电压增益。
-
公开(公告)号：CN118486666A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410560577.1
申请日：2024-05-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种采用芯片连接件的多芯片并联功率模块，包括：基板、设置在基板上的功率单元、芯片连接件和驱动连接件，所述基板用于提供导电载体；所述功率单元用于提供导电驱动；所述芯片连接件用于所述基板与所述功率单元的连接；所述驱动连接件用于驱动所述功率单元。本发明不仅能够实现多个功率芯片的并联连接，且相较于传统功率模块中采用键合线实现功率芯片的顶部电极的电连接，本发明能够提升动态均流能力和可靠性。
-
公开(公告)号：CN118486665A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410560427.0
申请日：2024-05-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/48 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种芯片连接件及功率模块，芯片连接件用于功率模块。芯片连接件包括：第一连接部、第二连接部及第三连接部，第一连接部用于电连接功率芯片背离基板一侧的顶部电极；第二连接部，用于电连接基板；第三连接部一端与第一连接部电连接，另一端与第二连接部电连接。功率模块包括：芯片连接件、基板及设置在基板上的功率芯片，基板和功率芯片通过芯片连接件电连接。本申请可以通过综合优化芯片连接件的材料比例和厚度实现低热阻，高可靠性的功率模块；功率开关管芯片的驱动信号线采用Kelvin连接方式，增强了驱动的可靠性。
-
公开(公告)号：CN111408869A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010281490.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电子制造技术领域，并具体公开了用于低温键合的微纳米铜颗粒焊膏及其制备方法和应用。该制备方法包括：将微米铜颗粒清洗去除杂质，然后烘干备用；将烘干后的微米铜颗粒置于预设环境中进行氧化，从而在其表面形成纳米铜氧化物；将氧化后的微米铜颗粒置于还原剂中进行还原，使得表面的纳米铜氧化物还原为纳米铜颗粒，获得微纳米铜颗粒；向微纳米铜颗粒中加入有机增稠剂，经搅拌、脱泡处理后形成微纳米铜颗粒焊膏。本发明利用预氧化和还原过程，使得微米铜颗粒表面及间隙形成了纳米结构，并利用其小尺寸效应有效降低了键合温度，满足功率器件封装应用要求，解决了工艺复杂、成本高的问题，并且满足了“低温服役、高温互连”的应用需求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119943781A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510094309.X
申请日：2025-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/38 , H01L23/473 , H10N10/13
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件高效主动散热结构及其制备方法，高效主动散热结构包括：含液体流动通道的热端基板10、冷端基板16，含液体流动通道的热端基板10与冷端基板16平行，且含液体流动通道的热端基板10与冷端基板16之间有交替排列的P型半导体17和N型半导体18，冷端基板16的外表面设置有第三电路层19，用于与功率半导体芯片22相连。本发明提出的散热结构可极大降低半导体制冷器热端基板的温度，提升制冷效率，避免热界面材料引起较大接触热阻的问题，实现功率半导体器件高效主动散热。
-
公开(公告)号：CN119921575A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510085677.8
申请日：2025-01-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成三相Boost‑LLC拓扑及调制方法，包括：变压器及连接在所述变压器两侧的原边电路和副边电路；所述原边电路包括前级三相交错Boost电路和后级三相LLC谐振电路，所述前级三相Boost电路包括六个开关管和三个扼流圈电感，三个电感连接在输入和三相桥臂中点间，六个开关管位于中间母线正、负极之间，同时该六个开关管被复用作为后级三相LLC的逆变桥臂，所述后级LLC谐振电路连接在三相桥臂后；所述副边电路包括三相整流桥，由六个开关管组成，连接在变压器副边，直流输出连接输出滤波电容和负载。本发明通过桥臂复用使得器件数量减少，同时实现较宽的调压范围以及便于实现同步整流。
-
公开(公告)号：CN118539713A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410589428.8
申请日：2024-05-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提出了一种三相功率系统，包括：内嵌金属端子的外壳；所述外壳内部设置有三相DBC基板和键合线阵列；所述三相DBC基板上设置有功率芯片组和驱动电阻；所述键合线阵列分别与所述三相DBC基板、所述功率芯片组和所述外壳连接；所述功率芯片组中功率芯片的背面均与所述三相DBC基板固定连接，所述功率芯片组中功率芯片的正面均通过所述键合线阵列中的键合线与所述三相DBC基板连接。本发明的三相功率系统通过回路布局优化获得更好的互感抵消效果，降低了主功率回路的寄生电感；所述三相功率模块驱动电路采用开尔文连接，降低与主功率电路间的耦合；所述三相功率模块根据调节驱动电阻值来实现功率芯片组在开关时刻更好的电流均衡。
-
公开(公告)号：CN118413221A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410560494.2
申请日：2024-05-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K17/687 , H03K19/00
Abstract: 本发明公开一种多芯片并联的门级驱动回路全耦合电感电路拓扑，包括：功率回路和多芯片门级驱动回路；所述功率回路用于提供能量及通流回路；所述多芯片门级驱动回路用于驱动芯片门级开关动作，所述多芯片门级驱动回路中串联若干全耦合电感，所述全耦合电感在并联门级支路中相互耦合。本发明通过该拓扑在每个门极支路中串入较大的感性元件增大阻抗，同时相同阻抗的耦合绕组避免了大电感对整个驱动回路阻抗的影响，从而实现动态电流平衡。
-
公开(公告)号：CN117862733A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410242619.7
申请日：2024-03-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米技术和半导体封装技术领域，涉及一种高导热纳米铜复合焊膏及其制备方法和应用。制备步骤为：将高导热系数纳米材料分散于铜盐混合溶液中得到分散液；分散液在还原剂作用下得到纳米铜颗粒与高导热系数纳米材料的悬浮液；将所述悬浮液经离心干燥处理得到高导热纳米铜复合颗粒；在所述高导热纳米铜复合颗粒中加入增稠剂后，经搅拌和脱泡处理即得所述高导热纳米铜复合焊膏。本发明通过在还原剂与铜盐发生还原反应的同时加入高导热掺杂纳米材料，得到分散性良好的高导热纳米铜复合焊膏，该方法制备简单、可有效缓解铜氧化问题，满足功率器件封装使用需求，有效提升纳米铜焊膏的导热性能和互连可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.029 seconds)
