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公开(公告)号:CN119920778A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202510094705.2
申请日:2025-01-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件双面散热结构及其制备方法,双面散热结构包括:由下到上依次设置有一类热端基板10、第一导体层、一类冷端基板15、一类冷端基板第三线路层16、若干功率半导体芯片18、若干热界面材料30、二类冷端基板第六线路层29、若干二类冷端基板28、第二导体层、第三导体层和二类热端基板23,其中,第一热界面材料下表面通过铜夹21和一类冷端基板第三线路层16相连,所述第二导体层和第三导体层并列排布。本发明通过在功率芯片下表面直接集成冷端基板来避免热界面材料引起较大接触热阻的问题,同时也在功率芯片上表面集成冷端基板,实现功率芯片的双面高效散热。
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公开(公告)号:CN114121910B
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202010888707.6
申请日:2020-08-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域,具体公开了一种对称布局的全桥型功率模块,其中功率芯片构成全桥电路拓扑的四个桥臂;构成两个上桥臂的功率芯片背面均焊接在绝缘基板的正极金属层上,正面通过键合线与绝缘基板的相应金属层连接;构成两个下桥臂的功率芯片背面焊接在绝缘基板的两块交流极金属层上,正面通过键合线与绝缘基板相应金属层连接,其开关管驱动电路采用开尔文连接。该功率模块在将开关管芯片去掉仅保留二极管芯片后,可实现全桥整流电路拓扑。本发明通过对铜层、功率器件和端子的布局设计,实现了两个半桥支路之间的对称以及同一半桥支路的两个换流回路之间的对称,且实现了较小的寄生电感值,降低关断过压和开关振荡。
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公开(公告)号:CN118424447A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410560347.5
申请日:2024-05-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于减振降噪技术领域,提出一种振动与噪声测试装置及方法,包括:箱体,被配置为一侧可开启;柔性层,包覆在所述箱体内壁面;待测元件,布置在所述箱体内,被配置为能够产生模拟变压器的振动,所述待测元件与所述箱体之间设置有隔振台,其中,所述待测元件的中心开设有贯通孔;检测单元,被配置为具有若干检测端、且相对布置在所述待测元件的两侧,所述检测单元用于检测所述待测元件产生的振动和噪声。本发明能够实现提高振动与噪声的检测精度以及检测效率。
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公开(公告)号:CN114152850B
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202010835430.0
申请日:2020-08-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/327 , G01R1/04 , G01R15/14 , G01R15/16
Abstract: 本发明属于功率模块测试技术领域,公开了一种用于功率模块开关性能测试的动态测试装置,包括:PCB板,位于PCB板上且依次排列的电解电容单元、薄膜电容单元和解耦电容单元;电解电容单元用于储能并为被测模块提供能量;解耦电容单元用于为被测模块提供用于减小换流路径上寄生电感值的动态换流路径,实现对母线寄生电感的动态解耦,使得被测模块能在更快的开关速度下进行测试;薄膜电容单元用于降低电解电容单元和解耦电容单元之间的振荡,进一步增加开关速度。本发明采用三级电容组的结构,能够在满足直流稳压要求的同时降低被测模块换流回路的寄生电感值,从而在动态测试中实现更快的开关速度,得到更高开关速度下的参数。
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公开(公告)号:CN115440713A
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202210764286.5
申请日:2022-06-29
Applicant: 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 , 华中科技大学 , 美的集团股份有限公司
IPC: H01L25/07
Abstract: 本申请公开了一种功率模块,包括:多个上桥臂芯片;上桥臂驱动金属层,与上桥臂芯片的第一控制端及第一输出端电连接;正电极层,与上桥臂芯片的第一输入端连接;多个下桥臂芯片;下桥臂驱动金属层,与下桥臂芯片的第二控制端及第二输入端电连接;负电极层,与下桥臂芯片的第二输出端连接;交流侧电极层,与第一输出端及第二输入端连接;基板,上桥臂驱动金属层、正电极层、下桥臂驱动金属层、负电极层及交流侧电极层同层设置在基板上;交流引出端点位于相邻两个上桥臂芯片之间连线的垂直线和相邻两个下桥臂芯片之间连线的垂直线上,正电极引出端点靠近上桥臂芯片设置,负电极引出端点靠近下桥臂芯片设置,能够减小寄生电感及提高开关性能。
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公开(公告)号:CN113497014A
公开(公告)日:2021-10-12
申请号:CN202010204449.5
申请日:2020-03-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L25/16 , H01L21/98 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联的功率模块的封装结构及封装方法,可以应用在硅功率模块以及碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体功率模块中;封装结构包括:散热基板,绝缘基板,附着于绝缘基板上的功率芯片、驱动电阻、热敏电阻,叠层绝缘块和解耦电容,键合线,灌封胶,外壳及端子;该结构通过解耦电容,为各并联的功率芯片提供了相同长度的动态换流回路,且将端子电感动态解耦,从而降低了并联的功率芯片在开关过程中的动态电流差异和关断过程中的电压尖峰;功率开关管芯片的驱动信号线采用Kelvin连接方式,增强了驱动的稳定性。本发明提供的封装方法可以为上述封装结构提供可靠的加工方法,使得该封装结构得以实现,且成本低、加工质量好。
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公开(公告)号:CN118074480B
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202410242655.3
申请日:2024-03-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M1/00 , H01L23/538 , H01L23/52 , H01L25/07 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及一种新型封装功率模块,包括:上层部件和下层部件,通过上层部件和下层部件构建叠层结构,实现三维换流回路;上层部件包括:若干个上桥臂芯片,上桥臂芯片设置在第一正电极层和第二正电极层上,若干个下桥臂芯片,下桥臂芯片设置在第一上层交流电极层和第二上层交流电极层上;下层部件包括:底层交流电极层,底层交流电极层分别与上桥臂芯片、第一上层交流电极层和第二上层交流电极层连接。本发明能够使得并联开关管芯片分组反相并联设置,相邻两组桥臂之间在同一平面内反向并联,能够减小寄生电感及提高开关性能。
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公开(公告)号:CN118694134A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410696200.9
申请日:2024-05-31
Abstract: 本发明公开了一种并联开关器件暂态电流的快速计算方法,包括:预设总计算时间,给定时间子步长进行迭代求解,在每个时间子步长内,基于开关器件参数、电路工作参数、电路寄生电感参数、器件并联数目和平均开关波形,通过主回路与驱动回路之间的互感参数计算主功率电流在驱动回路中各支路的感应电压不均衡值;通过驱动回路模型计算并联开关器件上的不均衡栅源电压;根据不均衡栅源电压计算并联开关器件之间的不均衡主功率电流;将不均衡主功率电流与平均电流相加,得到并联开关器件上的总暂态电流;判断是否达到总计算时间,若是,结束计算;否则,进入下一个时间子步长继续计算,直至计算时间达到总计算时间,计算完成并结束计算。
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公开(公告)号:CN118098991A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410242559.9
申请日:2024-03-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种覆阵列式金属复合纳米线封装基板的制备方法,属于电子制造技术领域。本发明的覆阵列式金属复合纳米线的封装基板的制备方法包括以下步骤:在陶瓷基片的一测覆盖铜箔,得到陶瓷覆铜板;取含有阵列式纳米级贯穿孔的掩模版,制备含金属层的掩模版;将所述含金属层的掩模版的含金属层的一侧与所述陶瓷覆铜板的含铜箔的一侧对准,进行热压焊接,获得覆掩模版的陶瓷基板;在所述覆掩模版的陶瓷基板上电镀阵列式金属纳米线和外部金属;进行贴膜、光刻显影和线路刻蚀。本发明通过在覆掩模版的陶瓷基板上预制阵列式金属复合纳米线来取代焊膏涂敷工艺,可实现功率器件的低成本、高可靠封装互连。
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公开(公告)号:CN114076860A
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN202010835429.8
申请日:2020-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于功率模块测试技术领域,具体公开了一种用于半桥型功率模块的电压检测装置;电压检测装置包括PCB板,位于PCB板上的正极连接孔、负极连接孔、输出电极连接孔和主功率电压测试孔;正极连接孔用于为被测模块的正极端子提供连接接口;负极连接孔用于为被测模块的负极端子提供连接接口;输出电极连接孔用于为被测模块的输出电极端子提供连接接口;主功率电压测试孔用于为被测模块中开关管上的电压测量提供接口。其中,各连接孔用于连接被测模块的端子;各电压测试孔用于连接示波器的探头,从而对各电压信号进行测量;解决了EconoDual3半桥型功率模块不便于测量的问题。
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