公开(公告)号：CN103730339A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310740176.6

申请日：2013-12-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李晓平 ,  夏金松 ,  汤自荣 ,  黄鹰 ,  卢宏 ,  史铁林 ,  刘小波 ,  谭先华

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002

Abstract: 微纳尺度图纹压印模具的制作方法，属于压印模具的精细加工方法，解决激光干涉光刻制作模具条纹尺度不够精细，而电子束光刻制作高精细图形速度过慢、不适于大面积制作的问题。本发明的一种方法，顺序包括电子束光刻、一次干法刻蚀、激光干涉光刻、二次干法刻蚀、纳米压印、微电铸步骤；本发明的另一种方法，顺序包括激光干涉光刻、一次干法刻蚀、电子束光刻、二次干法刻蚀、纳米压印、微电铸步骤。本发明结合电子束光刻制作精细和激光干涉光刻成本低、制作模具幅面尺度大的优势，将纳米尺寸图纹和微纳尺寸图纹分别制备在压印模具不同位置，制作的图纹表现力远优于传统激光干涉光刻图纹，提高了全息防伪标识和其它通过压印形成图纹产品的防伪能力。

公开(公告)号：CN103730339B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310740176.6

申请日：2013-12-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李晓平 ,  夏金松 ,  汤自荣 ,  黄鹰 ,  卢宏 ,  史铁林 ,  刘小波 ,  谭先华

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 微纳尺度图纹压印模具的制作方法，属于压印模具的精细加工方法，解决激光干涉光刻制作模具条纹尺度不够精细，而电子束光刻制作高精细图形速度过慢、不适于大面积制作的问题。本发明的一种方法，顺序包括电子束光刻、一次干法刻蚀、激光干涉光刻、二次干法刻蚀、纳米压印、微电铸步骤；本发明的另一种方法，顺序包括激光干涉光刻、一次干法刻蚀、电子束光刻、二次干法刻蚀、纳米压印、微电铸步骤。本发明结合电子束光刻制作精细和激光干涉光刻成本低、制作模具幅面尺度大的优势，将纳米尺寸图纹和微纳尺寸图纹分别制备在压印模具不同位置，制作的图纹表现力远优于传统激光干涉光刻图纹，提高了全息防伪标识和其它通过压印形成图纹产品的防伪能力。