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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101147976A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710053669.7
申请日：2007-10-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米粉末和薄膜材料的装置，其结构为：坩埚位于真空腔体的底部，衬底装置由电动机，衬底支架和衬底组成，衬底支架位于真空腔体的内腔顶部，电动机与衬底支架连接，衬底安装在衬底支架的下面；粉末收集器的收集口与真空腔体相通，送粉器安装在真空腔体的内壁上，送粉器的出粉口位于坩埚的上方，真空腔体上开有进水口、出水口和保护气体进口；高真空机组与真空腔体相连，硅整流器的正、负极分别与位于真空腔体内的钨极氩弧焊枪和坩埚连接，钨极氩弧焊枪与坩埚的距离为3－20mm之间。该装置既可以制备纳米粉末又可以沉积薄膜材料。制备的粉末纯度高，颗粒均匀；沉积的薄膜均匀，沉积速率较高，该装置的成本较低。
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公开(公告)号：CN101038265A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710051933.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。
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公开(公告)号：CN100553832C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710053669.7
申请日：2007-10-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米粉末和薄膜材料的装置，其结构为：坩埚位于真空腔体的底部，衬底装置由电动机，衬底支架和衬底组成，衬底支架位于真空腔体的内腔顶部，电动机与衬底支架连接，衬底安装在衬底支架的下面；粉末收集器的收集口与真空腔体相通，送粉器安装在真空腔体的内壁上，送粉器的出粉口位于坩埚的上方，真空腔体上开有进水口、出水口和保护气体进口；高真空机组与真空腔体相连，硅整流器的正、负极分别与位于真空腔体内的钨极氩弧焊枪和坩埚连接，钨极氩弧焊枪与坩埚的距离为3-20mm之间。该装置既可以制备纳米粉末又可以沉积薄膜材料。制备的粉末纯度高，颗粒均匀；沉积的薄膜均匀，沉积速率较高，该装置的成本较低。
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公开(公告)号：CN100547398C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710051933.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。
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公开(公告)号：CN201041559Y
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200720084694.7
申请日：2007-05-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。
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