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公开(公告)号：CN100547398C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710051933.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。
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公开(公告)号：CN1422969A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02147869.4
申请日：2002-12-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种Co－Sb系方钴矿化合物热电材料的制备方法,其步骤为:①预机械合金化处理:将原料粉末按照原子比Co∶Sb＝1∶3配比,再将原料粉末与磨球混和后进行高能球磨处理,球料重量比为10∶1～20∶1,球磨转速为180－350转/分,在保护气氛下进行球磨处理8－11小时；②等温退火处理:将经预合金化处理后的材料在真空或惰性气氛的保护下进行等温退火处理,处理温度为923～1023K,处理时间为1～3小时。本发明采用预合金化结合固相处理的两段加工方法,经机械合金化处理后的材料经短时间退火处理即可得单相CoSb3方钴矿化合物。包括机械合金化处理在内的整个材料制备过程时间至少缩短6小时；同时由于高温等温退火时间缩短10小时以上,整个制备过程能耗大大减少,材料制备成本可大幅度降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101038265A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710051933.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。
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公开(公告)号：CN1696681A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510018806.4
申请日：2005-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料塞贝克系数和电阻率的装置，温度控制器的两端分别与电源及管式炉中的发热元件相连，样品台位于炉膛内；参考电阻与转换开关串接，转换开关与数据采集模块相连，恒流源与转换开关相连。冷端样品夹固定在冷端夹柱内，热端样品夹可移动式置于热端夹柱内，冷、热端热电偶分别位于冷、热端样品夹内、并接近样品两端的位置，并通过数据采集模块输入到计算机；导电夹通过瓷台固定在底座上，并采用高温导线将样品的电压通过数据采集模块输入到计算机里；高温导线分别连接在冷、热端样品夹上，将塞贝克电势通过数据采集模块输入到计算机。该装置可以使同时进行测定塞贝克系数和电阻率，并且测试过程简单，装置和测试的成本较低。
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公开(公告)号：CN1162561C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN02147869.4
申请日：2002-12-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种Co-Sb系方钴矿化合物热电材料的制备方法，其步骤为：①预机械合金化处理：将原料粉末按照原子比Co∶Sb＝1∶3配比，再将原料粉末与磨球混和后进行高能球磨处理，球料重量比为10∶1～20∶1，球磨转速为180-350转/分，在保护气氛下进行球磨处理8-11小时；②等温退火处理：将经预合金化处理后的材料在真空或惰性气氛的保护下进行等温退火处理，处理温度为923～1023K，处理时间为1～3小时。本发明采用预合金化结合固相处理的两段加工方法，经机械合金化处理后的材料经短时间退火处理即可得单相CoSb3方钴矿化合物。包括机械合金化处理在内的整个材料制备过程时间至少缩短6小时；同时由于高温等温退火时间缩短10小时以上，整个制备过程能耗大大减少，材料制备成本可大幅度降低。
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公开(公告)号：CN100334442C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200510018806.4
申请日：2005-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料塞贝克系数和电阻率的装置，温度控制器的两端分别与电源及管式炉中的发热元件相连，样品台位于炉膛内；参考电阻与转换开关串接，转换开关与数据采集模块相连，恒流源与转换开关相连。冷端样品夹固定在冷端夹柱内，热端样品夹可移动式置于热端夹柱内，冷、热端热电偶分别位于冷、热端样品夹内、并接近样品两端的位置，并通过数据采集模块输入到计算机；导电夹通过瓷台固定在底座上，并采用高温导线将样品的电压通过数据采集模块输入到计算机里；高温导线分别连接在冷、热端样品夹上，将塞贝克电势通过数据采集模块输入到计算机。该装置可以使同时进行测定塞贝克系数和电阻率，并且测试过程简单，装置和测试的成本较低。
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公开(公告)号：CN201041559Y
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200720084694.7
申请日：2007-05-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。
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