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公开(公告)号：CN108807692B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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公开(公告)号：CN112531116A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011283052.6
申请日：2020-11-16
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿超快X射线探测器，自上至下依次包括：金属电极、电子传输层；钙钛矿材料层、空穴传输层和衬底层；其中，X射线从所述探测器的一侧入射，并在钙钛矿材料层中产生电子空穴对，工作电压施加在衬底层，产生电信号，并通过所述金属电极输出，本发明提供了一种钙钛矿超快X射线探测器，X射线斜向入射到钙钛矿材料层，可以在设计钙钛矿材料层时，减小其厚度，以提高响应速度，满足对响应速度要求较高的CT应用要求，本发明提供的钙钛矿超快X射线探测器制备方法，给出了钙钛矿超快X射线探测器的制备方法，保证探测器的使用稳定性，层间形成有效接触。
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公开(公告)号：CN112531116B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202011283052.6
申请日：2020-11-16
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿超快X射线探测器，自上至下依次包括：金属电极、电子传输层；钙钛矿材料层、空穴传输层和衬底层；其中，X射线从所述探测器的一侧入射，并在钙钛矿材料层中产生电子空穴对，工作电压施加在衬底层，产生电信号，并通过所述金属电极输出，本发明提供了一种钙钛矿超快X射线探测器，X射线斜向入射到钙钛矿材料层，可以在设计钙钛矿材料层时，减小其厚度，以提高响应速度，满足对响应速度要求较高的CT应用要求，本发明提供的钙钛矿超快X射线探测器制备方法，给出了钙钛矿超快X射线探测器的制备方法，保证探测器的使用稳定性，层间形成有效接触。
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公开(公告)号：CN115261786A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210979094.6
申请日：2022-08-16
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种Micro‑CT探测器镀膜方法、一种掩膜。其中，Micro‑CT探测器镀膜方法包括：将预制电子显微镜载网掩盖在Micro‑CT探测器单晶上，由于预制电子显微镜载网暴露有Micro‑CT探测器单晶需要镀膜的目标晶面，因而可以直接对目标晶面进行真空镀膜，来制备得到Micro‑CT探测器像素化电极阵列。由于电子显微镜载网的制造成本较精细金属掩模版低，能有效降低对Micro‑CT探测器进行镀膜过程的成本。
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公开(公告)号：CN108807692A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115295579A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211072431.X
申请日：2022-09-02
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及半导体光电探测器领域，尤其涉及一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法；钙钛矿材料层，铝膜层，以及薄膜层，铝膜层设置于钙钛矿材料层与薄膜层之间，且与钙钛矿材料层和薄膜层相邻设置；其中，薄膜层为含硅元素的一个或多个无机薄膜层；所述方法包括：对基板的表面进行TFT驱动器件成型，再在成型的TFT驱动器件表面进行钙钛矿材料层成型，得到功能单元；在功能单元中钙钛矿材料层的表面贴封铝膜层，后在铝膜层表面上沉积第一无机薄膜层和第二无机薄膜层，得到含防水氧结构的封装面板；通过铝膜层和薄膜层，避免水氧环境对钙钛矿层材料的侵蚀，起到有效封装。
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公开(公告)号：CN112604928B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011494696.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了基于卤素钙钛矿材料的光致超声换能器，包括：钙钛矿吸光层，用于吸收光能及转化成热能；热膨胀材料层，用于吸热发生热致伸缩，产生超声波；以及衬底；其中，所述钙钛矿吸光层是由卤素钙钛矿材料制成，所述热膨胀材料层是由热膨胀材料制成，所述衬底是钙钠玻璃、ITO玻璃、FTO玻璃中的至少一种。本发明的基于卤素钙钛矿材料的光致超声换能器具备较高的光声转化效率，较宽的频谱带宽等优点。
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公开(公告)号：CN112604928A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011494696.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了基于卤素钙钛矿材料的光致超声换能器，包括：钙钛矿吸光层，用于吸收光能及转化成热能；热膨胀材料层，用于吸热发生热致伸缩，产生超声波；以及衬底；其中，所述钙钛矿吸光层是由卤素钙钛矿材料制成，所述热膨胀材料层是由热膨胀材料制成，所述衬底是钙钠玻璃、ITO玻璃、FTO玻璃中的至少一种。本发明的基于卤素钙钛矿材料的光致超声换能器具备较高的光声转化效率，较宽的频谱带宽等优点。
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公开(公告)号：CN112490307A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011311538.6
申请日：2020-11-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明特别涉及一种用于光电探测器的无表面缺陷的钙钛矿及其制备方法，属于晶体材料加工技术领域，钙钛矿包括钙钛矿本体，钙钛矿本体至少一表面键合有钝化剂，钝化剂为PEAX，其中，X为Cl、Br和I中的至少一种；利用PEAX(卤化苯乙胺)对于钙钛矿表面悬挂键的钝化作用，减小表面的漏电流点，同时抑制了钙钛矿的离子迁移，降低钙钛矿光电探测器器件工作时的暗电流，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN112467035A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011310022.X
申请日：2020-11-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种肖特基型钙钛矿光电探测器及其制备方法，其中肖特基型钙钛矿光电探测器包括依次相连的第一金属电极(1)、钙钛矿吸光层(2)、聚酰亚胺PI层(3)和第二金属电极(4)，其中，所述第一金属电极(1)所采用的金属材料功函数较高，所述第二金属电极(4)所采用的金属材料功函数较低。本发明通过肖特基势垒对暗电流有很好的抑制作用；同时又通过在钙钛矿表面旋涂一层聚酰亚胺(PI)薄膜，利用聚酰亚胺(PI)薄膜的对于钙钛矿表面的钝化和阻挡金属与钙钛矿的反应作用来降低钙钛矿光电探测器暗电流和离子迁移，从而有效的抑制钙钛矿光电探测器工作时的暗电流过大和暗电流漂移问题。
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