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公开(公告)号：CN108807692B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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公开(公告)号：CN108807692A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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公开(公告)号：CN116178014B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310127476.0
申请日：2023-02-14
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿闪烁体陶瓷的制备方法。本发明通过真空烧结得到闪烁体粉末，闪烁体粉末经干压成型后依次经过温等静压和高温高压反应釜处理，得到透明的钙钛矿闪烁体陶瓷。高温高压反应釜通过调节温度、压强、保压时间等参数，可以得到在发射波长下透过率大于15％的CsCuX(X＝Cl、Br、I)卤化物闪烁体陶瓷，降低陶瓷的孔隙率即增大陶瓷的致密度，可以有效降低陶瓷的光散射和光串扰问题，提高X射线探测成像的空间分辨率。本发明利用高温高压反应釜提供大于300℃的高温、高压环境促进钙钛矿闪烁体素坯的晶粒加速流动、重排与致密化，有效解决了现有技术中需要长时间高温、制备周期长的技术问题。
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公开(公告)号：CN118048690A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410102045.3
申请日：2024-01-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种锑基钙钛矿单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器，所述锑基钙钛矿单晶的化学式为(C10H26N2)SbCl5，所述锑基钙钛矿单晶的晶体结构由有机阳离子(C10H26N2)2+和无机结构单元[SbCl6]3‑组成，晶体中(C10H26N2)2+与[SbCl6]3‑之间存在库伦作用和氢键相互作用；其中，Sb3+离子与6个Cl‑离子配位形成八面体结构，所述八面体通过共享顶点的方式而连接形成1D链状结构，(C10H26N2)2+阳离子组成的棱形柱状笼包裹着[SbCl6]3‑链。本申请内容选用Sb作为铅的替代元素，除具有低毒和环境友好的特点，同时为现有X射线探测器提供了新的材料。
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公开(公告)号：CN116024527A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310127470.3
申请日：2023-02-14
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体膜的方法。本发明利用具有一维晶体结构的铜基卤化物闪烁体材料(CsCu2I3、Cs5Cu3Cl6I2)，在柔性衬底上制备了柱状晶结构的闪烁体厚膜，一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体厚膜从根本上解决了多晶晶界产生缺陷的问题。并且利用近空间升华法蒸发，由于蒸发源和衬底的距离很近(几毫米)，蒸发速度可以很快(30‑50μm/min)，从而能够快速制备百微米级的闪烁体厚膜，不仅提升了制备效率，而且大大降低了制备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115992347A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310109293.6
申请日：2023-02-14
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双源共蒸制备InSeI膜的方法。通过分别同时蒸发InI3和In2Se3，通过称量蒸发前后基底的质量，进而计算出沉积到基底上的InI3和In2Se3的质量，进而标定InI3和In2Se3的实际蒸发速率，使其以等摩尔比的速率蒸发，得到致密的InSeI膜，并制备X射线探测器，获得良好的器件性能。
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公开(公告)号：CN115403065A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211044612.1
申请日：2022-08-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。
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公开(公告)号：CN117923807A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089627.2
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种快中子成像材料及其制备方法，所述方法包括：得到(C19H18P)2MnBr4前驱体溶液；将所述(C19H18P)2MnBr4前驱体溶液与聚丙烯腈进行混合，得到聚合物前驱体溶液；将所述聚合物前驱体溶液涂覆于基体上，后进行干燥，得到快中子成像材料。本申请内容为快中子成像提供了新的材料，同时提高了现有快中子成像材料的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN115403065B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211044612.1
申请日：2022-08-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。
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公开(公告)号：CN112531110A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011329619.9
申请日：2020-11-24
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明特别涉及一种MAPbI3厚膜的表面处理方法，属于钙钛矿膜制备技术领域，方法包括：获得MAPbI3厚膜初品；将MAPbI3厚膜初品的一个表面贴合PI膜一面，压制后，获得MAPbI3厚膜；在压制过程中，保持MAPbI3厚膜初品的温度恒定，且MAPbI3厚膜初品的温度为25℃‑120℃。通过将PI膜对MAPbI3厚膜表面进行覆盖并施压，处理方法工艺简单、处理成本低，提高了MAPbI3厚膜的密度，降低了MAPbI3厚膜的表面粗糙度，减少了表面悬挂键，从而降低变质发黄的可能，提高MAPbI3厚膜表面的光响应和表面载流子寿命，使得表面载流子寿命与靠近基底的MAPbI3厚膜背面近视相等。
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