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公开(公告)号：CN110981467B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201911248704.X
申请日：2019-12-09
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种能量密度及温度稳定性提高的无铅热释电复合陶瓷材料及其制备方法。其为在陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaZrxTi1‑xO3中引入SiO2纳米颗粒后获得，其中x为原子比，0≤x≤0.25；且SiO2纳米颗粒占陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaZrxTi1‑xO3的质量百分数不大于0.2％。在热释电陶瓷晶界位置中引入SiO2纳米颗粒，使其形成SiO2三维网络结构，加快复合陶瓷的热传递，从而提升了复合陶瓷的能量密度及其温度稳定性。
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公开(公告)号：CN109369154B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201811541537.3
申请日：2018-12-17
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种储能效率提高的反铁电储能陶瓷及其制备方法与应用，属于电能储存材料领域。制备方法为将反铁电介质和线性介质进行复合，得到反铁电储能陶瓷为反铁电介质与线性介质的复合物。所述反铁电介质为(Pb0.93Ba0.04La0.02)(Zr0.95‑xSnxTi0.05)O3，其中x的取值范围为0.3≤x≤0.45，所述线性介质为Ca(ZryTi1‑y)O3，其中y的取值范围为0.3≤y≤0.5。本发明通过高储能密度介质与高储能效率介质的复合，获得了储能密度达到4.39J/cm3、储能效率为92.23％的储能材料。
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公开(公告)号：CN110190141B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910285735.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/0232 , H01L31/08 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种三维等离子纳米复合结构及其制备方法和应用，结构包括：铝反射层，氧化铝阵列支架，以及金纳米天线。氧化铝阵列支架设置于铝反射层上；金纳米天线设置于氧化铝阵列支架的与铝反射层相对的一侧表面。为防止入射光的溢出，本发明引入铝反射层和氧化铝阵列共振腔，结合强光干涉效果的铝反射层和氧化铝阵列共振腔及强表面等离子效应的自组装金纳米天线的优势，通过反射层、氧化铝阵列支架和金纳米天线的耦合作用，可将光波有效钳制于纳米复合结构表面，实现入射光波的反复利用，有效提升光敏感层的光利用率，突破了传统光探测材料光吸收率的限制。
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公开(公告)号：CN110190141A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910285735.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/0232 , H01L31/08 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种三维等离子纳米复合结构及其制备方法和应用，结构包括：铝反射层，氧化铝阵列支架，以及金纳米天线。氧化铝阵列支架设置于铝反射层上；金纳米天线设置于氧化铝阵列支架的与铝反射层相对的一侧表面。为防止入射光的溢出，本发明引入铝反射层和氧化铝阵列共振腔，结合强光干涉效果的铝反射层和氧化铝阵列共振腔及强表面等离子效应的自组装金纳米天线的优势，通过反射层、氧化铝阵列支架和金纳米天线的耦合作用，可将光波有效钳制于纳米复合结构表面，实现入射光波的反复利用，有效提升光敏感层的光利用率，突破了传统光探测材料光吸收率的限制。
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公开(公告)号：CN109369154A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811541537.3
申请日：2018-12-17
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种储能效率提高的反铁电储能陶瓷及其制备方法与应用，属于电能储存材料领域。制备方法为将反铁电介质和线性介质进行复合，得到反铁电储能陶瓷为反铁电介质与线性介质的复合物。所述反铁电介质为(Pb0.93Ba0.04La0.02)(Zr0.95-xSnxTi0.05)O3，其中x的取值范围为0.3≤x≤0.45，所述线性介质为Ca(ZryTi1-y)O3，其中y的取值范围为0.3≤y≤0.5。本发明通过高储能密度介质与高储能效率介质的复合，获得了储能密度达到4.39J/cm3、储能效率为92.23％的储能材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110981467A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911248704.X
申请日：2019-12-09
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种能量密度及温度稳定性提高的无铅热释电复合陶瓷材料及其制备方法。其为在陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3-0.06BaZrxTi1-xO3中引入SiO2纳米颗粒后获得，其中x为原子比，0≤x≤0.25；且SiO2纳米颗粒占陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3-0.06BaZrxTi1-xO3的质量百分数不大于0.2％。在热释电陶瓷晶界位置中引入SiO2纳米颗粒，使其形成SiO2三维网络结构，加快复合陶瓷的热传递，从而提升了复合陶瓷的能量密度及其温度稳定性。
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公开(公告)号：CN114163231B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111447880.3
申请日：2021-11-29
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B35/468 , C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种无铅脉冲电介质储能复合陶瓷材料及其制备方法和应用，复合陶瓷材料的化学组成为(1‑x)(0.97BaTiO3‑0.03NaNbO3)‑xBi(Zn0.5Zr0.5)O3/AlN；其中，0.0≤x≤0.7，AlN占陶瓷材料的质量百分数小于等于10％，且AlN为纳米级颗粒，分布在陶瓷材料内部晶粒之间的空隙。本发明通过引入低介电、宽禁带半导体材料AlN，提高材料整体击穿场强；通过引入弛豫元素Bi离子、Zn离子和Zr离子，提高材料体系的弛豫度，提高微观极性纳米微区的含量，进而提高材料的储能效率和温度稳定性。
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公开(公告)号：CN114163231A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111447880.3
申请日：2021-11-29
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B35/468 , C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种无铅脉冲电介质储能复合陶瓷材料及其制备方法和应用，复合陶瓷材料的化学组成为(1‑x)(0.97BaTiO3‑0.03NaNbO3)‑xBi(Zn0.5Zr0.5)O3/AlN；其中，0.0≤x≤0.7，AlN占陶瓷材料(1‑x)(0.97BaTiO3‑0.03NaNbO3)‑xBi(Zn0.5Zr0.5)O3的质量百分数小于等于10％，且AlN为纳米级颗粒，分布在陶瓷材料内部晶粒之间的空隙。本发明通过在无铅脉冲电介质储能陶瓷材料中引入低介电、宽禁带半导体材料AlN，复合在无铅储能复合陶瓷材料中，提高整体击穿场强；通过在无铅脉冲电介质储能复合陶瓷材料中引入弛豫元素Bi离子、Zn离子和Zr离子，提高材料体系的弛豫度，提高微观极性纳米微区的含量，进而提高材料的储能效率和温度稳定性。
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公开(公告)号：CN110937893A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911154752.2
申请日：2019-11-22
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01L35/34 , H01L35/18 , H01L35/22
Abstract: 本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法。本发明提供了一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法，其通过在热释电陶瓷材料中引入高热导率半导体材料，利用半导体材料的电荷补偿效应来调控自由电荷的传输从而提高复合陶瓷材料的热释电系数，同时半导体材料的高热导率提升了复合陶瓷的温度变化率，从而提高该复合陶瓷材料的能量密度，由此解决现有技术制备表面形状复杂的热释电陶瓷工艺复杂，成本高，难以与无源器件的应用需求相兼容等的技术问题。
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公开(公告)号：CN108447915A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810174504.3
申请日：2018-03-02
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法，其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例，该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层，沟道有源层为量子点薄膜，其上方沉积有源电极和漏电极；衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进，以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层，利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应，制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器，达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。
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