公开(公告)号：CN119069566A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202311834657.3

申请日：2023-12-28

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北光谷实验室

Inventor： 高亮 ,  曾钰晖 ,  张远博 ,  彭孟 ,  戴江南 ,  唐江

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于纸基柔性导电衬底的光电探测器及其制备方法，该光电探测器自下而上依次包括纸基柔性导电衬底、ZnO电子传输层、PbS CQDs量子点吸光层、PbS EDT空穴传输层和AgNWs透明金属电极，其制备方法的步骤具体包括：S1、使用压滤法制备一层纸基柔性导电衬底；S2、在纸基柔性导电衬底上方低温磁控溅射一层ZnO薄膜，得到电子传输层；S3、在电子传输层上方旋涂PbS CQDs量子点薄膜，得到量子点吸光层；S4、在量子点吸光层上方继续旋涂PbS‑EDT薄膜，得到空穴传输层；S5、在空穴传输层上方喷涂AgNWs，得到透明金属电极。该探测器在零偏压条件下，可实现快速的紫外/红外探测，其具有室温工作、柔性可弯曲、响应时间快、暗电流低、稳定性好及低功耗等特点。

公开(公告)号：CN118005079A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311825174.7

申请日：2023-12-27

Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 ,  华中科技大学

Inventor： 许丹 ,  曾钰晖 ,  吴峰 ,  戴江南 ,  陈长清

IPC: C01G39/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请涉及一种图案化钒掺杂二硫化钼纳米片阵列及其制备方法、器件，所述方法包括：得到第一衬底，所述第一衬底的表面具有图案化金属钒膜；对所述第一衬底进行氧等离子体处理，以使所述金属钒膜转变为钒氧化物膜，并使得所述第一衬底的浸润性增强，得到第二衬底；对所述第二衬底的表面进行涂覆钼源，得到第三衬底；对所述第三衬底与硫粉进行化学气相沉积反应，得到图案化钒掺杂二硫化钼纳米片阵列。本申请内容解决了现有二硫化钼难以实现多数载流子类型调控的技术问题。

公开(公告)号：CN117580373A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311366485.1

申请日：2023-10-19

Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 ,  华中科技大学

Inventor： 尹君扬 ,  曾钰晖 ,  彭孟 ,  戴江南 ,  吴峰

IPC: H10K30/35 ,  H10K77/10 ,  H10K30/82

Abstract: 本发明提供一种红外光电探测器，涉及半导体光电探测器件技术领域，探测器包括：纤维素导电衬底，其中，衬底中掺杂有银纳米线；电子传输/注入层；半导体材料活性层；空穴传输/注入层；以及光线可穿透金属电极，光线可穿透金属电极的第一侧用于接收红外光源，光线可穿透金属电极的第二侧依次层叠设置有空穴传输/注入层、半导体材料活性层、电子传输/注入层和纤维素导电衬底。根据上述技术方案，不仅可以实现器件的高灵敏、低功耗的红外探测功能，同时纤维素导电衬底易于集成，还可以展现出高耐弯折性能，具有强柔韧性和可穿戴等特点。