公开(公告)号：CN117810305A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311862981.6

申请日：2023-12-28

Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 ,  华中科技大学

Inventor： 谭仕周 ,  赵永明 ,  彭孟 ,  许丹 ,  吴峰 ,  陈长清 ,  戴江南

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/00 ,  H01L33/60 ,  H01S5/183

Abstract: 本申请涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器的制备方法；所述制备方法包括：在AlN缓冲层表面上交替沉积硅掺杂AlGaN层和未掺杂AlGaN层，得到复合AlGaN层；在复合AlGaN层至少部分表面固定连接电极金属，得到处理电极；采用酸性电解液电化学刻蚀处理电极，得到多孔AlGaN样品；采用酸溶液对多孔AlGaN样品进行浸泡处理，后干燥处理后的多孔AlGaN样品，得到AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器；电化学刻蚀的蚀刻偏压＞30V；该方法克服了分布式布拉格反射器中AlGaN层存在的低折射率差、大晶格失配和高应变积累的缺陷。

公开(公告)号：CN117580373A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311366485.1

申请日：2023-10-19

Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 ,  华中科技大学

Inventor： 尹君扬 ,  曾钰晖 ,  彭孟 ,  戴江南 ,  吴峰

IPC: H10K30/35 ,  H10K77/10 ,  H10K30/82

Abstract: 本发明提供一种红外光电探测器，涉及半导体光电探测器件技术领域，探测器包括：纤维素导电衬底，其中，衬底中掺杂有银纳米线；电子传输/注入层；半导体材料活性层；空穴传输/注入层；以及光线可穿透金属电极，光线可穿透金属电极的第一侧用于接收红外光源，光线可穿透金属电极的第二侧依次层叠设置有空穴传输/注入层、半导体材料活性层、电子传输/注入层和纤维素导电衬底。根据上述技术方案，不仅可以实现器件的高灵敏、低功耗的红外探测功能，同时纤维素导电衬底易于集成，还可以展现出高耐弯折性能，具有强柔韧性和可穿戴等特点。

公开(公告)号：CN119069566A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202311834657.3

申请日：2023-12-28

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北光谷实验室

Inventor： 高亮 ,  曾钰晖 ,  张远博 ,  彭孟 ,  戴江南 ,  唐江

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于纸基柔性导电衬底的光电探测器及其制备方法，该光电探测器自下而上依次包括纸基柔性导电衬底、ZnO电子传输层、PbS CQDs量子点吸光层、PbS EDT空穴传输层和AgNWs透明金属电极，其制备方法的步骤具体包括：S1、使用压滤法制备一层纸基柔性导电衬底；S2、在纸基柔性导电衬底上方低温磁控溅射一层ZnO薄膜，得到电子传输层；S3、在电子传输层上方旋涂PbS CQDs量子点薄膜，得到量子点吸光层；S4、在量子点吸光层上方继续旋涂PbS‑EDT薄膜，得到空穴传输层；S5、在空穴传输层上方喷涂AgNWs，得到透明金属电极。该探测器在零偏压条件下，可实现快速的紫外/红外探测，其具有室温工作、柔性可弯曲、响应时间快、暗电流低、稳定性好及低功耗等特点。

公开(公告)号：CN119069568A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202311835928.7

申请日：2023-12-28

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北光谷实验室

Inventor： 唐江 ,  张远博 ,  彭孟 ,  高亮 ,  徐书童 ,  许丹

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H04B10/85 ,  H04B10/40

Abstract: 本申请公开了一种具备PN结无源浮栅的二维晶体管、制备方法及应用，属于二维晶体管技术领域。所述二维晶体管包括衬底及依次层叠于所述衬底上的绝缘层、沟道层、介质层及PN结；所述沟道层上设置有源极、漏极，所述源极、所述漏极分别与所述沟道层形成欧姆接触；所述PN结沿远离介质层方向包括依次设置的电子传输层、量子点吸光层、空穴传输层。所述二维晶体管的沟道层上设置异质PN结，形成晶体管的栅极，利用其感光时产生的电荷积累，改变晶体管沟道层的电荷密度，实现了二维晶体管对不同波长光信号的间接响应；通过在晶体管的源级和漏极施加源漏电压即可提取差异信号来实现探测。

公开(公告)号：CN119562610A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411587139.0

申请日：2024-11-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴峰 ,  刘伟杰 ,  彭孟 ,  陈茂华 ,  余羿叶 ,  陈长清 ,  戴江南

IPC: H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  H10F77/12 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/30 ,  C23C14/18 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/16 ,  G01J3/28

Abstract: 本发明涉及一种半导体异质结光电探测器领域，具体涉及一种偏压可调光电探测器及制备方法与应用，所述的探测器自下而上依次为：衬底、缓冲层、p型宽禁带半导体层、p型窄禁带半导体层，所述p型窄禁带半导体层部分覆盖p型宽禁带半导体层，所述探测器还包括第一金属电极和第二金属电极，其中，所述第一金属电极设置在所述p型宽禁带半导体层上，所述第二金属电极设置在所述p型窄禁带半导体层上，所述第一金属电极与所述p型窄禁带半导体层不接触，所述p型宽禁带半导体层的禁带宽度为3.1～5eV，所述p型窄禁带半导体层的禁带宽度为0.3～1.2eV。制备的探测器灵敏性高、功耗低，结构简单，可应用于光电探测。