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公开(公告)号：CN119060718A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311786973.8
申请日：2023-12-25
IPC: C09K11/02 , C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B01J27/135 , B01J35/39 , H10K30/60 , H10K30/40 , H10K30/88 , H10K71/00 , G01N21/35
Abstract: 本申请公开了一种制备光催化量子点材料的方法及应用，属于光电探测技术领域。本申请通过对红外探测器的有源层量子点材料进行紫外光光催化处理，能够促进配体交换以提供足够的能量，使得较大量子点裸露的(100)面得以有足够的能量进行吸附，钝化表面的缺陷，同时减小量子点团聚，通过该方法制备的光催化量子点材料制备成红量子点红外探测器，能够提升量子点红外探测器探测范围和稳定性。本申请优化了光催处理时的光照强度和波段，发现使用365nm波长和10uW的光照强度的紫外光进行光催化，其量子点钝化效果最佳，并且能够避免光氧化，使得量子点红外探测器具备最优的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119753604A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411780982.0
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请公开了一种P型透明金属导电电极的制备方法，该P型透明金属导电电极的制备方法包括：准备Sb靶材和SnO2靶材；将Sb靶材和SnO2靶材放置于磁控溅射设备；在磁控溅射设备通入混合气体并调整磁控溅射设备内的气压至预设气压值；将磁控溅射设备的基底温度调整至预设基底温度，将磁控溅射设备的溅射功率调整至预设溅射功率，将磁控溅射设备的沉积时间调整至预设沉积时长，对Sb靶材和SnO2靶材进行磁控溅射，得到沉积薄膜；在预设退火温度下对沉积薄膜进行退火处理并保温预设保温时长，得到P型透明金属导电电极。本申请能够提高P型透明金属导电电极的中红外光透过率。
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公开(公告)号：CN119060727A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311835482.8
申请日：2023-12-28
Abstract: 本申请公开了一种光催化合成硫化铅量子点的方法及应用，属于硫化铅量子点制备技术领域。该方法将光照引入硫化铅量子点合成的关键步骤中，减少了硫化铅量子点形成团簇结果所需要的能量，避免了反应体系温度过高或过低产生的不利影响，加快了硫化铅量子点的生长，大幅度减少了硫化铅量子点成核时间，获得了粒径均匀、表面钝化良好的单分散硫化铅量子点材料，所制备的硫化铅量子点材料的光子吸收光谱峰谷比高，体现出优异的光学性能。通过该方法制备的硫化铅量子点材料可用于制备光电探测器、太阳能吸收器、光学开关等光学器件，具备广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119894332A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510028748.0
申请日：2025-01-08
Applicant: 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点探测器及其制备方法，包括以下步骤：在底电极层上使用溶胶‑凝胶法制备NiO薄膜；并在NiO表面涂覆EDT溶液，形成EDT薄膜；将(S)‑(‑)‑1‑(2‑萘基)乙基溴化铅铵(S(1‑2)NPB)溶解于第一溶液中，然后加入至PbS溶液中，形成第一混合溶液；将第一混合溶液旋涂在EDT薄膜上，形成初始薄膜；使用IBr溶液对初始薄膜进行配体交换，形成PbS薄膜；在PbS量子点薄膜上真空蒸C60作为电子传输层；使用旋涂法在电子传输层上沉积SnO2纳米颗粒，形成强n型层；使用热蒸发法在强n型层沉积Au电极，形成顶电极层。本发明实施例所述的PbS量子点探测器能显著降低暗电流，提高器件的光电响应性能和信噪比。
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公开(公告)号：CN119789575A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411989977.0
申请日：2024-12-31
Applicant: 深圳华中科技大学研究院
IPC: H10F71/00 , H10F77/14 , H10F77/123 , H10F30/222
Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点探测器及其制备方法，包括以下步骤：将PbS量子点溶解于第一溶液中，制备PbS量子点溶液；将BMIM‑BF4溶解于第二溶液中，制备第一离子液体溶液；将第三溶液加入第一离子液体溶液，搅拌至均匀透明，形成混合溶液；并将混合溶液加入PbS量子点溶液中，并搅拌，形成浑浊溶液；对浑浊溶液进行离心沉淀分离，并加入洗涤剂进行洗涤，得到表面经BMIM‑BF4改性的PbS量子点；将表面经BMIM‑BF4改性的PbS量子点制备为BMIM‑BF4修饰的PbS量子点薄膜；以ITO为底电极，在其表面依次沉积ZnO、BMIM‑BF4修饰的PbS量子点薄膜、MoO3和Ag，形成p‑n异质结光电探测器。本发明实施例所述的PbS量子点探测器能有效解决离子迁移问题，显著提高薄膜的光电性能和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN115411189A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210991162.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种量子点红外探测器及其制备方法，所述量子点红外探测器包括：底电极层、电子阻挡层、p型层、有源层、电子运输层、强n型层、顶电极层，所述的量子点红外探测器的结构方式为由下到上依次为底电极层、电子阻挡层、p型层、有源层、电子运输层、强n型层、顶电极层。所述的量子点红外探测器制备方法，包括制备电子阻挡层、制备p型层、制备有源层、制备电子传输层、制备n型层、制备顶电极层。所述的量子点红外探测器可将红外探测器波段拓展至1700nm范围，截止区域达到1900nm，极大提升了探测范围，在短波红外光探测领域有着良好的应用前景。
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