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公开(公告)号：CN109346570A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811194597.2
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，属于半导体LED芯片制造技术领域，所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法包括获取氧化镓衬底，在所述氧化镓衬底上制作氮化铝镓缓冲层；在所述氮化铝镓缓冲层上制作氮化铝镓材料层；在所述氮化铝镓材料层上制作多量子阱结构层；在所述多量子阱结构层上制作电子阻挡层；在所述电子阻挡层上制作P型薄膜层，以制备所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片。本发明达到无需对LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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公开(公告)号：CN118117447A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311810766.1
申请日：2023-12-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请公开一种激光器的制备方法及激光器，涉及半导体技术领域，能够降低激光器出光阈值。激光器的制备方法包括：在基底上设置第一限制层、第一波导层、有源量子阱层和第二波导层，以得到激光器外延片；在激光器外延片背离基底的一侧表面设置保护层；对设置有保护层的激光器外延片进行切割，以得到激光条；对激光条进行电化学腐蚀；去除电化学腐蚀后的激光条的保护层，得到激光器。
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公开(公告)号：CN114108082A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111409834.4
申请日：2021-11-24
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法，所述方法包括步骤：准备MOCVD反应室及蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上沉积第一厚度的AIN缓冲层；在所述AIN缓冲层上生长第二厚度的AIN模板；在所述AIN模板上形成预设周期的量子阱结构；在所述量子阱结构上生长第三厚度的AIN帽层；从所述蓝宝石衬底的背面抛光减薄至预设厚度；在所述蓝宝石衬底上形成隐形凹槽；沿所述隐形凹槽方向在所述蓝宝石衬底上形成光泵浦激光条。本申请提供的一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法及深紫外激光器将多周期超薄GaN量子阱作为深紫外激光器的增益区，该量子阱具有较高的辐射发光效率，同时具备横电(TE)模式的偏振特性。
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公开(公告)号：CN109301044A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811194596.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/02 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓正装结构的深紫外LED垂直芯片，属于半导体LED芯片制造技术领域，包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。P型薄膜层的制作材料是p型氮化镓材料；电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面；多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，多量子阱结构层通过第三侧面设置在第二侧面上；氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，氮化铝镓材料层通过第五侧面设置在第四侧面上；氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，氮化铝镓缓冲层通过第七侧面设置在第六侧面上。本发明达到无需对正装结构的LED外延片的衬底材料进行剥离，能够便捷的制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109273564A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811194479.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片装置及制备方法，属于半导体LED芯片制造技术领域，包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面；多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，多量子阱结构层通过第三侧面设置在第二侧面上；氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，氮化铝镓材料层通过第五侧面设置在第四侧面上；氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，氮化铝镓缓冲层通过第七侧面设置在第六侧面上；氧化镓衬底通过第九侧面设置在第八侧面上。本发明达到无需对LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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公开(公告)号：CN115064614A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210533095.8
申请日：2022-05-13
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/00 , H01L33/10 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01S5/183
Abstract: 本申请实施例中公开了一种AlGaN基深紫外DBR及其制备方法，通过本制备方法得到的AlGaN基深紫外DBR包括在蓝宝石衬底上沉积AlN模板，在AlN模板上交替沉积40周期的硅掺杂的n‑Al0.62Ga0.38N层和未掺杂的u‑Al0.62Ga0.38N层，其中，所述n‑AlGaN层具有纳米孔。本实施例采用相同Al组分的AlGaN材料制备深紫外DBR避免了外延过程中晶格失配和热失配导致的晶体质量差的问题，并且n‑AlGaN层经过电化学腐蚀引入纳米孔降低了有效折射率，从而和n‑AlGaN层之间形成较大的折射率差，实现了高反射率的AlGaN基深紫外DBR，通过本方案可以提升深紫外DBR的质量。
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公开(公告)号：CN109103309A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811194480.4
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，属于半导体LED芯片制造技术领域，包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。P型薄膜层的制作材料是p型氮化铝镓材料；电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面；多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，多量子阱结构层通过第三侧面设置在第二侧面上；氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，氮化铝镓材料层通过第五侧面设置在第四侧面上；氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，氮化铝镓缓冲层通过第七侧面设置在第六侧面上。本发明达到无需对倒装结构的LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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公开(公告)号：CN113206174A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110397975.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种深紫外LED的异质外延衬底及其制备方法和应用，其中异质外延衬底为由纳米片和蓝宝石衬底构成的复合衬底；纳米片均匀地物理覆盖于蓝宝石衬底表面，纳米片的熔点高于深紫外LED外延材料的生长温度，且表面直径大小为5‑1000nm。该复合衬底可通过将纳米片以溶液的形式旋涂或喷涂于蓝宝石衬底表面并通过干燥制得，并应用于深紫外LED上。本发明采用纳米片和蓝宝石衬底复合构成衬底，由于外延材料不能在纳米片上成核，因此可延缓外延材料愈合过程，在愈合过程中大部分位错由于镜像力而弯曲，只有少量位错继续向上延伸，有效的降低了外延层表面处的位错密度，提高了深紫外LED的晶体质量。
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公开(公告)号：CN113206174B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110397975.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种深紫外LED的异质外延衬底及其制备方法和应用，其中异质外延衬底为由纳米片和蓝宝石衬底构成的复合衬底；纳米片均匀地物理覆盖于蓝宝石衬底表面，纳米片的熔点高于深紫外LED外延材料的生长温度，且表面直径大小为5‑1000nm。该复合衬底可通过将纳米片以溶液的形式旋涂或喷涂于蓝宝石衬底表面并通过干燥制得，并应用于深紫外LED上。本发明采用纳米片和蓝宝石衬底复合构成衬底，由于外延材料不能在纳米片上成核，因此可延缓外延材料愈合过程，在愈合过程中大部分位错由于镜像力而弯曲，只有少量位错继续向上延伸，有效的降低了外延层表面处的位错密度，提高了深紫外LED的晶体质量。
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