一种银纳米棒/聚(3,4-乙撑二氧噻吩)核壳纳米材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109232863B

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN201810801903.8

    申请日:2018-07-19

    Applicant: 华侨大学

    Abstract: 本发明公开了一种银纳米棒/聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)核壳纳米材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将3,4乙撑二氧噻吩单体溶于酸溶液中,加入磺酸盐类阴离子表面活性剂,获得单体溶液;(2)将银纳米棒加入上述单体溶液中,振荡5~30min,接着加入氧化剂,于24~26℃保温静置20~25h,然后离心弃上清,即得所述银纳米棒/聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)核壳纳米材料。本发明利用3,4‑乙撑二氧噻吩分子与酸结合形成可溶于水的盐类,进而在磺酸盐类阴离子表面活性剂的稳定作用下在银纳米棒表面发生原位聚合,形成纳米壳层结构,本发明合成方法简单,无有机溶剂的使用,可在实际中进行大规模的生产。

    一种具有可见光热转换性能的贵金属/高分子复合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112143003B

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202010991717.2

    申请日:2020-09-18

    Applicant: 华侨大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有可见光热转换性能的贵金属/高分子复合薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)将表面修饰了阳离子型表面活性剂的金银核壳纳米棒水溶液注入电泳沉积装置内,在电压作用下将金银核壳纳米棒沉积于平板电极表面,形成单层纳米颗粒结构,获得负载金银核壳纳米棒的平板电极;(2)在上述负载金银核壳纳米棒的平板电极表面浇筑高分子聚合物水溶液,然后于60‑100℃干燥形成薄膜,将该薄膜从上述平板电极的表面剥离,即得所述贵金属/高分子复合薄膜。本发明制得的贵金属/高分子复合薄膜在可见光(波长为420nm‑900nm)的照射下的表面温度可达40‑90℃。

    一种银纳米棒/聚(3,4-乙撑二氧噻吩)核壳纳米材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109232863A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201810801903.8

    申请日:2018-07-19

    Applicant: 华侨大学

    Abstract: 本发明公开了一种银纳米棒/聚(3,4-乙撑二氧噻吩)核壳纳米材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将3,4乙撑二氧噻吩单体溶于酸溶液中,加入磺酸盐类阴离子表面活性剂,获得单体溶液;(2)将银纳米棒加入上述单体溶液中,振荡5~30min,接着加入氧化剂,于24~26℃保温静置20~25h,然后离心弃上清,即得所述银纳米棒/聚(3,4-乙撑二氧噻吩)核壳纳米材料。本发明利用3,4-乙撑二氧噻吩分子与酸结合形成可溶于水的盐类,进而在磺酸盐类阴离子表面活性剂的稳定作用下在银纳米棒表面发生原位聚合,形成纳米壳层结构,本发明合成方法简单,无有机溶剂的使用,可在实际中进行大规模的生产。

    一种具有可见光热转换性能的贵金属/高分子复合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112143003A

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN202010991717.2

    申请日:2020-09-18

    Applicant: 华侨大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有可见光热转换性能的贵金属/高分子复合薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)将表面修饰了阳离子型表面活性剂的金银核壳纳米棒水溶液注入电泳沉积装置内,在电压作用下将金银核壳纳米棒沉积于平板电极表面,形成单层纳米颗粒结构,获得负载金银核壳纳米棒的平板电极;(2)在上述负载金银核壳纳米棒的平板电极表面浇筑高分子聚合物水溶液,然后于60‑100℃干燥形成薄膜,将该薄膜从上述平板电极的表面剥离,即得所述贵金属/高分子复合薄膜。本发明制得的贵金属/高分子复合薄膜在可见光(波长为420nm‑900nm)的照射下的表面温度可达40‑90℃。

    一种形状可控的金纳米晶/聚(3,4-乙撑二氧噻吩)核壳纳米材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107793558B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201710952599.2

    申请日:2017-10-13

    Applicant: 华侨大学

    Abstract: 本发明公开了一种形状可控的金纳米晶/聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)核壳纳米材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将3,4‑乙撑二氧噻吩单体溶解于阴离子表面活性剂的水溶液中,并加入适量异丙醇,在室温下搅拌1~5h;(2)将具有特定形状和大小的金纳米晶加入并分散于步骤(1)所得的物料中,混合振荡10~30min;(3)将氧化剂溶解于质子酸中,然后与步骤(2)所得的物料混合振荡3~10min后,在室温下反应5~8h后即得。本发明利用3,4‑乙撑二氧噻吩分子中的硫原子与金纳米晶的良好亲和性,使3,4‑乙撑二氧噻吩在金纳米晶表面发生原位聚合,进而在阴离子表面活性剂的稳定作用下形成nm壳层结构。

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