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公开(公告)号：CN109444781A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811058539.7
申请日：2018-09-11
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 华北电力大学
Inventor： 王异凡 , 王一帆 , 龚金龙 , 刘江明 , 孙正竹 , 马涛 , 夏晓波 , 杜赟 , 楼钢 , 徐翀 , 朱亮 , 毛永铭 , 黄继来 , 周迅 , 盛骏 , 吴胥阳 , 吴尊东 , 汪桢毅 , 饶海伟 , 唐志国
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种基于信号传播特性的GIS局放特高频灵敏度校验方法。针对不同电压等级、不同结构的GIS、不同的传感器安装方式，局部放电特高频信号具有不同的衰减特性，而现有校验方法未能给出具体有效的注入信号电平确定方法。本发明采用的技术方案包括步骤：1)根据不同UHF传感器安装方式来确定UHF传感器的注入效率，即辐射电场注入脉冲电压的变换曲线；2)建立典型GIS结构UHF信号传播衰减数据库；3)确定现场校核脉冲注入量。本发明针对典型结构和电压等级GIS信号传播衰减特性建库，有效解决了现场局放检测系统灵敏度校核中信号注入的问题。
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公开(公告)号：CN115166601A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210703998.6
申请日：2022-06-21
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 齐磊 , 刘一阳 , 张翔宇 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 本发明涉及一种MMC子模块状态在线监测方法及系统，该方法通过测量负载电流及在IGBT器件导通过程中电容器的电压变化量，获得电容器的容值，通过测量IGBT器件关断过程中的电容器的电压过充峰值，获得IGBT器件的结温，实现了电容器的容值和IGBT器件的结温的一体化监测，而且本发明在电容器的容值的获取过程中无需改变换流器的工作状态，不会对变流器的运行产生影响，可实现在线监测。
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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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公开(公告)号：CN119575252A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411826406.5
申请日：2024-12-12
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/62
Abstract: 本发明公开了一种低频电力变压器的零异常样本故障诊断方法和系统，属于低频电力变压器运行状态检测技术领域。本发明的一种低频电力变压器的零异常样本故障诊断方法，通过构建声纹片段生成模型、声纹特征提取模型、样本故障诊断模型、零异常样本故障诊断模型，将原始声纹数据进行了预处理，实现了原始声纹数据的降维压缩与特征精准高效提取；同时将声纹多维特征参量矩阵作为模型输入，对样本故障诊断模型进行训练与测试，形成零异常样本故障诊断模型，可实现低频变压器异常声纹样本的高效精准识别，因而可以在零异常样本的情况下，对未见过的声音样本进行准确诊断，其泛化能力强，进而可以实现对低频电力变压器运行状态的精准检测与评估。
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公开(公告)号：CN119534963A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411654590.X
申请日：2024-11-19
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种零磁通电流传感器和零磁通绝缘漏电流检测方法，属于漏电检测技术领域。本发明的一种零磁通电流传感器，对传感器铁芯、线圈和电路进行设计，通过设置感应铁芯单元、测量线圈单元和检测电路模块，形成一种零磁通闭环反馈式结构，用于对绝缘漏电流进行检测，从而可以实现微弱交直流泄漏电流的测量，结构简单、实用，便于生产制造。进一步，本发明通过设置第一激励线圈、第二激励线圈和补偿线圈，形成一种磁场调制电流反馈补偿结构，并可以达到磁场平衡，进而实现消噪检测，从而使得本发明的传感器具有测量精度高、抗干扰能力强、性能稳定的优点，因而可以实现几百μA～几mA级的微小电流的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117907762A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311737096.5
申请日：2023-12-18
Applicant: 杭州意能电力技术有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种特高频局部放电检测方法及装置，属于特高频局部放电检测技术领域，目的在于克服现有特高频局部放电检测方法难以兼顾较好抑制外部干扰和避免遗漏放电特征峰。检测方法包括以下步骤：将天线放置于屏蔽腔内，然后通过天线来接收送检信号；接收机基于送检信号整个带宽调节频点和带宽，对每个频点都采用特高频窄带检测法进行检测；送检信号转变成数字信号；数据显示终端将所接收到的数字信号进行显示并将所获得的数字信号传回局部放电故障诊断系统；求取时延建立方程，然后对局部放电源的空间定位。该方法与装置可以在整个大带宽内实现每个频点的扫频测试，实现了特高频窄带检测法和特高频宽带检测法优点的兼顾。
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公开(公告)号：CN113884850A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111098043.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 宋琦华 , 孙明 , 王一帆 , 骆丽 , 王尊 , 刘黎 , 邵先军 , 王少华 , 陈虔 , 曾明全 , 李文燕 , 邓志江 , 张斌 , 林氦 , 郭清 , 陈少华
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体特性参数测试系统及方法，属于半导体特性参数测试技术领域。本发明的一种功率半导体特性参数测试系统，包括功率主回路、双脉冲测试电路、电感阻隔电路。本发明设置辅助功率半导体对待测功率半导体的导通时间以及电路通断进行控制，并在功率半导体两端设置吸收电容，能够有效阻隔母线电容到测试半桥之间的部分寄生电感；同时功率主回路采用叠层母排结构进行设置，通过较小的回路面积大大降低了杂散电感，能够以更低的电压实现高电流承载。进而本发明能够有效减小电压过冲叠加以及开关损耗，同时能有效避免电磁干扰，使得本发明特别适用于对第三代半导体高压SiC功率器件进行高精度的动态特性参数测试。
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公开(公告)号：CN110926762B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201911157148.5
申请日：2019-11-22
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种紫外成像仪带外抑制能力的检测系统及方法。本发明的检测系统，其包括光源、积分球、光功率计和计算控制系统；所述的积分球设有一个入光口和两个出光口，所述的入光口与光源连接，一个出光口用于与待测设备连接，另一个出光口与光功率计连接；所述的计算控制系统，其包括光源控制单元，光功率计数据采集、处理、显示单元和校验处理单元；所述的校验处理单元，通过分析待测设备光子数和光功率计的数据，选择光子数评价标准，评估待测设备的带外抑制能力。本发明检测系统构造简单，对检测环境要求低，对检测人员要求低，便于广泛普及应用。
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公开(公告)号：CN109557429B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201811320158.1
申请日：2018-11-07
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Inventor： 王异凡 , 王一帆 , 龚金龙 , 刘江明 , 孙正竹 , 马涛 , 夏晓波 , 杜赟 , 楼钢 , 徐翀 , 朱亮 , 毛永铭 , 黄继来 , 周迅 , 盛骏 , 吴胥阳 , 吴尊东 , 汪桢毅 , 饶海伟
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开了一种基于改进小波阈值去噪的GIS局部放电故障检测方法。本发明的方法包括以下步骤：将特高频传感器检测到的数据进行小波变换，选用dB4母小波对传感器检测数据进行4层分解，得到各尺度下的小波系数；小波分解系数阈值量化，阈值选定后，去除小于阈值的小波系数，将大于阈值的小波系数进行阈值函数处理，进而得到阈值函数处理后的各层系数；通过小波逆变换将处理后的各层系数进行信号重构，从而实现小波去噪。本发明与传统的软、硬阈值降噪算法相比，降噪后不仅进一步提高了信噪比，而且降低了方差，使得处理后的信号波形更为逼近原始局部放电信号，有利于后续进行放电缺陷类型的识别。
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公开(公告)号：CN112986782A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110202946.6
申请日：2021-02-23
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及功率半导体特性参数测试技术领域，提供了一种功率半导体特性参数测试系统，包括低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、高压控制单元、器件适配单元和测试主控单元；低压控制单元包括低压项目相关部件和继电器组；继电器组分别设于低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间并根据不同类型的低压参数测试项目预设对应的导通状态；继电器组按照预设导通状态使低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间切换连接状态以形成与测试项目对应的测试电路；将低压测试项目的测试电路整合到一起，通过继电器组，可以更改测试连接方式，自动实现不同测试项目的切换。
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